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    太陽能電池及光伏組件制造技術

    技術編號:44280200 閱讀:7 留言:0更新日期:2025-02-14 22:18
    一種太陽能電池,包括硅基底、第一鈍化膜和第二鈍化膜。硅基底包括第一表面、與第一表面相對的第二表面以及連接第一表面和第二表面的側表面。第一鈍化膜位于第一表面且完全覆蓋第一表面。第二鈍化膜位于第二表面且局部覆蓋第二表面。第二鈍化膜由硅基底的周緣向硅基底的中心延伸形成不規則的環形。在硅基底的第一表面沉積鈍化膜,同時繞鍍到第二表面的邊緣區域,后續通過疊加第二表面的減反膜,能夠很好地解決電池制備時,背面外觀色差以及EL邊緣發黑等問題,同時第二表面沉積的鈍化膜對第二表面邊緣孔洞、過度蝕刻等缺陷進行鈍化,提升電池性能。本申請還提供包含該太陽能電池的光伏組件。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請涉及光伏,更具體的說,涉及一種太陽能電池及包括該種太陽能電池的光伏組件。


    技術介紹

    1、電池電致發光(electroluminescence,el)測試不良電池片會被判定為不良片,并進行降級或作為廢片處理。其中單晶電池片的黑點黑塊一直是導致行業內電池片el檢測不良的前三位,電池片在制造生產過程中較易引入各種缺陷造成,黑點黑塊為其中的一種缺陷,這些缺陷較多的分布在電池片的邊緣位置,嚴重影響了電池片的生產良率、效率和組件整體el。雖然可以通過正反面均沉積氧化鋁作為鈍化膜解決這一問題,但是該種方式通常一個硅片收納槽僅放置單張硅片,會導致電池制造的產能減半,降低了生產效率,提高了生產成本。


    技術實現思路

    1、鑒于此,本申請提供一種太陽能電池,包括:

    2、硅基底,包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面的側表面;

    3、第一鈍化膜,位于所述第一表面且完全覆蓋所述第一表面;

    4、第二鈍化膜,位于所述第二表面且局部覆蓋所述第二表面,所述第二鈍化膜由所述硅基底的周緣向所述硅基底的中心延伸形成不規則的環形。

    5、第二表面沉積的氧化鋁鈍化膜,對第二表面邊緣孔洞、過度蝕刻導致的缺陷進行鈍化,從而提升電池性能。電池片第二表面邊緣孔洞、過度蝕刻導致的缺陷分布為不規則的,所以,設置在電池片第二表面的第二鈍化膜采用不規則的環形進行鈍化。

    6、一些實施例中,所述側表面上還覆蓋有側面鈍化膜,所述側面鈍化膜完全覆蓋所述側表面。

    7、一些實施例中,所述第一鈍化膜和所述側面鈍化膜的厚度范圍為3nm-6nm。

    8、一些實施例中,所述第一鈍化膜的厚度大于或等于所述側面鈍化膜的厚度;和/或,

    9、所述第一鈍化膜和所述側面鈍化膜連接位置的鈍化膜的厚度小于所述第一鈍化膜的厚度;和/或,

    10、所述第一鈍化膜和所述側面鈍化膜連接位置的鈍化膜的厚度小于所述側面鈍化膜靠近第二表面位置的厚度。所述第一鈍化膜和所述側面鈍化膜連接位置的鈍化膜是指第一表面和側面二者連接拐角位置處的鈍化膜。

    11、一些實施例中,所述第二鈍化膜的厚度沿所述硅基底的周緣指向所述硅基底的中心方向減小直至為零。

    12、一些實施例中,所述第二鈍化膜包括依據厚度不同劃分的第一區域和第二區域,所述第一區域環繞并連接所述第二區域,所述第一區域的平均厚度大于所述第二區域的平均厚度。

    13、一些實施例中,所述第一區域由所述硅基底的周緣向所述硅基底的中心延伸的寬度為0.1mm-45mm,所述第一區域的厚度范圍為3nm-6nm;所述第二區域由所述第一區域向所述硅基底的中心延伸的寬度≤20mm,所述第二區域的厚度范圍為0-3nm。

