【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體設備，尤其涉及一種吸盤。
技術介紹
1、晶圓是半導體制造過程中的一種基本材料，通常由硅制成，被用于制造集成電路和其他電子器件。晶圓具有圓形平坦的表面，用于在上面建立微電子元件。由于晶圓又薄又脆，所以在晶圓運輸、檢測、加工和存儲等過程中需要將其固定在定制的載盤上加以保護，吸附式載盤是通過抽氣產生的真空負壓來吸附晶圓使其固定在吸盤上，從而起到固定晶圓的目的。
2、在中國專利申請公開號cn210805729u中公開了一種晶圓吸附載盤，該裝置通過對晶圓不同位置的吸附，可以起到雙重保險的作用，即使對晶圓中部或周側的真空吸附發生松動，另外一個位置的吸附也會保證其正常工作，從而有效的防止了晶圓從載盤上發生脫落的情況，但是該裝置僅僅是通過中心處的中央吸氣管道和外圍一圈吸氣口對晶圓進行吸附，吸附的力度不夠均勻，而且該種吸附方式只能針對于與其裝置大小相差不大的晶圓進行吸附，不便于對不同大小的晶圓進行吸附。
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種吸盤，可以匹配多種尺寸的樣品，并保證對樣品吸附的力度均勻。
2、為達此目的，本技術采用以下技術方案：
3、一種吸盤，包括：盤部和多個呈環狀的吸附部，所述吸附部用于吸附樣品；
4、相鄰的兩個所述吸附部之間設置有避讓區，所述避讓區用于隔離相鄰所述吸附部之間的吸附力；
5、所述盤部開設有至少一個第一真空氣道，所述第一真空氣道用于為所述吸附部提供負壓或正壓，所述吸附部與至少一個所述第一真空氣
6、優選的，所述第一真空氣道的數量與所述吸附部的數量相等，每個所述第一真空氣道與一個所述吸附部通氣連通；
7、或者，所述第一真空氣道通氣連通多個所述吸附部，所述吸盤還包括與所述盤部可拆卸連接的隔離件，所述隔離件用于隔離所述吸附部與所述第一真空氣道。
8、優選的，所述吸盤還包括：連接孔和位于所述吸附部的吸附道；所述吸附道和所述第一真空氣道通過所述連接孔通氣連通，同一吸附部的吸附道通氣連通；
9、所述隔離件可拆卸設置于所述連接孔，用于阻塞所述連接孔；
10、或者，所述隔離件可拆卸設置于對應所述避讓區的所述第一真空氣道，以隔離所述吸附道與所述第一真空氣道。
11、優選的，所述隔離件與所述連接孔螺紋連接。
12、優選的，還包括第二真空氣道，所述第一真空氣道與所述第二真空氣道隔離設置，所述第一真空氣道與所述第二真空氣道分別通過不同的氣管與抽真空裝置通氣連通。
13、優選的，多個所述吸附部包括由內向外依次設置的第一吸附部、第二吸附部、第三吸附部、第四吸附部和第五吸附部；
14、所述第一真空氣道分別與第一吸附部、第二吸附部和第三吸附部通氣連通，所述第二真空氣道分別與第四吸附部和第五吸附部通氣連通。
15、優選的，所述第三吸附部包括：呈環狀的本體部、由所述本體部向所述第二吸附部延伸的第一支撐部、由所述本體部向所述第二吸附部延伸再向兩側延伸的第二支撐部。
16、優選的，在所述第一支撐部和所述第二支撐部之間的避讓區設置有安裝孔和/或升降孔。
17、優選的，還包括：升降組件及位于所述升降組件的多個升降頂針，所述升降組件用于帶動所述升降頂針沿垂直于所述吸附部表面的方向移動；
18、所述避讓區的底壁開設有多個用于供所述升降頂針穿過的升降孔，多個所述升降孔沿圓周等距排列。
19、優選的，所述第一真空氣道包括用于通氣連通抽真空裝置的氣孔，所述氣孔設置在靠近所述盤部圓心的位置。
20、優選的，所述避讓區的底壁開設有至少一個與外界連通的排氣口，所述排氣口與空氣連通或與吹氣設備通氣連通。
21、優選的，所述盤部的側壁沿周向設置有多個阻擋塊，所述阻擋塊高于所述吸附部，多個所述阻擋塊沿圓周等距排列。
22、優選的，所述盤部的底面沿周向等距開設有多組減重槽組，所述減重槽組包括沿周向設置的兩個第一減重槽和一個第二減重槽，所述第二減重槽設置在兩個所述第一減重槽之間，所述第二減重槽的截面積小于所述第一減重槽的截面積。
23、與現有技術相比，本技術具有以下有益效果：
24、1.多個吸附部位于不同直徑的圓周上，以形成不同大小的吸附范圍，對應吸附不同尺寸的樣品；
25、2.吸附部呈一個完整的環狀，從而能夠對樣品提供穩定且均勻的吸附力；
26、3.設置在避讓區的排氣口有利于樣品的快速吸附和快速釋放。
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1.一種吸盤，其特征在于，包括：盤部（1）和多個呈環狀的吸附部，所述吸附部用于吸附樣品；
2.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，所述第一真空氣道（11）的數量與所述吸附部的數量相等，每個所述第一真空氣道（11）與一個所述吸附部通氣連通；
