【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本公開涉及電極材料用表面處理劑、正極活性物質(zhì)、集流箔、負(fù)極活性物質(zhì)、導(dǎo)電助劑、電極、電池、正極活性物質(zhì)的制造方法、集流箔的制造方法、負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法、導(dǎo)電助劑的制造方法和電極的制造方法。
技術(shù)介紹
1、伴隨近年來(lái)的電氣產(chǎn)品的輕量化、小型化，正在推進(jìn)具有高能量密度的鋰離子二次電池等電化學(xué)器件的開發(fā)。此外，隨著鋰離子二次電池等電化學(xué)器件的應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)大，期望改善特性。特別是在今后在車載用途中使用鋰離子二次電池的情況下，電池特性的改善變得越來(lái)越重要。
2、作為提高電池特性的方法，例如，專利文獻(xiàn)1中記載了由鋁構(gòu)成且表面存在氟的電極用集流體。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2017-183256號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題
2、本公開的目的在于，提供能夠?qū)崿F(xiàn)電池的循環(huán)特性的提高和集流箔的腐蝕的抑制的電極材料用表面處理劑、正極活性物質(zhì)、集流箔、負(fù)極活性物質(zhì)、導(dǎo)電助劑、電極、電池、正極活性物質(zhì)的制造方法、集流箔的制造方法、負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法、導(dǎo)電助劑的制造方法和電極的制造方法。
3、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
4、本公開(1)為具有吡啶骨架和氟的電極材料用表面處理劑。
5、本公開(2)為本公開(1)所述的電極材料用表面處理劑，其為n-氟吡啶鎓化合物或氟化鹵素·吡啶·hf復(fù)合物。
6、本公開(3)為本公開(2)所述的電極材料用表面處理劑
7、本公開(4)為本公開(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑，其用于正極活性物質(zhì)、集流箔、負(fù)極活性物質(zhì)、導(dǎo)電助劑或電極。
8、本公開(5)為利用本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的正極活性物質(zhì)。
9、本公開(6)為利用本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的集流箔。
10、本公開(7)為利用本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的負(fù)極活性物質(zhì)。
11、本公開(8)為利用本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的導(dǎo)電助劑。
12、本公開(9)為包含選自本公開(5)所述的正極活性物質(zhì)、本公開(6)所述的集流箔和本公開(8)所述的導(dǎo)電助劑中的至少一種的電極。
13、本公開(10)為包含選自本公開(7)所述的負(fù)極活性物質(zhì)、本公開(6)所述的集流箔和本公開(8)所述的導(dǎo)電助劑中的至少一種的電極。
14、本公開(11)為包含本公開(9)或(10)所述的電極的電池。
15、本公開(12)為本公開(5)所述的正極活性物質(zhì)的制造方法，其中，使包含本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與正極活性物質(zhì)接觸。
16、本公開(13)為本公開(6)所述的集流箔的制造方法，其中，使包含本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與集流箔接觸。
17、本公開(14)為本公開(7)所述的負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法，其中，使包含本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與負(fù)極活性物質(zhì)接觸。
18、本公開(15)為本公開(8)所述的導(dǎo)電助劑的制造方法，其中，使包含本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與導(dǎo)電助劑接觸。
19、本公開(16)為電極的制造方法，其中，使包含本公開(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與包含集流箔和正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)的電極接觸。
20、專利技術(shù)效果
21、根據(jù)本公開，能夠提供能夠?qū)崿F(xiàn)電池的循環(huán)特性的提高和集流箔的腐蝕的抑制的電極材料用表面處理劑、正極活性物質(zhì)、集流箔、負(fù)極活性物質(zhì)、導(dǎo)電助劑、電極、電池、正極活性物質(zhì)的制造方法、集流箔的制造方法、負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法、導(dǎo)電助劑的制造方法和電極的制造方法。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種電極材料用表面處理劑，其特征在于，具有吡啶骨架和氟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極材料用表面處理劑，其中，所述電極材料用表面處理劑為N-氟吡啶鎓化合物或氟化鹵素·吡啶·HF復(fù)合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極材料用表面處理劑，其中，所述N-氟吡啶鎓化合物為1,1′-二氟-2,2′-聯(lián)吡啶雙(四氟硼酸鹽)，所述氟化鹵素·吡啶·HF復(fù)合物為IF5·吡啶·HF復(fù)合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑，其中，所述電極材料用表面處理劑用于正極活性物質(zhì)、集流箔、負(fù)極活性物質(zhì)、導(dǎo)電助劑或電極。
5.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的正極活性物質(zhì)。
6.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的集流箔。
7.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的負(fù)極活性物質(zhì)。
8.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的導(dǎo)電助劑。
9.一種電極，其特征在于，包含選自權(quán)利要求5所述的
10.一種電極，其特征在于，包含選自權(quán)利要求7所述的負(fù)極活性物質(zhì)、權(quán)利要求6所述的集流箔和權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電助劑中的至少一種。
11.一種電池，其特征在于，包含權(quán)利要求9或10所述的電極。
12.權(quán)利要求5所述的正極活性物質(zhì)的制造方法，其特征在于，使包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與正極活性物質(zhì)接觸。
13.權(quán)利要求6所述的集流箔的制造方法，其特征在于，使包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與集流箔接觸。
14.權(quán)利要求7所述的負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法，其特征在于，使包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與負(fù)極活性物質(zhì)接觸。
15.權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電助劑的制造方法，其特征在于，使包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與導(dǎo)電助劑接觸。
16.一種電極的制造方法，其特征在于，使包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑的溶液與電極接觸，所述電極包含集流箔以及正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)。
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
1.一種電極材料用表面處理劑，其特征在于，具有吡啶骨架和氟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極材料用表面處理劑，其中，所述電極材料用表面處理劑為n-氟吡啶鎓化合物或氟化鹵素·吡啶·hf復(fù)合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極材料用表面處理劑，其中，所述n-氟吡啶鎓化合物為1,1′-二氟-2,2′-聯(lián)吡啶雙(四氟硼酸鹽)，所述氟化鹵素·吡啶·hf復(fù)合物為if5·吡啶·hf復(fù)合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑，其中，所述電極材料用表面處理劑用于正極活性物質(zhì)、集流箔、負(fù)極活性物質(zhì)、導(dǎo)電助劑或電極。
5.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的正極活性物質(zhì)。
6.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的集流箔。
7.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的負(fù)極活性物質(zhì)。
8.利用權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電極材料用表面處理劑進(jìn)行了處理的導(dǎo)電助劑。
9.一種電極，其特征在于，包含選自權(quán)利要求5所述的正極活性物質(zhì)、權(quán)利要求6所述的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：藤原花英，山崎穰輝，寺田純平，雷內(nèi)·杰克爾斯基，多米尼克·布雷瑟，馬蒂亞斯·昆澤爾，阿雷費(fèi)·卡扎齊，維杜爾·庫(kù)馬爾，斯特凡諾·帕塞里尼，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：大金工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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