【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體檢測，特別是涉及一種芯片狀態檢測方法。
技術介紹
1、在芯片檢測中，會采用激光掃描的方式對料盤上各個坑位中的芯片狀態進行測量，以便于芯片檢測的后續操作，例如與其他結構配合，實現芯片檢測。因此，從芯片檢測角度考慮，芯片狀態測量的效率將會直接影響到整個檢測效率。
2、然后，目前大多測量方式需要得到物體表面信息后往往需要測量距離、角度、平面等多種數據，雖然可以得到精準的計算結果，但是涉及到的步驟較多，需要考慮的參數影響也較多，反而導致測量效率較低。亦或者是，在得到測量結果后，還需要進行對機械手進行校準或者補償，才可以與其他結構配合。
技術實現思路
1、基于此，有必要提供一種檢測方法，能夠及時反饋芯片在載具盤坑位內的狀態，便于載具盤及時與其他結構相適配，且可以滿足不同工位的芯片狀態檢測，降低檢測成本。
2、一種芯片狀態檢測方法，包括以下步驟：
3、移動激光位移傳感器，使其依次經過料盤工位上的各個坑位，并記錄料盤工位中各個坑位對應的檢測高度；
4、獲取任意兩個坑位對應的檢測高度，以其中一個坑位為目標坑位并對應目標坑位高度z51，另一坑位為實際坑位并對應實際坑位高度z52；
5、以目標坑位中的芯片狀態為基準，對比目標坑位高度z51與實際坑位高度z52，以獲得實際坑位中的芯片狀態。
6、可以理解的是，通過相對料盤工位移動激光位移傳感器的方式，以便將激光位移傳感器移動至不同的料盤工位，滿足不同工位處的芯片狀態檢
7、在其中一些實施例中，所述以目標坑位中的芯片狀態為基準，對比目標坑位高度z51與實際坑位高度z52，以獲得實際坑位中的芯片狀態包括：
8、獲取對比閾值范圍；
9、獲取所述目標坑位高度z51與所述實際坑位高度z52之間的對比差值|z51-z52|；
10、將對比差值與對比閾值范圍進行對比，以判斷實際坑位中的芯片狀態。
11、在其中一些實施例中，所述對比閾值范圍以不同閾值作為對比基準，所述不同閾值為所述目標坑位高度z51和所述實際坑位高度z52不同時，計算得到的理論差值；
12、所述將對比差值與對比閾值范圍進行對比，以判斷實際坑位中的芯片狀態包括：在所述對比差值與所述對比閾值范圍相匹配的情況下，所述實際坑位中的芯片狀態與所述目標坑位中的芯片狀態不同；在所述對比差值與所述對比閾值范圍不匹配的情況下，所述實際坑位中的芯片狀態與所述目標坑位中的芯片狀態相同。
13、在其中一些實施例中，所述獲取對比閾值范圍包括：
14、獲取單個芯片的芯片厚度；
15、獲取坑位內放置有芯片時，距離芯片上表面的第一檢測高度；
16、獲取坑位未放置芯片時，距離坑位底面的第二檢測高度；
17、對比所述第一檢測高度和所述第二檢測高度，得到檢測差值；
18、對比所述芯片厚度和所述檢測差值，并對所述檢測差值進行有效范圍內的增大和縮減，以獲得臨界最大值和臨界最小值；
19、則所述對比閾值范圍為所述臨界最小值至所述臨界最大值。
20、在其中一些實施例中，所述芯片狀態包括無料狀態和有料狀態；
21、所述以目標坑位中的芯片狀態為基準，對比目標坑位高度z51與實際坑位高度z52，以獲得實際坑位中的芯片狀態包括：
22、所述目標坑位處于所述有料狀態：若是所述對比差值與所述對比閾值范圍相匹配，則所述實際坑位處于所述無料狀態；若是所述對比差值與所述對比閾值范圍不匹配，且小于所述對比閾值范圍，則所述實際坑位處于所述有料狀態；
23、所述目標坑位處于所述無料狀態：若是所述對比差值與所述對比閾值范圍相匹配，所述實際坑位處于所述有料狀態；若是所述對比差值與所述對比閾值范圍不匹配，且小于所述對比閾值范圍，所述實際坑位處于所述無料狀態。
24、在其中一些實施例中，所述對比閾值范圍以相同閾值作為對比基準，所述相同閾值為所述目標坑位高度z51和所述實際坑位高度z52相同時，計算得到的理論差值；
25、所述將對比差值與對比閾值范圍進行對比，以判斷實際坑位中的芯片狀態包括：在所述對比差值與所述對比閾值范圍相匹配的情況下，所述實際坑位中的芯片狀態與所述目標坑位中的芯片狀態相同；在所述對比差值與所述對比閾值范圍不匹配的情況下，所述實際坑位中的芯片狀態與所述目標坑位中的芯片狀態不相同。
26、在其中一些實施例中，所述芯片狀態包括無料狀態和有料狀態；
27、所述以目標坑位中的芯片狀態為基準，對比目標坑位高度z51與實際坑位高度z52，以獲得實際坑位中的芯片狀態包括：
28、所述目標坑位處于所述有料狀態：若是所述對比差值與所述對比閾值范圍相匹配，則所述實際坑位處于所述有料狀態；若是所述對比差值與所述對比閾值范圍不匹配，且大于所述對比閾值范圍，則所述實際坑位處于所述無料狀態；
29、所述目標坑位處于所述無料狀態：若是所述對比差值與所述對比閾值范圍相匹配，則所述實際坑位處于所述無料狀態；若是所述對比差值與所述對比閾值范圍不匹配，且大于所述對比閾值范圍，則所述實際坑位處于所述有料狀態。