3.根據權利要求2所述的吸盤，其特征在于，所述吸盤還包括：連接孔（10）和位于所述吸附部的吸附道（20）；所述吸附道（20）和所述第一真空氣道（11）通過所述連接孔（10）通氣連通，同一吸附部的吸附道（20）通氣連通；
4.根據權利要求3所述的吸盤，其特征在于，所述隔離件與所述連接孔（10）螺紋連接。
5.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，還包括第二真空氣道（12），所述第一真空氣道（11）與所述第二真空氣道（12）隔離設置，所述第一真空氣道（11）與所述第二真空氣道（12）分別通過不同的氣管與抽真空裝置通氣連通。
6.根據權利要求5所述的吸盤，其特征在于，多個所述吸附部包括由內向外依次設置的第一吸附部（21）、第二吸附部（22）、第三吸附部（23）、第四吸附部（24）和第五吸附
7.根據權利要求6所述的吸盤，其特征在于，所述第三吸附部（23）包括：呈環狀的本體部（231）、由所述本體部（231）向所述第二吸附部（22）延伸的第一支撐部（232）、由所述本體部（231）向所述第二吸附部（22）延伸再向兩側延伸的第二支撐部（233）。
8.根據權利要求7所述的吸盤，其特征在于，在所述第一支撐部（232）和所述第二支撐部（233）之間的避讓區（3）設置有安裝孔（4）和/或升降孔（5）。
9.根據權利要求8所述的吸盤，其特征在于，還包括：升降組件及位于所述升降組件的多個升降頂針，所述升降組件用于帶動所述升降頂針沿垂直于所述吸附部表面的方向移動；
10.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，所述第一真空氣道（11）包括用于通氣連通抽真空裝置的氣孔（111），所述氣孔（111）設置在靠近所述盤部（1）圓心的位置。
11.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，所述避讓區（3）的底壁開設有至少一個與外界連通的排氣口（6），所述排氣口（6）與空氣連通或與吹氣設備通氣連通。
12.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，所述盤部（1）的側壁沿周向設置有多個阻擋塊（7），所述阻擋塊（7）高于所述吸附部，多個所述阻擋塊（7）沿圓周等距排列。
13.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，所述盤部（1）的底面沿周向等距開設有多組減重槽組（8），所述減重槽組（8）包括沿周向設置的兩個第一減重槽（81）和一個第二減重槽（82），所述第二減重槽（82）設置在兩個所述第一減重槽（81）之間，所述第二減重槽（82）的截面積小于所述第一減重槽（81）的截面積。
...【技術特征摘要】
1.一種吸盤，其特征在于，包括：盤部（1）和多個呈環狀的吸附部，所述吸附部用于吸附樣品；
2.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，所述第一真空氣道（11）的數量與所述吸附部的數量相等，每個所述第一真空氣道（11）與一個所述吸附部通氣連通；
3.根據權利要求2所述的吸盤，其特征在于，所述吸盤還包括：連接孔（10）和位于所述吸附部的吸附道（20）；所述吸附道（20）和所述第一真空氣道（11）通過所述連接孔（10）通氣連通，同一吸附部的吸附道（20）通氣連通；
4.根據權利要求3所述的吸盤，其特征在于，所述隔離件與所述連接孔（10）螺紋連接。
5.根據權利要求1所述的吸盤，其特征在于，還包括第二真空氣道（12），所述第一真空氣道（11）與所述第二真空氣道（12）隔離設置，所述第一真空氣道（11）與所述第二真空氣道（12）分別通過不同的氣管與抽真空裝置通氣連通。
6.根據權利要求5所述的吸盤，其特征在于，多個所述吸附部包括由內向外依次設置的第一吸附部（21）、第二吸附部（22）、第三吸附部（23）、第四吸附部（24）和第五吸附部（25）；
7.根據權利要求6所述的吸盤，其特征在于，所述第三吸附部（23）包括：呈環狀的本體部（231）、由所述本體部（231）向所述第二吸附部（22）延伸的第一支撐部（232）、由所述本體部（231）向所述第二吸附部（...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄧旺財，李青格樂，王巖松，
申請(專利權)人：深圳鐳赫技術有限公司，
類型：新型
國別省市：
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