【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種用于調節(jié)流體處理結構的獨立調節(jié)系統(tǒng)。
技術介紹
1、光刻設備是一種用于將所需圖案施加到襯底上的機器。光刻設備可用于制造集成電路(ic)。光刻設備可以例如將圖案形成裝置(例如，掩模)的圖案(也經常稱為“設計布局”或“設計”)投影到襯底(例如，晶片)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。已知的光刻設備包括所謂的步進機，其中每個目標部分通過一次將整個圖案曝光到目標部分上來照射，以及所謂的掃描儀，其中每個目標部分通過沿給定方向(“掃描”方向)通過輻射束掃描圖案來照射，同時同步地沿與該方向平行或反向平行的方向掃描襯底。
2、隨著半導體制造工藝的不斷進步，電路元件的尺寸不斷減小，而每個器件的功能元件(如晶體管)的數(shù)量幾十年來一直在穩(wěn)步增加，這一趨勢通常被稱為“摩爾定律”。為了跟上摩爾定律，半導體行業(yè)正在追逐能夠創(chuàng)建越來越小的特征的技術。為了將圖案投影到襯底上，光刻設備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長決定了在襯底上圖案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波長為365nm(i線)、248nm、193nm和13.5nm。
3、通過在曝光期間在襯底上提供具有相對高折射率的浸沒流體(例如水)，可以進一步提高較小特征的分辨率。浸沒流體的作用是能夠對較小特征進行成像，因為曝光輻射在流體中的波長比在氣體中的波長短。浸沒流體的作用也可以被視為增加系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(na)以及增加焦深。
4、流體可通過流體處理結構而被限制在光刻設備的投影系統(tǒng)與襯底之間的局部區(qū)域內。在光刻設備的操作過程中，需要適當?shù)乜刂平]流體的流
5、普遍需要改進維護和修理流體處理結構的技術。
技術實現(xiàn)思路
1、根據(jù)本專利技術的第一方面，提供了一種用于光刻設備的流體處理結構的獨立調節(jié)系統(tǒng)，包括：檢查系統(tǒng)，配置為檢查流體處理結構并確定要在流體處理結構的主表面上執(zhí)行的一種或多種不同調節(jié)類型；以及調節(jié)設備，配置為在流體處理結構的主表面上執(zhí)行所確定的一種或多種不同調節(jié)類型。
2、根據(jù)本專利技術的第二方面，提供了一種調節(jié)系統(tǒng)和流體處理結構；其中：調節(jié)系統(tǒng)根據(jù)第一方面；并且流體處理結構由調節(jié)系統(tǒng)所接納。
3、根據(jù)本專利技術的第三方面，提供了一種潔凈室中的裝置，包括：光刻設備；以及根據(jù)第一方面的調節(jié)系統(tǒng)。
4、根據(jù)本專利技術的第四方面，提供了一種用于再調節(jié)光刻設備的流體處理結構的方法，該方法包括：從光刻設備中移除流體處理結構；將流體處理結構提供應獨立的調節(jié)系統(tǒng)；檢查流體處理結構以確定要在流體處理結構的主表面上執(zhí)行的一種或多種不同調節(jié)類型；以及在流體處理結構的主表面上執(zhí)行所確定的一種或多種不同調節(jié)類型。
5、下面結合附圖對本專利技術的另外的實施例、特征和優(yōu)點以及本專利技術的各個實施例、特征和優(yōu)點的結構和操作進行詳細描述。
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1.一種用于光刻設備的流體處理結構的獨立調節(jié)系統(tǒng)，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述檢查系統(tǒng)被配置為檢查所述調節(jié)過程并實時生成所述調節(jié)過程的進度的指示，和/或其中所述檢查系統(tǒng)被配置為根據(jù)用戶預定義場景確定所述流體處理結構的所述調節(jié)何時完成并準備好使用，和/或其中所述檢查系統(tǒng)被配置為當所述流體處理結構的所述調節(jié)完成時生成通知，和/或其中所述檢查系統(tǒng)被配置為測量所述流體處理結構的特征的尺寸并將所測量的所述尺寸與參考數(shù)據(jù)進行比較，和/或其中當所述流體處理結構在光刻設備中使用時，所述流體處理結構的所述主表面是面向襯底的表面。
3.根據(jù)權利要求2所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述特征包括開口，并且所測量的所述尺寸包括以下中的一項或多項：所述開口的直徑、形狀和尺寸。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述調節(jié)設備包括主表面；并且
5.根據(jù)權利要求4所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述調節(jié)設備被配置為使得當所述流體處理結構被所述調節(jié)系統(tǒng)接納時，所述調節(jié)設備的所述主表面位于所述流體處理結構的所述主表面下方。
6.根據(jù)前述權利要求中
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的調節(jié)系統(tǒng)，還包括流體再循環(huán)系統(tǒng)；
8.根據(jù)權利要求7所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述流體再循環(huán)系統(tǒng)包括過濾器，所述過濾器被布置在其流體流動路徑中，用于收集所述流體中的污染物；并且
9.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述檢查系統(tǒng)還包括：
10.根據(jù)權利要求9所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所發(fā)射的所述光被配置為發(fā)射散射光。
11.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述調節(jié)系統(tǒng)包括：
12.一種調節(jié)系統(tǒng)和一種流體處理結構；其中：
13.一種潔凈室內的裝置，包括：
14.根據(jù)權利要求13所述的裝置，還包括用于將流體處理結構從所述光刻設備自動轉移到所述調節(jié)系統(tǒng)的傳送系統(tǒng)，和/或還包括所述流體處理結構；
15.一種用于修復光刻設備的流體處理結構的方法，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種用于光刻設備的流體處理結構的獨立調節(jié)系統(tǒng)，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述檢查系統(tǒng)被配置為檢查所述調節(jié)過程并實時生成所述調節(jié)過程的進度的指示，和/或其中所述檢查系統(tǒng)被配置為根據(jù)用戶預定義場景確定所述流體處理結構的所述調節(jié)何時完成并準備好使用，和/或其中所述檢查系統(tǒng)被配置為當所述流體處理結構的所述調節(jié)完成時生成通知，和/或其中所述檢查系統(tǒng)被配置為測量所述流體處理結構的特征的尺寸并將所測量的所述尺寸與參考數(shù)據(jù)進行比較，和/或其中當所述流體處理結構在光刻設備中使用時，所述流體處理結構的所述主表面是面向襯底的表面。
3.根據(jù)權利要求2所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述特征包括開口，并且所測量的所述尺寸包括以下中的一項或多項：所述開口的直徑、形狀和尺寸。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述調節(jié)設備包括主表面；并且
5.根據(jù)權利要求4所述的調節(jié)系統(tǒng)，其中所述調節(jié)設備被配置為使得當所述流體處理結構被所述調節(jié)系統(tǒng)接納時，所述調節(jié)設備的所述主表面位于所述流體處理結構的所述主表面下方。...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：G·L·加托比吉奧，Y·M·勞，SM·樸，
申請(專利權)人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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