30、在其中一些實施例中，在所述實際坑位處于無料狀態時，報警提醒；檢測停止并等待人工處理，或者，所述激光位移傳感器移動至下一個坑位，繼續檢測。
31、在其中一些實施例中，所述移動激光位移傳感器，使其依次經過料盤工位上的各個坑位，并記錄料盤工位中各個坑位對應的檢測高度：
32、選取所述坑位的中心點，以所述中心點作為各個所述坑位的實際檢測點；
33、移動所述激光位移傳感器至所述實際檢測點的上方，并向所述實際檢測點發射點激光，以獲取各個所述實際檢測點對應的實際檢測高度；
34、則所述坑位的檢測高度為對應所述實際檢測點的實際檢測高度。
35、在其中一些實施例中，所述移動激光位移傳感器，使其依次經過料盤工位上的各個坑位，并記錄料盤工位中各個坑位對應的檢測高度包括：
36、獲取各個所述坑位的對角線，在所述對角線上選取至少三個點作為實際檢測點；其中，各個所述實際檢測點分設于靠近所述對角線的頂點的位置處；
37、移動所述激光位移傳感器至各個所述實際檢測點的上方，并向各個所述實際檢測點發射點激光，以獲取各個所述實際檢測點對應的實際檢測高度；
38、則所述坑位的檢測高度為對應的各個所述實際檢測高度的平均值。
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1.一種芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述芯片狀態檢測方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述以目標坑位中的芯片狀態為基準，對比目標坑位高度Z51與實際坑位高度Z52，以獲得實際坑位中的芯片狀態包括：
3.根據權利要求2所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述對比閾值范圍以不同閾值作為對比基準，所述不同閾值為所述目標坑位高度Z51和所述實際坑位高度Z52不同時，計算得到的理論差值；
4.根據權利要求3所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述獲取對比閾值范圍包括：
5.根據權利要求3所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述芯片狀態包括無料狀態和有料狀態；
6.根據權利要求2所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述對比閾值范圍以相同閾值作為對比基準，所述相同閾值為所述目標坑位高度Z51和所述實際坑位高度Z52相同時，計算得到的理論差值；
7.根據權利要求6所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述芯片狀態包括無料狀態和有料狀態；
8.根據權利要求5或7所述的芯片狀態
9.根據權利要求1所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述移動激光位移傳感器，使其依次經過料盤工位上的各個坑位，并記錄料盤工位中各個坑位對應的檢測高度：
10.根據權利要求1所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述移動激光位移傳感器，使其依次經過料盤工位上的各個坑位，并記錄料盤工位中各個坑位對應的檢測高度包括：
...【技術特征摘要】
1.一種芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述芯片狀態檢測方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述以目標坑位中的芯片狀態為基準，對比目標坑位高度z51與實際坑位高度z52，以獲得實際坑位中的芯片狀態包括：
3.根據權利要求2所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述對比閾值范圍以不同閾值作為對比基準，所述不同閾值為所述目標坑位高度z51和所述實際坑位高度z52不同時，計算得到的理論差值；
4.根據權利要求3所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述獲取對比閾值范圍包括：
5.根據權利要求3所述的芯片狀態檢測方法，其特征在于，所述芯片狀態包括無料狀態和有料狀態；
6.根據權利要求2所述的芯片狀態檢測方法...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃先偉，嚴邦民，王煜鋒，包榮劍，萬楊，
申請(專利權)人：杭州長川科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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