【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及通信領(lǐng)域，特別涉及一種可變?cè)鲆娣糯笃骱蜕漕l前端。
技術(shù)介紹
1、相控陣技術(shù)在毫米波通信、雷達(dá)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相控陣系統(tǒng)包含大量的收發(fā)組件，且收發(fā)組件的性能會(huì)直接影響相控陣系統(tǒng)的性能。相控陣系統(tǒng)的收發(fā)組件同時(shí)包含發(fā)射鏈路和接收鏈路，主要用來實(shí)現(xiàn)放大信號(hào)、控制信號(hào)的相位和幅度變化等功能。在傳統(tǒng)的收發(fā)組件中，發(fā)射鏈路和接收鏈路均包括可變?cè)鲆婺K，用于調(diào)節(jié)相位或幅度。
2、為了適應(yīng)毫米波通信和面向高性能雷達(dá)應(yīng)用等高頻場(chǎng)景，可變?cè)鲆婺K需要有更小的相位偏移。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開實(shí)施例提出一種可變?cè)鲆娣糯笃骱蜕漕l前端，可以補(bǔ)償可變?cè)鲆婺K因不同增益下的寄生電容不同，而帶來的相位偏移。
2、本公開實(shí)施例提供一種可變?cè)鲆娣糯笃鳎ǎ嚎勺冊(cè)鲆婺K，被配置為基于接收的增益控制信號(hào)進(jìn)行增益調(diào)節(jié)；可變?cè)鲆婺K包括主晶體管對(duì)和交叉耦合晶體管對(duì)；補(bǔ)償模塊，包括關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管；其中，當(dāng)可變?cè)鲆婺K的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對(duì)中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對(duì)中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接；或者，當(dāng)可變?cè)鲆婺K的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對(duì)中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對(duì)中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接。
3、在本公開的方案中，可變?cè)鲆娣糯笃靼勺冊(cè)鲆婺K和
4、當(dāng)可變?cè)鲆婺K的衰減態(tài)相位超前于參考態(tài)相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對(duì)中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對(duì)中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管的寄生電容，可以補(bǔ)償交叉耦合晶體管對(duì)的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對(duì)與主晶體管對(duì)之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。
5、當(dāng)可變?cè)鲆婺K的衰減態(tài)相位滯后于參考態(tài)相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對(duì)中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對(duì)中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管的寄生電容，可以補(bǔ)償主晶體管對(duì)的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對(duì)與主晶體管對(duì)之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。
6、在一些實(shí)施例中，可變?cè)鲆婺K具有多個(gè)衰減態(tài)，每一衰減態(tài)與參考態(tài)具有相位差；多個(gè)相位差的中位數(shù)為正，則可變?cè)鲆婺K的相位超前；或者，多個(gè)相位差的中位數(shù)為負(fù)，則可變?cè)鲆婺K的相位滯后。對(duì)相位差的中位數(shù)的相位超前或相位滯后進(jìn)行補(bǔ)償，可以通過一個(gè)第一晶體管和第二晶體管對(duì)所有的衰減態(tài)進(jìn)行補(bǔ)償，節(jié)約第一晶體管和第二晶體管的數(shù)量，電路簡(jiǎn)單，面積小。
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1.一種可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢ǎ?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢龅谝痪w管和所述第二晶體管為以下幾種之一：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢龅谝痪w管、所述第二晶體管、所述主晶體管對(duì)和所述交叉耦合晶體管對(duì)的晶體管類型一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
13.一種射頻前端，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢ǎ?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢龅谝痪w管和所述第二晶體管為以下幾種之一：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟冢龅谝痪w管、所述第二晶體管、所述主晶體管對(duì)和所述交叉耦合晶體管對(duì)的晶體管類型一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變?cè)鲆娣糯笃鳎涮卣髟谟?..
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：任劍昊，劉貝，李南，馬昊澤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海安其威微電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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