【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體芯片制造，具體而言，涉及一種鍵合結構、基片及鍵合結構的制備方法。
技術介紹
1、鍵合是一種通過基片堆疊有效提升器件性能的方法，其能夠實現將減薄到數十微米甚至數微米的硅片精確地堆疊起來。由于硅片(也稱基片)質地易碎，就需要將減薄的基片粘附到具有一定剛性載片上，這個粘附過程就是鍵合。鍵合好的基片與支撐載片一起完成一系列后續工藝。當工藝完成之后需要將基片從支撐載片上分離下來，這個過程稱為解鍵合。
2、目前，常用的解鍵合方式是利用激光照射載片，激光透過載片后被鍵合材料吸收能量，鍵合材料發生汽化或急劇膨脹等從而實現解鍵合。從光學原理可以知道，如果一束光從空氣入射到物體里面，由于兩種材料間存在折射率差異，光線會在它們的界面產生反射，物體與空氣間的折射率差決定了反射的強弱。如果界面兩側材料的折射率差越小就會有較少的光能量在界面處被反射，就有更多的光能進入物體內部。反之，就會有更多的光能被反射回空氣中而無法進入到物體，造成浪費。
3、然而，目前的鍵合結構尚且不能夠很好解決上述問題，從而導致了解鍵合的效率還不夠高。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種鍵合結構、基片及鍵合結構的制備方法，能夠提高激光的透過率，從而提高解鍵合的效率。
2、第一方面，本申請提供了一種鍵合結構，包括第一堆疊片、第二堆疊片、鍵合層以及第一減反層；所述鍵合層淀積于所述第一堆疊片與第二堆疊片之間，以鍵合所述第一堆疊片與第二堆疊片；所述第一減反層制備于所述第一堆疊片背向所述
3、上述鍵合結構，通過在第一堆疊片上制備折射率更低的第一減反層，提高了在解鍵合過程中，激光的透過率。從而減少了能量的浪費，提高了對激光能量的利用率。從而提高了解鍵合的效率。
4、結合第一方面，可選地，其中，所述第一減反層的厚度根據以下公式所確定：
5、
6、式中，d表征所述第一減反層的厚度；λ表征對所述第一堆疊片與第二堆疊片進行解鍵合過程中所使用激光的波長；m為所述激光的波長的整數倍；n表征所述第一減反層的折射率。
7、上述鍵合結構，通過上述計算公式所確定出的第一減反層的厚度，能夠進一步減低解鍵合過程中激光的反射。從而進一步提高激光的透過率。也就是說，進一步地提高了解鍵合的效率。
8、結合第一方面，可選地，其中，m＝1。
9、上述鍵合結構，通過第一減反層厚度的計算公式，進一步確定出該公式計算的第一減反層厚度，采用該厚度將會提高激光的透過率，從而更進一步提高了解鍵合的效率。
10、結合第一方面，可選地，其中，所述第一減反層的材料包括二氧化硅。
11、上述鍵合結構，通過采用二氧化硅作為第一減反層的材料，使得第一減反層表面的反射損失降低到3.4％，也即是進一步提高了激光的透過率。從而進一步提高了解鍵合的效率。
12、結合第一方面，可選地，所述結構還包括第二減反層；所述第二減反層淀積于所述第一減反層背向所述第一堆疊片的一面；其中，所述第二減反層的折射率低于所述第一減反層的折射率。
13、上述鍵合結構，通過在第一減反層上再增加一層第二減反層，更進一步提高了激光的透過率。從而更進一步提高了解鍵合的效率。
14、結合第一方面，可選地，所述第一堆疊片包括硅質支撐載片，所述第二堆疊片包括半導體基片。
15、上述鍵合結構，通過將本申請前面幾個實施例所提供的鍵合結構應用于半導體芯片制造工藝中，提高了對半導體芯片制造過程中鍵合結構進行解鍵合的效率。
16、第二方面，本申請提供了一種基片，包括第一方面所描述的鍵合結構。
17、上述基片，具有與第一方面所描述的鍵合結構相同的有益效果，此處不再贅述。
18、第三方面，本申請提供了一種鍵合結構的制備方法，包括：將第一堆疊片與第二堆疊片通過鍵合層進行鍵合；在所述第一堆疊片背向所述第二堆疊片的一面制備第一減反層。
19、上述鍵合結構的制備方法，具有與第一方面所描述的鍵合結構相同的有益效果，此處不再贅述。
20、結合第三方面，可選地，其中，所述第一減反層的材料包括二氧化硅；所述在所述第一堆疊片背向所述第二堆疊片的一面制備第一減反層，包括：對所述第一堆疊片背向所述第二堆疊片的一面進行氧化，以生成所述第一減反層。
21、上述鍵合結構的制備方法，通過氧化的方式將得到的二氧化硅作為第一減反層，降低了生產成本的基礎之上，根據前面的描述可知，通過采用二氧化硅作為第一減反層的材料，使得第一減反層表面的反射損失降低到3.4％，從而進一步提高了解鍵合的效率。