    14、所述第一區域相較于所述第二區域更靠近所述硅基底的周緣,越靠近所述硅基底的周緣的位置存在的邊緣孔洞、過度蝕刻導致的缺陷更多,所述第一區域的鈍化膜更厚有利于更好的鈍化。但是,需要控制第二鈍化膜的厚度范圍,在上述厚度范圍內,既能滿足對第一區域和第二區域內的孔洞或者缺陷鈍化需求,又能夠避免整體第二鈍化膜厚度增加導致的背面外觀色差以及el邊緣發黑等問題。鈍化膜厚度不同呈現的顏色不同或者顏色深淺不同,通常鈍化膜厚度越厚,顏色越深,但鈍化效果越好,所以,將鈍化膜控制在上述范圍內,有利于減輕色差,色差較小,后續工藝中再經過減反膜覆蓋,能夠有效避免電池片外觀呈現色差。分區域的厚度設置也是在滿足鈍化要求的情況下盡可能縮小第一區域的設置面積。

    15、一些實施例中,由硅基底的周緣向硅基底的中心延伸方向上所述第一區域寬度是所述第二區域的寬度的1-2倍。

    16、一些實施例中,所述第一區域的厚度沿所述硅基底的周緣向所述硅基底的中心方向減小;

    17、所述第二區域的厚度沿所述硅基底的周緣向所述硅基底的中心方向減小直至為零。

    18、一些實施例中,所述硅基底為n型硅基底,所述太陽能電池還包括p型摻雜層,所述p型摻雜層位于所述硅基底和所述第一鈍化膜之間;

    19、所述太陽能電池還包括隧穿氧化層、n型摻雜多晶硅層、減反膜,所述隧穿氧化層、所述n型摻雜多晶硅層和所述第二鈍化膜由內到外依次位于所述第二表面,所述減反膜覆蓋位于所述第一鈍化膜背離所述硅基底的表面、所述第二鈍化膜和所述n型摻雜多晶硅層背離所述硅基底的表面;

    20、或者,所述硅基底為p型硅基底,所述太陽能電池還包括n型摻雜層,所述n型摻雜層位于所述硅基底和所述第一鈍化膜之間;

    21、所述太陽能電池還包括隧穿氧化層、p型摻雜多晶硅層、減反膜,所述隧穿氧化層、所述p型摻雜多晶硅層和所述第二鈍化膜由內到外依次位于所述第二表面,所述減反膜覆蓋位于所述第一鈍化膜背離所述硅基底的表面、所述第二鈍化膜和所述p型摻雜多晶硅層背離所述硅基底的表面。

    22、本申請還提供一種光伏組件,包括上述的至少一個太陽能電池。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述側表面上還覆蓋有側面鈍化膜,所述側面鈍化膜完全覆蓋所述側表面。

    3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,

    4.根據權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化膜和所述側面鈍化膜的厚度范圍為3nm-6nm。

    5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化膜的厚度沿所述硅基底的周緣指向所述硅基底的中心方向減小直至為零。

    6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化膜包括依據厚度不同劃分的第一區域和第二區域,所述第一區域環繞并連接所述第二區域,所述第一區域的平均厚度大于所述第二區域的平均厚度。

    7.根據權利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一區域的厚度沿所述硅基底的周緣向所述硅基底的中心方向減小;

    8.根據權利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一區域由所述硅基底的周緣向所述硅基底的中心延伸的寬度為0.1mm-45mm,所述第一區域的厚度范圍為3nm-6nm;所述第二區域由所述第一區域向所述硅基底的中心延伸的寬度≤20mm,所述第二區域的厚度范圍為0-3nm。

    9.根據權利要求1至8中任一項所述的太陽能電池,其特征在于,所述硅基底為N型硅基底,所述太陽能電池還包括P型摻雜層,所述P型摻雜層位于所述硅基底和所述第一鈍化膜之間;

    10.一種光伏組件,其特征在于:包括至少一個如權利要求1至9中任一項所述的太陽能電池。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述側表面上還覆蓋有側面鈍化膜,所述側面鈍化膜完全覆蓋所述側表面。

    3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,

    4.根據權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一鈍化膜和所述側面鈍化膜的厚度范圍為3nm-6nm。

    5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化膜的厚度沿所述硅基底的周緣指向所述硅基底的中心方向減小直至為零。

    6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二鈍化膜包括依據厚度不同劃分的第一區域和第二區域,所述第一區域環繞并連接所述第二區域,所述第一區域的平均厚度大于所述第二區域的平均厚度。<...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:白明華李慧姜海艷楚陽陽黨長偉朱惠君平飛林
    申請(專利權)人:西安隆基樂葉光伏科技有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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