一種增大產品過流能力的框架結構制造技術

本技術公開了一種增大產品過流能力的框架結構，包括采用框架原料制成的若干個封裝引腳和承載芯片的基島，若干個封裝引腳都布置在基島周圍，按照芯片所需核電源和直流電源的要求，將基島與周圍的多個封裝引腳合并形成承受核電源的第一焊盤結構，將周圍的多個封裝引腳合并形成一個或多個用來承受芯片的VCCC電源或芯片的VO輸出的第二焊盤結構。優點，本技術，采用增強焊盤結構，將基島與封裝引腳做合并，相同電源的封裝引腳做合并，從而極大的增加封裝上電源、地過流能力，同時也增強封裝散熱能力。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及半導體封裝，具體為一種增大產品過流能力的框架結構。

技術介紹

1、目前的芯片塑封框架，基島和封裝引腳相對獨立，封裝引腳與封裝引腳之間也是完全獨立，導致大電流芯片在塑封上無法實現強大過流能力。只能依賴陶瓷封裝和金屬封裝，而陶瓷封裝和金屬封裝的成本又讓封裝無法接受。

技術實現思路

1、本技術提出一種增大產品過流能力的框架結構，采取的技術方案：

2、一種增大產品過流能力的框架結構，采用框架原料制成的若干個封裝引腳（1）和承載芯片的基島（2），若干個封裝引腳（1）都布置在基島（2）周圍，按照芯片所需核電源和直流電源的要求，將基島（2）與周圍的多個封裝引腳（1）合并形成承受核電源的第一焊盤結構（3），將周圍的多個封裝引腳（1）合并形成一個或多個用來承受芯片的vccc電源或芯片的vo輸出的第二焊盤結構（4）。

3、本技術的增大產品過流能力的框架結構，采用增強焊盤結構，將基島與封裝引腳做合并，相同電源的封裝引腳做合并，從而極大的增加封裝上電源、地過流能力，同時也增強封裝散熱能力。

4、對本技術技術方案的優選，基島（2）與周圍的多個封裝引腳（1）焊接一起形成第一焊盤結構（3）。

5、對本技術技術方案的優選，周圍的多個封裝引腳（1）焊接在一起形成一個或多個第二焊盤結構（4）。

6、本技術與現有技術相比的有益效果是：

7、本技術的增大產品過流能力的框架結構，適用于單層特殊框架結構，只針對具有大電流和超大電流特性的芯片；主要方式為通過傳統框架的焊盤間合并連通，形成一個超大面積的電源、地焊盤，解決傳統wirebond產品的大電流需求。

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【技術保護點】

1.一種增大產品過流能力的框架結構，包括采用框架原料制成的承載芯片的基島（2）和若干個封裝引腳（1），其特征在于：若干個封裝引腳（1）都布置在基島（2）周圍，按照芯片所需核電源和直流電源的要求，將基島（2）與周圍的多個封裝引腳（1）合并形成承受核電源的第一焊盤結構（3），將周圍的多個封裝引腳（1）合并形成一個或多個用來承受芯片的VCCC電源或芯片的VO輸出的第二焊盤結構（4）。

2.根據權利要求1所述的一種增大產品過流能力的框架結構，其特征在于：基島（2）與周圍的多個封裝引腳（1）焊接一起形成第一焊盤結構（3）。

3.根據權利要求1所述的一種增大產品過流能力的框架結構，其特征在于：周圍的多個封裝引腳（1）焊接在一起形成一個或多個第二焊盤結構（4）。

【技術特征摘要】

1.一種增大產品過流能力的框架結構，包括采用框架原料制成的承載芯片的基島（2）和若干個封裝引腳（1），其特征在于：若干個封裝引腳（1）都布置在基島（2）周圍，按照芯片所需核電源和直流電源的要求，將基島（2）與周圍的多個封裝引腳（1）合并形成承受核電源的第一焊盤結構（3），將周圍的多個封裝引腳（1）合并形成一個或多個用來承受芯片的vccc電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：田立方，張韜，
申請(專利權)人：江蘇華創微系統有限公司，
類型：新型
國別省市：