【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及發(fā)光二極管和發(fā)光裝置。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光二極管（light?emitting?diode，簡稱led）是利用p型半導(dǎo)體提供空穴，n型半導(dǎo)體提供電子，在有源層中價帶空穴與導(dǎo)帶電子進行輻射復(fù)合將電能轉(zhuǎn)換為光能的器件。發(fā)光二極管具有發(fā)光強度大、效率高、體積小、使用壽命長等優(yōu)點，被認為是當(dāng)前最具有潛力的光源之一。近年來，led已在日常生活中得到廣泛應(yīng)用。
2、現(xiàn)有發(fā)光二極管在有源層和提供p型載流子（空穴）的p型覆蓋層之間生長非故意摻雜的p型間隔層，在有源層和提供n型載流子（電子）n型覆蓋層之間生長非故意摻雜的n型間隔層，一方面用來分別阻擋p型摻雜原子和n型摻雜原子擴散進有源層，從而解決載流子非輻射復(fù)合引起亮度降低的問題，同時解決摻雜原子擴散進有源層造成有源層晶體質(zhì)量下降進而使可靠性降低的問題，另一方面較高勢壘的p型間隔層和n型間隔層可以有效將大部分載流子限制在有源層，提高led的內(nèi)量子效率。
3、為了能有效阻擋p型、n型摻雜原子如mg、si等擴散進有源層，確保發(fā)光二極管的輻射復(fù)合效率和可靠性，傳統(tǒng)p型、n型間隔層的厚度設(shè)置較厚，載流子在有源層的輻射復(fù)合占比較低，部分載流子在間隔層進行非輻射復(fù)合造成發(fā)光二極管自發(fā)熱，造成發(fā)光二極管的效率難以進一步提高，同時較厚的間隔層設(shè)置也會導(dǎo)致發(fā)光二極管的工作電壓較高、也不利于esd性能的提高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一個問題，本專利技術(shù)提出發(fā)光二極管和發(fā)光裝置，所述發(fā)
2、本專利技術(shù)還提出一種發(fā)光裝置，其特征在于：包含前述的發(fā)光二極管。
3、本專利技術(shù)第二間隔層設(shè)置成兩種或者兩種以上不同材料子層堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)，可以增強第二間隔層對摻雜原子的擴散以及位錯等缺陷的阻擋效果，從而最大限度地減少第二間隔層的厚度，提升載流子在有源層進行輻射復(fù)合的比例，實現(xiàn)發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率和esd性能的提升。
4、本專利技術(shù)的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術(shù)而了解。本專利技術(shù)的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
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1.發(fā)光二極管，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層包括由a個子層交替堆疊而成的M組材料層對，其中2≤a≤6，2≤M≤20。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述a為2，所述第二間隔層包括由第一子層和第二子層交替堆疊而成的M組材料層對。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一子層由Alx1Ga1-x1InP或者Aly1Ga1-y1As材料組成，所述第二子層由Alx2Ga1-x2InP材料或者Aly2Ga1-y2As組成，其中0＜x1＜x2≤1，0＜y1＜y2≤1。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：x2-x1≥0.1或者y2-y1≥0.1。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一子層的厚度范圍為0.5~100nm，第二子層的厚度范圍為0.5~100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層為p型摻雜，所述摻雜濃度小于2E17/cm3。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層為m個不同材料形成的子層堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)，m≥2。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述m個子層的材料選自AlGaInP或者AlGaAs基的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隔層為兩種或者兩種以上材料形成的子層堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隔層包括由b個子層交替堆疊而成的N組材料層對，其中2≤b≤6，2≤N≤20。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述b為2，所述第一間隔層包括由第三子層和第四子層交替堆疊而成的N組材料層對。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第三子層由Alx3Ga1-x3InP或者Aly3Ga1-y3As材料組成，所述第四子層由Alx4Ga1-x4InP材料或者Aly4Ga1-y4As組成，其中0＜x3＜x4≤1，0＜y3＜y4≤1。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管，其特征在于：x4-x3≥0.1或者y4-y3≥0.1。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第三子層的厚度范圍為0.5~100nm，第四子層的厚度范圍為0.5~100nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隔層為n型摻雜，所述摻雜濃度小于2E17/cm3。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隔層的厚度為300nm以下。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隔層為n個不同材料形成的子層堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)，n≥2。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述n個子層的材料選自AlGaInP或者AlGaAs基的材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述有源層輻射波長為550~950nm的光。
22.一種發(fā)光裝置，其特征在于：包含權(quán)利要求1~21種任一項所述的發(fā)光二極管。
...【技術(shù)特征摘要】
1.發(fā)光二極管，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層包括由a個子層交替堆疊而成的m組材料層對，其中2≤a≤6，2≤m≤20。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述a為2，所述第二間隔層包括由第一子層和第二子層交替堆疊而成的m組材料層對。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一子層由alx1ga1-x1inp或者aly1ga1-y1as材料組成，所述第二子層由alx2ga1-x2inp材料或者aly2ga1-y2as組成，其中0＜x1＜x2≤1，0＜y1＜y2≤1。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：x2-x1≥0.1或者y2-y1≥0.1。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一子層的厚度范圍為0.5~100nm，第二子層的厚度范圍為0.5~100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層為p型摻雜，所述摻雜濃度小于2e17/cm3。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層的厚度為300nm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二間隔層為m個不同材料形成的子層堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)，m≥2。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述m個子層的材料選自algainp或者algaas基的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一間隔層為兩種或者兩種以上材料形成的子層堆疊形成的多層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃夢禮，高文浩，丘建生，侯世杰，彭鈺仁，吳超瑜，王篤祥，
申請(專利權(quán))人：泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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