【技術實現步驟摘要】
本技術涉及晶圓承載領域，特別涉及一種晶圓承載盤及晶圓承載裝置。
技術介紹
1、在半導體制備領域，需要對晶圓進行多種加工操作，以完成芯片的制備。現有在對晶圓進行加工及轉移時，需要將晶圓放置在晶圓承載盤中進行轉移，但現有單片晶圓承載盤只適用于單一尺寸的晶圓，在晶圓尺寸多變的工況下，需要利用多種晶圓承載盤進行承載作業，提高了處理成本。
技術實現思路
1、有鑒于此，本技術的目的在于提供一種晶圓承載盤及晶圓承載裝置，解決了現有技術中在晶圓尺寸多變的工況下，需要利用多種晶圓承載盤進行承載的問題。
2、為解決上述技術問題，本技術提供了一種晶圓承載盤，包括晶圓承載盤主體；
3、所述晶圓承載盤主體中開設有多個晶圓承載凹槽；
4、多個所述晶圓承載凹槽沿預設方向依次排列設置，且多個所述晶圓承載凹槽之間的尺寸沿所述預設方向減小；
5、多個所述晶圓承載凹槽的底面形成階梯狀結構，且所述晶圓承載盤主體的表面暴露出全部尺寸的所述晶圓承載凹槽的全部底面；每個所述晶圓承載凹槽的底面分別作為承載對應尺寸晶圓的底面；
6、所述預設方向為所述晶圓承載盤主體開設多個所述晶圓承載凹槽的表面，指向所述晶圓承載盤主體的內部的方向，且所述預設方向與多個所述晶圓承載凹槽的底面垂直。
7、可選的，多個所述晶圓承載凹槽的圓心沿所述預設方向重合。
8、可選的，多個所述晶圓承載凹槽之間的尺寸，沿所述預設方向呈等差遞減。
9、可選的，多個所述晶圓承載
10、可選的，每個所述晶圓承載凹槽的側壁垂直于所述晶圓承載凹槽的底面。
11、可選的，每個所述晶圓承載凹槽的側壁的高度，大于或等于待承載晶圓的厚度的二分之一。
12、可選的，每個所述晶圓承載凹槽的邊緣開設有至少一個缺口。
13、可選的，所述缺口為弧形缺口。
14、可選地，每個所述晶圓承載凹槽的側壁的頂部拐角處，設置有倒角結構。
15、可選的，所述倒角結構為弧形倒角結構。
16、本技術還提供了一種晶圓承載裝置，包括：
17、晶圓承載裝置基底，以及多個如上述的晶圓承載盤；
18、多個所述晶圓承載盤分布在所述晶圓承載裝置基底的表面。
19、可見，本技術提供的晶圓承載盤，包括晶圓承載盤主體，晶圓承載盤主體中開設有多個晶圓承載凹槽，多個晶圓承載凹槽沿預設方向依次排列設置，且多個晶圓承載凹槽之間的尺寸沿預設方向減小，多個晶圓承載凹槽的底面形成階梯狀結構，且晶圓承載盤主體的表面暴露出全部尺寸的晶圓承載凹槽的全部底面，每個晶圓承載凹槽的底面分別作為承載對應尺寸晶圓的底面，預設方向為晶圓承載盤主體開設多個晶圓承載凹槽的表面，指向晶圓承載盤主體的內部的方向，且預設方向與多個晶圓承載凹槽的底面垂直。本技術通過在晶圓承載盤主體中設置多個尺寸的晶圓承載凹槽，能夠在對晶圓進行轉移及對應操作時，能夠利用一個晶圓承載盤適配多種尺寸的晶圓，擴展了一個晶圓承載盤的應用場景，降低了單片晶圓承載成本。
20、此外，本技術還提供了一種晶圓承載裝置，同樣具有上述有益效果。
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1.一種晶圓承載盤，其特征在于，包括晶圓承載盤主體；
2.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，多個所述晶圓承載凹槽的圓心沿所述預設方向重合。
3.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，多個所述晶圓承載凹槽之間的尺寸，沿所述預設方向呈等差遞減。
4.根據權利要求3所述的晶圓承載盤，其特征在于，多個所述晶圓承載凹槽的尺寸，沿所述預設方向，由12寸等差遞減至2寸。
5.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，每個所述晶圓承載凹槽的側壁垂直于所述晶圓承載凹槽的底面。
6.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，每個所述晶圓承載凹槽的側壁的高度，大于或等于待承載晶圓的厚度的二分之一。
7.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，所述缺口為弧形缺口。
8.根據權利要求1至7任一項所述的晶圓承載盤，其特征在于，每個所述晶圓承載凹槽的側壁的頂部拐角處，設置有倒角結構。
9.根據權利要求8所述的晶圓承載盤，其特征在于，所述倒角結構為弧形倒角結構。
10.一種晶圓承載
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓承載盤，其特征在于，包括晶圓承載盤主體；
2.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，多個所述晶圓承載凹槽的圓心沿所述預設方向重合。
3.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，多個所述晶圓承載凹槽之間的尺寸，沿所述預設方向呈等差遞減。
4.根據權利要求3所述的晶圓承載盤，其特征在于，多個所述晶圓承載凹槽的尺寸，沿所述預設方向，由12寸等差遞減至2寸。
5.根據權利要求1所述的晶圓承載盤，其特征在于，每個所述晶圓承載凹槽的側壁垂直于所述晶...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：星鑰珠海半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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