【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及電池，特別是涉及一種硅片絨面結構、電池和制備方法。
技術介紹
1、在電池領域，制絨是電池生產(chǎn)工藝的第一道工序，制絨所形成的絨面結構會直接影響電池的電性能。
2、相關技術中，在制作絨面結構時，通常是在絨面的尺寸和形貌上進行改進，通過增大電池的受光面積，提升電池的短路電流。然而，在受光面積較大的情況下，絨面結構與漿料的接觸面積就會越小，導致電池的填充因子較低，仍然存在電池的光電轉換效率較低的問題。
技術實現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種能夠提升電池光電轉換效率的硅片絨面結構、電池和制備方法。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N硅片絨面結構，硅片絨面結構包括：形成于襯底上的受光絨面和遮光絨面；
3、受光絨面的比表面積大于遮光絨面的比表面積；比表面積為絨面結構的表面積與絨面結構的底部面積的比值。
4、在其中一個實施例中，遮光絨面的表面印刷有金屬柵線，且遮光絨面的寬度大于金屬柵線的寬度。
5、在其中一個實施例中，受光絨面和遮光絨面交替排列在襯底上。
6、在其中一個實施例中，遮光絨面的寬度為20-200微米。
7、在其中一個實施例中，受光絨面的寬度為800-1500微米。
8、在其中一個實施例中，受光絨面和遮光絨面均包括金字塔絨面。
9、第二方面，本申請還提供了一種電池，電池包括第一方面中任一實施例中的硅片絨面結構。
10、第三方面，本申請還提供了一
11、提供襯底；
12、在襯底上進行兩次制絨，以在襯底上形成受光絨面和遮光絨面；
13、其中，受光絨面的比表面積大于遮光絨面的比表面積；比表面積為絨面結構的表面積與絨面結構的底部面積的比值。
14、在其中一個實施例中，在襯底上進行兩次制絨，以在襯底上形成受光絨面和遮光絨面，包括：
15、對襯底進行圖案化處理，在襯底上形成掩膜；
16、對襯底進行一次制絨，在襯底上非掩膜區(qū)域形成初始受光絨面；
17、去除襯底上的掩膜形成裸露區(qū)域，并對襯底進行二次制絨，以在非掩膜區(qū)域形成受光絨面，以及在裸露區(qū)域形成遮光絨面。
18、在其中一個實施例中，一次制絨的制絨條件與二次制絨的制絨條件不同；其中，制絨條件包括di占比、add占比、堿占比、制絨溫度和制絨時間中的至少一種。
19、在其中一個實施例中，該方法還包括：
20、對襯底進行預處理，以清理襯底表面的雜質(zhì)。
21、上述硅片絨面結構、電池和制備方法，硅片絨面結構包括：形成于襯底上的受光絨面和遮光絨面。其中，受光絨面的比表面積大于遮光絨面的比表面積；比表面積為絨面結構的表面積與絨面結構的底部面積的比值。該結構中，通過在襯底上分別形成受光絨面和遮光絨面，并且限制受光絨面的比表面積大于遮光絨面的比表面積，采用比表面積較大的受光絨面來提升短路電流，采用比表面積較小的遮光絨面來提升填充因子，達到同時提升短路電流和填充因子的效果，進而提升電池的光電轉換效率。
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1.一種硅片絨面結構，其特征在于，所述硅片絨面結構包括：形成于襯底上的受光絨面和遮光絨面；
2.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述遮光絨面的表面印刷有金屬柵線，且所述遮光絨面的寬度大于所述金屬柵線的寬度。
3.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述受光絨面和所述遮光絨面交替排列在所述襯底上。
4.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述遮光絨面的寬度為20-200微米。
5.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述受光絨面的寬度為800-1500微米。
6.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述受光絨面和所述遮光絨面均包括金字塔絨面。
7.一種電池，其特征在于，所述電池包括權利要求1-6任一項所述的硅片絨面結構。
8.一種硅片絨面結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上進行兩次制絨，以在所述襯底上形成受光絨面和遮光絨面，包括：
10.根據(jù)權利要求9所述的
11.根據(jù)權利要求8-10任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種硅片絨面結構，其特征在于，所述硅片絨面結構包括：形成于襯底上的受光絨面和遮光絨面；
2.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述遮光絨面的表面印刷有金屬柵線，且所述遮光絨面的寬度大于所述金屬柵線的寬度。
3.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述受光絨面和所述遮光絨面交替排列在所述襯底上。
4.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述遮光絨面的寬度為20-200微米。
5.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，所述受光絨面的寬度為800-1500微米。
6.根據(jù)權利要求1所述的硅片絨面結構，其特征在于，...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：吳曉鵬，趙偉強，張杰，張雅倩，彭致遠，盧俊峰，
申請(專利權)人：天合光能股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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