【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及磷化銦晶體制備，特別是一種用于生長磷化銦晶體的坩堝。
技術介紹
1、磷化銦(inp)作為第二代化合物半導體材料之一，是生長三元合金ingaas和四元合金ingaasp的理想襯底材料；因其禁帶寬度大和電子遷移率高等優越性能被廣泛應用于發光二極管、光通信、微波器件、毫米波器件、抗輻射太陽能電池等眾多
2、目前制備磷化銦晶體大多采用垂直梯度凝固法(vgf)和液封直拉法(lec)這兩種方法，而采用的坩堝材質絕大多數為石英、石墨和氮化硼等，石英坩堝存在熱導率低和會引入硅雜質等問題；石墨雖然熱導率高，但是石墨表面容易脫粉造成污染；pbn坩堝因其純度高，熱穩定性好，成為了inp生長坩堝的首選材料；但其在“c”向熱傳導率只有2.6w/m·k左右，沿坩堝橫向厚度方傳熱極低，導致橫向方向有較大的溫度差，使得生長得到的磷化銦晶體內應力大，位錯多，晶格也容易產生畸變。
技術實現思路
1、本專利技術提出一種用于生長磷化銦晶體的坩堝及磷化銦晶體制備方法，解決了現有技術中生長得到的磷化銦晶體內應力大，位錯多，晶格也容易產生畸變的問題。本專利技術的技術方案是這樣實現的：
2、一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，包括載體坩堝和金剛石涂覆層/涂敷體，所述金剛石涂覆層/涂敷體設置于所述載體坩堝的內表面，所述載體坩堝材質為石墨、石英、碳化硅或氮化硼中的任意一種，所述金剛石涂覆層或者所述金剛石涂敷體表面所設置的金剛石涂覆層的厚度為d，則0.5μm≤d≤100μm。
3、
4、作為一種優選的技術方案，金剛石坩堝的尺寸為4英寸，高度為300mm。
5、作為一種優選的技術方案，金剛石坩堝，脫模后獲得金剛石坩堝厚度為0.6mm。
6、作為一種優選的技術方案，一種用于生長磷化銦晶體的坩堝采用垂直梯度凝固法生長磷化銦晶體。
7、作為一種優選的技術方案，石英坩堝本體和涂敷于其內表面的金剛石膜，所述石英坩堝本體的內表面通過化學氣相沉積法沉積一層金剛石膜。
8、作為一種優選的技術方案，金剛石坩堝的尺寸為6英寸，高度為200mm。
9、作為一種優選的技術方案，金剛石復合物坩堝的金剛石膜厚度為50μm。
10、作為一種優選的技術方案，一種用于生長磷化銦晶體的坩堝采用液封提拉法生長磷化銦晶體。
11、相比于現有技術，本方案具有以下有益效果：利用金剛石的高熱導率、熱穩定性好、化學溫定性好和表面光滑等優點，現有技術中生長得到的磷化銦晶體內應力大，位錯多，晶格也容易產生畸變的問題使用本方案中的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝所制得的磷化銦晶體內應力小，位錯密度低，晶格不發生畸變，單晶良率高的優點。
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1.一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，包括載體坩堝和金剛石涂覆層/涂敷體，所述金剛石涂覆層/涂敷體設置于所述載體坩堝的內表面，所述載體坩堝材質為石墨、石英、碳化硅或氮化硼中的任意一種，所述金剛石涂覆層或者所述金剛石涂敷體表面所設置的金剛石涂覆層的厚度為d，則0.5μm≤d≤100μm。
2.如權利要求1所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，包括內層金剛石坩堝和外層石英安瓿瓶，所述金剛石坩堝的內表面通過化學氣相沉積法沉積一層金剛石膜。
3.如權利要求2所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述金剛石坩堝的尺寸為4英寸，高度為300mm。
4.如權利要求2所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述金剛石坩堝，脫模后獲得金剛石坩堝厚度為0.6mm。
5.如權利要求2所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述一種用于生長磷化銦晶體的坩堝采用垂直梯度凝固法生長磷化銦晶體。
6.如權利要求1所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，包括石英坩堝本體和涂敷于其內表面的金剛石膜，所述
7.如權利要求6所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述金剛石坩堝的尺寸為6英寸，高度為200mm。
8.如權利要求6所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述金剛石復合物坩堝的金剛石膜厚度為50μm。
9.如權利要求6所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述一種用于生長磷化銦晶體的坩堝采用液封提拉法生長磷化銦晶體。
...【技術特征摘要】
1.一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，包括載體坩堝和金剛石涂覆層/涂敷體，所述金剛石涂覆層/涂敷體設置于所述載體坩堝的內表面，所述載體坩堝材質為石墨、石英、碳化硅或氮化硼中的任意一種，所述金剛石涂覆層或者所述金剛石涂敷體表面所設置的金剛石涂覆層的厚度為d，則0.5μm≤d≤100μm。
2.如權利要求1所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，包括內層金剛石坩堝和外層石英安瓿瓶，所述金剛石坩堝的內表面通過化學氣相沉積法沉積一層金剛石膜。
3.如權利要求2所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述金剛石坩堝的尺寸為4英寸，高度為300mm。
4.如權利要求2所述的一種用于生長磷化銦晶體的坩堝，其特征在于，所述金剛石坩堝，脫模后獲得金剛石坩堝厚度為0.6m...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盧鵬薦，曾小龍，張林，趙平，李鵬武，袁珊珊，
申請(專利權)人：武漢拓材科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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