【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體器件設計及制造領域，特別涉及一種半導體器件結構及其形成方法。
技術介紹
1、與硅基igbt相比，碳化硅(sic)mosfet器件的閾值電壓偏低，尤其是平面型sicmosfet器件，商用產品的典型閾值電壓通常在2-3v。過低的閾值電壓會帶來誤開通等應用層面的隱患。
2、n型多晶硅是目前mosfet器件最常用的柵極材料。使用p型多晶硅能夠將閾值電壓提高0.5-1v。但是，與p型多晶硅相比，還期望能夠進一步提高閾值電壓。
技術實現思路
1、為了解決現有技術中的上述問題，本申請提供了一種半導體器件結構及其形成方法。
2、第一方面，本申請提供了一種半導體器件結構的形成方法，所述方法包括：
3、在襯底的外延層上形成注入掩膜，并且在所述注入掩膜上分別形成n+區域、p阱區域、p+區域和jfet區域；
4、形成柵氧化層；
5、形成多晶碳化硅膜層；
6、對所述多晶碳化硅膜層進行p型摻雜；
7、對p型摻雜后的所述多晶碳化硅膜層進行圖形化，以形成柵電極。
8、在上述第一方面的一種可能的實現中，所述方法還包括：
9、在所述柵電極上形成介質層；
10、去除部分所述介質層，以在所述柵電極兩側形成側墻結構；
11、利用所述側墻結構，在所述柵電極和所述半導體器件結構的源極區域上形成合金層。
12、在上述第一方面的一種可能的實現中，采用cvd工藝來形成所述多晶
13、在上述第一方面的一種可能的實現中，采用cvd工藝中的原位摻雜或p型離子注入來進行所述p型摻雜。
14、在上述第一方面的一種可能的實現中，采用干法刻蝕工藝來進行所述圖形化。
15、在上述第一方面的一種可能的實現中，所述介質層為二氧化硅介質層，并且所述二氧化硅介質層的厚度為
16、在上述第一方面的一種可能的實現中，采用各向同性刻蝕工藝來形成所述側墻結構。
17、在上述第一方面的一種可能的實現中，所述合金層為碳化硅-鎳合金層，并且采用鎳二次退火工藝來形成所述碳化硅-鎳合金層。
18、在上述第一方面的一種可能的實現中，所述方法還包括：
19、形成絕緣介質層和源極金屬。
20、第二方面，本申請還提供了一種半導體器件結構，所述半導體器件結構是根據上述第一方面的方法形成的。
21、與p型多晶硅相比，本申請的基于p型多晶碳化硅柵極材料的半導體器件結構能夠進一步提高閾值電壓，并且不犧牲導通電阻(rdson)等其它關鍵特性。
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1.一種半導體器件結構的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用CVD工藝來形成所述多晶碳化硅膜層。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用CVD工藝中的原位摻雜或P型離子注入來進行所述P型摻雜。
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝來進行所述圖形化。
6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅介質層，并且所述二氧化硅介質層的厚度為
7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，采用各向同性刻蝕工藝來形成所述側墻結構。
8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述合金層為碳化硅-鎳合金層，并且采用鎳二次退火工藝來形成所述碳化硅-鎳合金層。
9.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
10.一種半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件結構是根據權利要求1-9中任一項所述的方法形成的。
【技術特征摘要】
1.一種半導體器件結構的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用cvd工藝來形成所述多晶碳化硅膜層。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用cvd工藝中的原位摻雜或p型離子注入來進行所述p型摻雜。
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝來進行所述圖形化。
6.根據權利要求2所述的方法，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：仲雪倩，陳思哲，黃海濤，陳偉，張永熙，
申請(專利權)人：上海瞻芯電子科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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