【技術實現步驟摘要】
本公開的實施例涉及半導體結構和形成半導體結構的方法。
技術介紹
1、集成電路(ic)工業經歷了指數級增長。ic材料和設計中的技術進步已經產生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復雜的電路。在ic發展的過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數量)普遍增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創建的最小組件(或線))已經減小。這種按比例縮小的工藝通常通過提高生產效率和降低相關成本來提供益處。
2、三維(3d)ic中已采用硅貫通孔或襯底貫通孔(tsv)來將電信號從ic襯底的一側路由到其另一側。通常，tsv是通過蝕刻穿過襯底的垂直通孔開口以及用導電材料(諸如銅)填充通孔開口來形成的。
技術實現思路
1、本公開的一些實施例提供了一種半導體結構，該半導體結構包括：襯底；襯底貫通孔(tsv)單元，設置在襯底上方；以及襯底貫通孔，延伸穿過襯底貫通孔單元和襯底，其中，襯底貫通孔單元包括：保護環結構，繞著襯底貫通孔單元的周邊連續地延伸，和緩沖區，由保護環結構圍繞，其中，緩沖區包括：多個第一偽晶體管，和多個第二偽晶體管，其中，多個第一偽晶體管中的每個包括：兩個第一類型外延部件，第一多個納米結構，在兩個第一類型外延部件之間延伸，和第一隔離柵極結構，延伸穿過第一多個納米結構，其中，多個第二偽晶體管中的每個包括：兩個第二類型外延部件，第二多個納米結構，在兩個第二類型外延部件之間延伸，和第二隔離柵極結構，延伸穿過第二多個納米結構。
2、本公開的另一些實施例提供了一種半導體結構，
3、本公開的又一實施例提供了一種形成半導體結構的方法，該方法包括：接收中間結構，中間結構包括：襯底，包括第一區域和第二區域，和堆疊件，位于第一區域和第二區域上方，堆疊件包括由多個犧牲層交錯的多個溝道層；圖案化堆疊件和襯底的部分，以在第一區域上方形成第一鰭狀結構并且在第二區域上方形成第二鰭狀結構；在第一鰭狀結構的溝道區域上方形成第一偽柵極堆疊件，并且在第二鰭狀結構的溝道區域上方形成第二偽柵極堆疊件；蝕刻第一鰭狀結構和第二鰭狀結構的源極/漏極區域以形成源極/漏極凹槽；在源極/漏極凹槽中形成外延部件；選擇性地去除第一鰭狀結構和第二鰭狀結構的溝道區域中的多個犧牲層，以在第一區域上方形成第一溝道構件并且在第二區域上方形成第二溝道構件；選擇性地形成柵極結構以環繞第一溝道構件中的每個；以及選擇性地形成介電柵極結構以包裹在第二溝道構件中的每個上方。
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1.一種半導體結構，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，
3.根據權利要求1所述的半導體結構，
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一隔離柵極結構和所述第二隔離柵極結構包括氮化硅。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一隔離柵極結構的部分延伸到所述襯底中，
6.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：
7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，從俯視圖觀察，所述襯底貫通孔單元包括正方形形狀。
8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，從俯視圖觀察，所述襯底貫通孔包括圓形形狀。
9.一種半導體結構，包括：
10.一種形成半導體結構的方法，包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，
3.根據權利要求1所述的半導體結構，
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一隔離柵極結構和所述第二隔離柵極結構包括氮化硅。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一隔離柵極結構的部分延伸到所述襯底中，
...【專利技術屬性】
技術研發人員：李昀昇，楊芷欣，張智杰，王茂南，王冠勛，施養鑫，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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