【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于液晶顯示，具體是指一種改善面板tp橫紋的薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置。
技術(shù)介紹
1、當(dāng)今，tddi(觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成)已是主流的顯示面板集成方案，tddi帶來(lái)一種統(tǒng)一的系統(tǒng)架構(gòu)，原系統(tǒng)架構(gòu)顯示與觸控芯片分離，可能會(huì)導(dǎo)致一些顯示噪聲的存在，而tddi由于實(shí)現(xiàn)了統(tǒng)一的控制(圖1)，在信噪的管理方面會(huì)有更好的效果，其可提升整體感應(yīng)的靈敏度，減少顯示噪聲，提供一流的電容式觸控性能。tddi架構(gòu)使得顯示面板外型更薄，亮度大幅度提升，同時(shí)可降低制造成本并簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。
2、圖2是目前較為普遍tddi架構(gòu)設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)將ic電壓通過(guò)tp(觸控)走線跳層傳輸至tpblock(觸控矩塊)。由于tp走線線阻對(duì)充電能力的影響，會(huì)存在vcom訊號(hào)因閘極訊號(hào)耦合作用而偏離準(zhǔn)位的情況。通常，在時(shí)序正反轉(zhuǎn)的抵消下，這種情況不會(huì)出現(xiàn)。但tpblock邊界位置的耦合作用不可抵消，使得vcom訊號(hào)偏離偏離準(zhǔn)位，導(dǎo)致首尾位置pixel電壓與中間位置不同，并因此產(chǎn)生tp橫紋。由于tddi架構(gòu)的高度集成，伴隨而來(lái)的是更嚴(yán)苛的設(shè)計(jì)及制程要求，一些顯示不良問(wèn)題也隨之產(chǎn)生。其中tp橫紋，就是由于顯示屏中寄生電容耦合帶來(lái)的問(wèn)題之一。實(shí)際生產(chǎn)中，本專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn)閘極對(duì)vcom的影響會(huì)導(dǎo)致顯示畫(huà)面產(chǎn)生tp橫紋，為此本專利技術(shù)人提出一種tp設(shè)計(jì)方案，以改善上述顯示不良。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種改善面板tp橫紋的薄膜晶體管陣列基板。
2、本技術(shù)是這樣實(shí)現(xiàn)的：
4、進(jìn)一步地，所述公共電極層的材質(zhì)為ito。
5、一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的薄膜晶體管陣列基板。
6、本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于：
7、本技術(shù)將公共電極層的tpblock上下界面設(shè)計(jì)成齒狀凹凸，使一個(gè)tp?block上下兩行的pixel/sub?pixel交錯(cuò)顯示，從而達(dá)到將tp橫紋模糊化，改善不良畫(huà)面視效。
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1.一種改善面板TP橫紋的薄膜晶體管陣列基板，包括：公共電極層，所述公共電極層包括M行N列的觸控矩塊；其特征在于：每個(gè)所述觸控矩塊所在的公共電極的上下交界處的圖案為凹凸相間的齒狀，上下兩個(gè)所述觸控矩塊所在的公共電極通過(guò)凹凸相間的齒狀相嚙合。
2.如權(quán)利要求1所述的一種改善面板TP橫紋的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述公共電極層的材質(zhì)為ITO。
3.一種顯示裝置，其特征在于：所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種改善面板tp橫紋的薄膜晶體管陣列基板，包括：公共電極層，所述公共電極層包括m行n列的觸控矩塊；其特征在于：每個(gè)所述觸控矩塊所在的公共電極的上下交界處的圖案為凹凸相間的齒狀，上下兩個(gè)所述觸控矩塊所在的公共電極通過(guò)凹凸相間的齒狀...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：余起榮，黃濤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華映科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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