【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開的實(shí)施例是關(guān)于用于在納米結(jié)構(gòu)上沉積基于碳的膜的方法。具體而言，本公開的實(shí)施例涉及沉積基于碳的膜以改進(jìn)圖案化的euv光刻膠的線邊緣粗糙度及/或線寬粗糙度(line?width?roughness;?lwr)的方法。
技術(shù)介紹
1、光刻術(shù)采用光刻膠（其為光敏膜）將負(fù)或正影像轉(zhuǎn)印到基板（例如，半導(dǎo)體晶片）上。在用光刻膠涂布基板之后，將經(jīng)涂布的基板暴露于活化輻射源，此導(dǎo)致在表面的暴露區(qū)域中的化學(xué)轉(zhuǎn)換。取決于所采用的光刻膠的類型，經(jīng)光刻膠涂布的基板隨后用顯影劑溶液處理以溶解或以其他方式移除經(jīng)涂布的基板的暴露于輻射的區(qū)域或未暴露區(qū)域。
2、然而，用于產(chǎn)生具有三十納米或更小的大小的特征的平版印刷技術(shù)存在數(shù)個缺點(diǎn)。例如，鑒于在此范圍中通常需要的緊縮尺寸公差，例如，抗蝕劑膜的分子組分的尺度量級的公差，借由此種技術(shù)產(chǎn)生的抗蝕劑膜的線寬變化可過大而不可接受。此種線寬變化可分類為線邊緣粗糙度(line?edge?roughness;?ler)及/或線寬粗糙度(lwr)。
3、線邊緣粗糙度及線寬粗糙度反映線寬波動，這些波動可導(dǎo)致裝置特性變化。由于集成電路的關(guān)鍵尺寸持續(xù)收縮，線寬波動將在平版印刷術(shù)的關(guān)鍵尺寸(criticaldimension;?cd)誤差預(yù)算中發(fā)揮日漸重要的作用。在抗蝕劑圖案中的ler及l(fā)wr的若干可疑來源包括主光罩質(zhì)量、空間影像質(zhì)量、及抗蝕劑材料性質(zhì)。
4、極紫外(extreme?ultraviolet;?euv)平版印刷術(shù)(euvl)顯示出作為下一代平版印刷的技術(shù)前景。euv技術(shù)的當(dāng)前關(guān)鍵挑戰(zhàn)
5、由此，在本領(lǐng)域中持續(xù)需要降低euv光刻膠圖案的線邊緣粗糙度的替代方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的一個或多個實(shí)施例涉及一種沉積含碳膜的方法。該方法包括：使第一前驅(qū)物在包含圖案化表面的euv光刻膠上方流動以在圖案化表面上形成含碳膜的第一部分，該第一前驅(qū)物包含第一反應(yīng)性基團(tuán)；從euv光刻膠移除包含第一前驅(qū)物的第一前驅(qū)物流出物；使包含第二反應(yīng)性基團(tuán)的第二前驅(qū)物在euv光刻膠上方流動以與第一反應(yīng)性基團(tuán)反應(yīng)來在圖案化表面上保形地形成含碳膜；以及從euv光刻膠移除包含第二前驅(qū)物的第二前驅(qū)物流出物。
2、本公開的另一實(shí)施例涉及一種沉積含碳膜的方法。該方法包括：使第一前驅(qū)物在包含圖案化表面的euv光刻膠上方流動，該第一前驅(qū)物具有通式r1-(x)n，其中r1包含下列中的一者或多者：烷基、烯基、芳基、芳族基團(tuán)、及環(huán)烷基，xn包含下列中的一者或多者：羥基、醛基、酮基、酸基、胺基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、及酰氯基，并且n是在從1至6的范圍中的整數(shù)，其中第一前驅(qū)物與圖案化表面上的反應(yīng)性基團(tuán)反應(yīng)以形成含碳膜的第一部分；從euv光刻膠移除包含第一前驅(qū)物的第一前驅(qū)物流出物；使第二前驅(qū)物在euv光刻膠上方流動，該第二前驅(qū)物具有通式r2-(y)n，其中r2包含下列中的一者或多者：烷基、烯基、芳基、芳族基團(tuán)、及環(huán)烷基，yn包含下列中的一者或多者：羥基、醛基、酮基、酸基、胺基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、及酰氯基，并且n是在從1至6的范圍中的整數(shù)，其中第二前驅(qū)物與第一部分反應(yīng)以形成保形的含碳膜；從euv光刻膠移除包含第二前驅(qū)物的第二前驅(qū)物流出物；以及蝕刻euv光刻膠以從圖案化表面的頂表面移除含碳膜的一部分。
3、本公開的另外實(shí)施例涉及一種降低euv光刻膠的線邊緣粗糙度(ler)的方法。在一個或多個實(shí)施例中，該方法包括在euv光刻膠的圖案化表面上分子層沉積含碳膜，其中分子層沉積包括：使第一前驅(qū)物在包含圖案化表面的euv光刻膠上方流動以在圖案化表面上形成含碳膜的第一部分，該第一前驅(qū)物包含第一反應(yīng)性基團(tuán)；從euv光刻膠移除包含第一前驅(qū)物的第一前驅(qū)物流出物；使包含第二反應(yīng)性基團(tuán)的第二前驅(qū)物在euv光刻膠上方流動以與第一反應(yīng)性基團(tuán)反應(yīng)來在圖案化表面上保形地形成含碳膜；以及從euv光刻膠移除包含第二前驅(qū)物的第二前驅(qū)物流出物，其中含碳膜在euv光刻膠的側(cè)壁上形成并且降低線邊緣粗糙度(ler)。
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1.一種沉積含碳膜的方法，所述方法包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物具有通式R1-(X)n
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二前驅(qū)物具有通式R2-(Y)n