22、結合第三方面，可選地，所述在所述第一堆疊片背向所述第二堆疊片的一面制備第一減反層，包括：利用淀積工藝在所述第一堆疊片背向所述第二堆疊片的一面淀積所述第一減反層；其中，所述淀積工藝包括化學氣相沉積、原子層沉積以及物理氣相沉積中的任意一種。
23、上述鍵合結構的制備方法，通過采用化學氣相沉積淀積第一減反層，使得第一減反層的厚薄分布更均勻，并且提高了第一減反層的純度與密度。也即是提高了第一減反層淀積的效果。通過采用物理氣相淀積制備第一減反層，提高了第一減反層的附著力。并且物理氣相淀積能夠更快地淀積出薄膜，從而提高了生產效率。通過采用原子層淀積制備第一減反層，使得淀積過程中所需的溫度更低，從而對第一堆疊片與第二堆疊片進行了更好的保護。并且對第一減反層厚度的控制更精確。
24、綜上所述，本申請各個實施例提供的鍵合結構、基片及鍵合結構的制備方法，通過在第一堆疊片上鋪設折射率更低的第一減反層，提高了在解鍵合過程中，激光的透過率，從而提高了解鍵合的效率。通過其中的計算公式所確定出的第一減反層的厚度，能夠進一步減低解鍵合過程中，激光的反射。從而進一步提高激光的透過率。也就是說，進一步地提高了解鍵合的效率。通過采用二氧化硅作為第一減反層的材料，使得第一減反層表面的反射損失降低到3.4％，也進一步提高了解鍵合的效率。通過在第一減反層上再增加一層第二減反層，更進一步提高了激光的透過率。從而更進一步提高了解鍵合的效率。在第一堆疊片的材質為硅的情況下，通過氧化的方式將得到的二氧化硅作為第一減反層，降低了生產成本的基礎之上，還進一步提高了解鍵合的效率。通過采用化學氣相淀積制備第一減反層，使得第一減反層的厚薄分布更均勻，并且提高了第一減反層的純度與密度。通過采用物理氣相淀積制備第一減反層，提高了第一減反層的附著力。通過采用原子層淀積制備第一減反層，使得淀積過程中所需的溫度更低，從而對第一堆疊片與第二堆疊片進行了更好的保護。并且對第一減反層厚度的控制更精確。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種鍵合結構，其特征在于，包括第一堆疊片、第二堆疊片、鍵合層以及第一減反層；
2.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，其中，所述第一減反層的厚度根據以下公式所確定：
3.根據權利要求2所述的鍵合結構，其特征在于，其中，m＝1。
4.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，其中，所述第一減反層的材料包括二氧化硅。
5.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述結構還包括第二減反層；
6.根據權利要求1至5中任一項所述的鍵合結構，其特征在于，所述第一堆疊片包括硅質支撐載片，所述第二堆疊片包括半導體基片。
7.一種基片，其特征在于，包括如權利要求1至6中任一項所述的鍵合結構。
8.一種鍵合結構的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，其中，所述第一減反層的材料包括二氧化硅；
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一堆疊片背向所述第二堆疊片的一面制備第一減反層，包括：
【技術特征摘要】
1.一種鍵合結構，其特征在于，包括第一堆疊片、第二堆疊片、鍵合層以及第一減反層；
2.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，其中，所述第一減反層的厚度根據以下公式所確定：
3.根據權利要求2所述的鍵合結構，其特征在于，其中，m＝1。
4.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，其中，所述第一減反層的材料包括二氧化硅。
5.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述結構還包括第二減反層；
6.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王曉峰，黃永忠，潘嶺峰，何劉，季安，
申請(專利權)人：成都萊普科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。