【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及功率器件，尤其涉及一種屏蔽型sic功率器件、功率轉換電路和車輛。
技術介紹
1、在電力電子器件領域，sic?mosfet器件以高擊穿電壓、開關速度和熱導率，低導通電阻、開關損耗和驅動功率等特點，被認為是最具有應用前景的sic功率器件。
2、在工業制造中，國內外推出的碳化硅mosfet商業器件中，條形元胞憑借其良好的長期工作表現和可靠性占據主流。在反向阻斷時，條形元胞的阱區耗盡區夾斷，從而屏蔽了柵氧化層電場，降低了mosfet的柵氧化層電場從而提升了mosfet的長期可靠性。同時，條形元胞相較其他元胞種類在工藝形成上對于工藝要求也更低。但是條形元胞的電流能力并不是所有元胞種類中最優秀的，如果需要提升mosfet的正向電流能力則需要采用四邊形或者六邊形元胞等多邊形元胞。相比較條形元胞，多邊形元胞的溝道面積及溝道密度更大，所以器件的電流密度更大，正向通流能力更強。
3、但是常規的多邊形元胞的反向性能會比普通條形元胞更差，因為多個多邊形元胞中心處無法被耗盡區完全覆蓋或者中心處耗盡區屏蔽柵氧化層電場效果太差，導致有漏電通道。同時多個多邊形元胞中心位置的柵氧化層電場過大，會造成多邊形元胞的mosfet長期可靠性不如條形元胞。如圖1所示，粗框為四方形元胞漏電通道和最大柵氧化層電場的位置。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術提供了一種屏蔽型sic功率器件，可增強元胞結構的反向性能，降低由中心漏電區域帶來的反向漏電流，提高了器件的可靠性。
...【技術保護點】
1.一種屏蔽型SiC功率器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的屏蔽型SiC功率器件，其特征在于：相鄰兩個所述元胞結構之間設置有漏電通道，每兩個漏電通道的交叉位置處設置所述電場屏蔽結構。
3.根據權利要求1所述的屏蔽型SiC功率器件，其特征在于：所述外延層內設置有阱區，所述阱區內設置有源區，所述有源區遠離所述襯底層的表面與所述外延層遠離所述襯底層的表面的高度差小于預設高度。
4.根據權利要求3所述的屏蔽型SiC功率器件，其特征在于：所述有源區上設置源極，所述電場屏蔽結構與所述源極電相連，所述襯底層遠離所述外延層的一側設置漏極，所述元胞結構中心的外延層上設置平面柵結構。
5.根據權利要求1所述的屏蔽型SiC功率器件，其特征在于：所述水平部與所述垂直部相連，所述垂直部通過導電柱與所述源極電連接。
6.根據權利要求5所述的屏蔽型SiC功率器件，其特征在于：所述導電柱的周圍還設置有層間介質層，所述層間介質層外設置平面柵結構。
7.根據權利要求5所述的屏蔽型SiC功率器件，其特征在于：所述水平部的寬度大于所述
8.一種如權利要求1-7任意一項所述的屏蔽型SiC功率器件的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的屏蔽型SiC功率器件的制備方法，其特征在于：所述水平部和所述垂直部的形成方法為：
10.一種功率轉換電路，其特征在于，用于將交流電和/或直流電進行轉換后輸出直流電，包括電路板以及一個或多個如權利要求1-7任意一項所述的屏蔽型SiC功率器件，所述屏蔽型SiC功率器件與所述電路板連接。
11.一種車輛，其特征在于，包括負載以及如權利要求10所述的功率轉換電路，所述功率轉換電路用于將交流電和/或直流電進行轉換為直流電后，輸入到所述負載。
...【技術特征摘要】
1.一種屏蔽型sic功率器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的屏蔽型sic功率器件，其特征在于：相鄰兩個所述元胞結構之間設置有漏電通道，每兩個漏電通道的交叉位置處設置所述電場屏蔽結構。
3.根據權利要求1所述的屏蔽型sic功率器件，其特征在于：所述外延層內設置有阱區，所述阱區內設置有源區，所述有源區遠離所述襯底層的表面與所述外延層遠離所述襯底層的表面的高度差小于預設高度。
4.根據權利要求3所述的屏蔽型sic功率器件，其特征在于：所述有源區上設置源極，所述電場屏蔽結構與所述源極電相連，所述襯底層遠離所述外延層的一側設置漏極，所述元胞結構中心的外延層上設置平面柵結構。
5.根據權利要求1所述的屏蔽型sic功率器件，其特征在于：所述水平部與所述垂直部相連，所述垂直部通過導電柱與所述源極電連接。
6.根據權利要求5所述的屏蔽型sic功率器件，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉紅超，
申請(專利權)人：安徽長飛先進半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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