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物獨(dú)立地選自下列中的一者或多者：對苯二甲醛、苯二胺、乙二胺、六亞甲基二胺、對苯二甲酰氯、1,3,5-苯三酰三氯、苯均四酸二酐、苯-1,3,5-三甲醛、1,4-伸苯基二異氰酸酯、4,4'-氧二苯胺、及三(2-胺基乙基)胺。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物包含對苯二甲醛并且所述第二前驅(qū)物包含苯二胺。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：蝕刻所述圖案化表面以從所述圖案化表面的頂表面移除所述含碳膜的一部分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：重復(fù)所述方法以形成具有在從0.1nm至50?nm的范圍中的厚度的所述含碳膜。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述含碳膜具有在從1?nm至5?nm的范圍中的厚度。
9.
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖案化表面是EUV光刻膠圖案。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述圖案化表面包含心軸。
12.一種沉積含碳膜的方法，所述方法包括以下步驟：
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物獨(dú)立地選自下列中的一者或多者：對苯二甲醛、苯二胺、乙二胺、六亞甲基二胺、對苯二甲酰氯、1,3,5-苯三酰三氯、苯均四酸二酐、苯-1,3,5-三甲醛、1,4-伸苯基二異氰酸酯、4,4'-氧二苯胺、及三(2-胺基乙基)胺。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物包含對苯二甲醛并且所述第二前驅(qū)物包含苯二胺。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中移除所述第一前驅(qū)物的步驟包括以下步驟：
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述圖案化表面是EUV光刻膠圖案，并且所述含碳膜在側(cè)壁上形成且降低線邊緣粗糙度(LER)。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述圖案化表面包含心軸。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：重復(fù)所述方法以形成具有在從0.1?nm至50?nm的范圍中的厚度的所述含碳膜。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述含碳膜具有在從1?nm至5?nm的范圍中的厚度。
20.一種降低EUV光刻膠的線邊緣粗糙度(LER)的方法，所述方法包括以下步驟：在所述EUV光刻膠的圖案化表面上分子層沉積含碳膜，其中所述分子層沉積的步驟包括以下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種沉積含碳膜的方法，所述方法包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物具有通式r1-(x)n
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二前驅(qū)物具有通式r2-(y)n
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物獨(dú)立地選自下列中的一者或多者：對苯二甲醛、苯二胺、乙二胺、六亞甲基二胺、對苯二甲酰氯、1,3,5-苯三酰三氯、苯均四酸二酐、苯-1,3,5-三甲醛、1,4-伸苯基二異氰酸酯、4,4'-氧二苯胺、及三(2-胺基乙基)胺。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一前驅(qū)物包含對苯二甲醛并且所述第二前驅(qū)物包含苯二胺。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：蝕刻所述圖案化表面以從所述圖案化表面的頂表面移除所述含碳膜的一部分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：重復(fù)所述方法以形成具有在從0.1nm至50?nm的范圍中的厚度的所述含碳膜。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述含碳膜具有在從1?nm至5?nm的范圍中的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述第一前驅(qū)物的步驟包括以下步驟：
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖案化表面是euv光刻膠圖案。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述圖案化表面包...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王新科，沈澤青，蘇米特·辛格·羅伊，阿卜希吉特·巴蘇·馬爾利克，巴斯卡爾·喬蒂·布雅，唐杰叢，約翰·蘇迪約諾，馬克·薩利，
申請(專利權(quán))人：應(yīng)用材料公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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