【技術實現步驟摘要】
本技術涉及微波無源器件，尤其涉及一種高帶外抑制的小型化ltcc環行器。
技術介紹
1、環行器是一種無源、非互易鐵氧體器件，能夠控制信號單向環行傳輸，用來實現級間隔離、天線共用等問題。傳統環行器由于電路設計的局限性，存在由二三次諧波導致帶外性能相對較差的問題。若環行器具有適當的濾波功能，實現一定的帶外諧波抑制，可減小系統濾波器的用量，實現系統小型化和輕量化。為了改善環行器諧波頻段性能，通常有以下兩種途徑：第一種方法是減小鐵氧體在外偏置磁場和微波場作用下的諧波激發；第二種方法是抑制由鐵氧體產生和其它外部非線性器件的諧波分量。第一種方法涉及到環行器旋磁基片材料的選擇與優化，該方法通常受器件尺寸和帶內性能的制約，可以變化的范圍較窄，無法從根本上實現帶外良好的諧波抑制特性。第二種方法涉及在環行器的匹配輸出回路中將匹配電路設計為低通濾波器(lpf)來增大諧波分量的衰減，這種lpf會形成額外的插入損耗，并受器件尺寸限制。
2、ltcc技術作為一種多層布線基板技術，具有封裝密度高、射頻特性好、可靠性高等優點。將該技術引入鐵氧體環行器中，有助于克服現有鐵氧體環行器在諧波抑制上的結構缺點和設計缺點。
技術實現思路
1、本技術所要解決的技術問題是：提供一種高帶外抑制的小型化ltcc環行器。
2、為了解決上述技術問題，本技術采用的技術方案為：一種高帶外抑制的小型化ltcc環行器，包括：
3、環行器層，所述環行器層包括中心鐵氧體和套設在所述中心鐵氧體上的介質環，所述環行器
4、濾波器層，所述濾波器層包括具有疊層架構的介質板，所述介質板的頂面與所述第一金屬接地層固定連接，所述介質板的底面設有第二金屬接地層，所述介質板內設有三個低通濾波器，三個所述低通濾波器與三個所述枝節一一對應，所述低通濾波器包括濾波器電路結構和圍繞所述濾波器電路結構設置的多個接地結構，所述接地結構導通所述第一金屬接地層和第二金屬接地層，所述第二金屬接地層具有對應于三個所述濾波器電路結構設置的三個避空區，所述濾波器電路結構包括接地導體和金屬導體，所述接地導體與所述第一金屬接地層導通，所述金屬導體與所述枝節導通，所述金屬導體的部分區域外露于所述避空區以形成饋電端口。
5、進一步地，所述介質環內設有導通結構，所述枝節通過所述導通結構與所述金屬導體導通。
6、進一步地，所述導通結構為金屬化孔或填充有導電填料的通孔。
7、進一步地，所述接地結構為金屬化孔或填充有導電填料的通孔。
8、進一步地，所述環行器層、第一金屬接地層、濾波器層及第二金屬接地層通過ltcc工藝成型為一體式結構。
9、進一步地，所述中心鐵氧體為低溫燒結旋磁鐵氧體，其相對介電常數為22～28，4πms為800～1200gs。
10、進一步地，所述介質環為低溫燒結介電陶瓷環，其相對介電常數為20～40。
11、進一步地，所述介質板為低溫燒結介電陶瓷板，其相對介電常數為4.5～10。
12、進一步地，所述中心導體的材質為金、銀或銀鈀合金；和/或，
13、所述濾波器電路結構的材質為金、銀或銀鈀合金；和/或，
14、所述第一金屬接地層的材質為金、銀或銀鈀合金；和/或，
15、所述第二金屬接地層的材質為金、銀或銀鈀合金。
16、進一步地，所述中心導體印刷成型在所述環行器層的頂面。
17、本技術的有益效果在于：本環行器利用ltcc工藝的疊層結構將低通濾波器有效結合于環行器中，改善了環行器諧波頻段的性能，使環行器在帶外頻段具有較高的帶外抑制能力，同時，在滿足一定帶內性能的同時實現了器件的小型化。
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1.一種高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，包括
2.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述介質環內設有導通結構，所述枝節通過所述導通結構與所述金屬導體導通。
3.根據權利要求2所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述導通結構為金屬化孔或填充有導電填料的通孔。
4.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述接地結構為金屬化孔或填充有導電填料的通孔。
5.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述環行器層、第一金屬接地層、濾波器層及第二金屬接地層通過LTCC工藝成型為一體式結構。
6.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述中心鐵氧體為低溫燒結旋磁鐵氧體，其相對介電常數為22～28，4πMs為800～1200Gs。
7.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述介質環為低溫燒結介電陶瓷環，其相對介電常數為20～40。
8.根據權利
9.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，
10.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化LTCC環行器，其特征在于，所述中心導體印刷成型在所述環行器層的頂面。
...【技術特征摘要】
1.一種高帶外抑制的小型化ltcc環行器，其特征在于，包括
2.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化ltcc環行器，其特征在于，所述介質環內設有導通結構，所述枝節通過所述導通結構與所述金屬導體導通。
3.根據權利要求2所述的高帶外抑制的小型化ltcc環行器，其特征在于，所述導通結構為金屬化孔或填充有導電填料的通孔。
4.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化ltcc環行器，其特征在于，所述接地結構為金屬化孔或填充有導電填料的通孔。
5.根據權利要求1所述的高帶外抑制的小型化ltcc環行器，其特征在于，所述環行器層、第一金屬接地層、濾波器層及第二金屬接地層通過ltcc工藝成型為一體式結構。
6.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐遠勇，彭華，張偉，唐浩，倪晶，
申請(專利權)人：深圳市華揚通信技術有限公司，
類型：新型
國別省市：
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