【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路，特別是涉及移相器、一體化收發通道和相控陣系統。
技術介紹
1、移相器是多波束相控陣前端芯片中一個不可缺少的電路模塊，是多波束相控陣系統的基礎。在相控陣系統中，移相器可以改變信號相位，補償信號相位誤差，從而實現增大發射信號和接收信號的作用。
2、在相控陣系統的發射通道和接收通道中均需要使用到移相器，為保證相控陣系統的適應性，傳統的做法會在發射通道和接收通道中各集成一個移相器，即采用獨立收發通道設計，接收通道和發射通道在物理版圖上是完全獨立的。
3、這種相控陣系統的主要缺點是收發通道都有獨立的移相器電路，移相器電路又往往占據接收通道和發射通道相當大的面積，這樣整個收發芯片的面積會大大增加。
技術實現思路
1、本專利技術實施例的目的在于提供一種移相器、一體化收發通道和相控陣系統，可以提升移相器的移相范圍、工作頻帶，從而可以在針對接收信號以及發射信號進行移相時對移相器進行復用，因此能夠節約收發芯片的整體版圖面積。具體技術方案如下：
2、第一方面，本專利技術實施例提供了一種移相器，包括：第一移相單元、第二移相單元、第三移相單元、第四移相單元、第五移相單元和第六移相單元；
3、其中，所述第一移相單元、所述第三移相單元、所述第四移相單元和所述第六移相單元采用低通、帶通切換式移相器結構；所述第二移相單元和所述第五移相單元采用高通、低通切換式移相器結構；
4、所述移相器用于在其被配置的信號收發器件用于接收信號時，對接
5、可選的，所述第一移相單元/所述第四移相單元包括：第一電感(l1)、第二電感(l2)、第一電容(c1)、第二電容(c2)、第一晶體管(m1)和第二晶體管(m2)；所述第一晶體管(m1)的源極連接所述第一電感(l1)的第一端和所述第一電容(c1)的第一端；
6、所述第一晶體管(m1)的漏極連接所述第一電感(l1)的第二端和所述第二電容(c2)的第一端；
7、所述第二晶體管(m2)的漏極連接所述第一電容(c1)的第二端、所述第二電容(c2)的第二端和所述第二電感(l2)的第一端；
8、所述第二晶體管(m2)的源極連接所述第二電感(l2)的第二端并接地；
9、所述第一移相單元/所述第四移相單元的輸入端連接所述第一晶體管(m1)的源極、所述第一電感(l1)的第一端和所述第一電容(c1)的第一端，所述第一移相單元/所述第四移相單元的的輸出端連接所述第一晶體管(m1)的漏極、所述第一電感(l1)的第二端和所述第二電容(c2)的第一端；
10、所述第一晶體管(m1)的柵極連接第一控制電壓v1，所述第二晶體管(m2)的柵極連接第二控制電壓
11、可選的，所述第三移相單元/所述第六移相單元包括：第三電感(l3)、第四電感(l4)、第五電感(l5)、第三晶體管(m3)、第四晶體管(m4)和第五晶體管(m5)；
12、所述第三晶體管(m3)的源極連接所述第三電感(l3)的第一端；
13、所述第三晶體管(m3)的漏極連接所述第四電感(l4)的第一端；
14、所述第四晶體管(m4)的漏極連接所述第三電感(l3)的第二端和所述第四電感(l4)的第二端；
15、所述第五晶體管(m5)的漏極連接所述第四晶體管(m4)的源極和所述第五電感(l5)的第一端；
16、所述第五晶體管(m5)的源極連接所述第五電感(l5)的第二端并接地；
17、所述第三移相單元/所述第六移相單元的輸入端連接所述第三晶體管(m3)的源極和所述第三電感(l3)的第一端，所述第三移相單元/所述第六移相單元的輸出端連接所述第三晶體管(m3)的漏極和所述第四電感(l4)的第一端；
18、所述第三晶體管(m3)和所述第四晶體管(m4)的柵極連接第三控制電壓v2，所述第五晶體管(m5)的柵極連接第四控制電壓
19、可選的，所述第二移相單元/所述第五移相單元包括：高通式濾波支路和低通式濾波支路，所述高通式濾波支路和所述高通式濾波支路并聯。
20、可選的，所述第二移相單元/所述第五移相單元包括第六電感(l6)、第七電感(l7)、第八電感(l8)、第三電容(c3)、第四電容(c4)、第五電容(c5)、第六晶體管(m6)、第七晶體管(m7)、第八晶體管(m8)和第九晶體管(m9)；
21、所述第六晶體管(m6)的源極連接所述第九晶體管(m9)的源極；
22、所述第六晶體管(m6)的漏極連接所述第三電容(c3)的第一端；
23、所述第七晶體管(m7)的源極連接所述第四電容(c4)的第一端；
24、所述第六電感(l6)的第一端連接所述第三電容(c3)的第二端和所述第四電容(c4)的第二端，所述第六電感(l6)的第二端接地；
25、所述第八晶體管(m8)的漏極連接所述第七晶體管(m7)的漏極；
26、所述第八晶體管(m8)的源極連接所述第七電感(l7)的第一端；
27、所述第九晶體管(m9)的漏極連接所述第八電感(l8)的第一端；
28、所述第五電容(c5)的第一端連接所述第七電感(l7)的第二端和所述第八電感(l8)的第二端，所述第五電容(c5)的第二端接地；
29、所述第二移相單元/所述第五移相單元的輸入端連接所述第六晶體管(m6)的源極和所述第九晶體管(m9)的源極，所述第二移相單元/所述第五移相單元的輸出端連接所述第七晶體管(m7)的漏極和所述第八晶體管(m8)的漏極；
30、所述第六晶體管(m6)和所述第七晶體管(m7)的柵極連接第五控制電壓v3，所述第八晶體管(m8)和所述第九晶體管(m9)的柵極連接第六控制電壓
31、可選的，所述第一移相單元用于實現5.625°移相，所述第二移相單元用于實現90°移相，所述第三移相單元用于實現45°移相，所述第四移相單元用于實現11.25°移相，所述第五移相單元用于實現180°移相，所述第六移相單元用于實現22.5°移相。
32、可選的，所述第一移相單元、所述第二移相單元、所述第三移相單元、所述第四移相單元、所述第五移相單元和所述第六移相單元依次級聯。
33、可選的，所述移相器的工作頻段覆蓋ku頻段和ka頻段，且所述移相器在所述ku頻段和所述ka頻段內的移相范圍為0°-360°。
34、第二方面，本專利技術實施例提供了一種一體化收發通道，包括：信號發射鏈路、信號接收鏈路、收發轉換開關和上述任一項移相器；
35、所述收發轉換開關被配置為，用于在發射信號時將所述移相器接入所述信號發射鏈路，在接收信號時將所述移相器接入所述信號接收鏈路；
36、所述移相器被配置為，用于在發射信號時對所述信號發射鏈路中的信號進行移相，在接收信號時對所述信號接收鏈本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種移相器，其特征在于，包括：第一移相單元、第二移相單元、第三移相單元、第四移相單元、第五移相單元和第六移相單元；
2.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一移相單元/所述第四移相單元包括：第一電感(L1)、第二電感(L2)、第一電容(C1)、第二電容(C2)、第一晶體管(M1)和第二晶體管(M2)；所述第一晶體管(M1)的源極連接所述第一電感(L1)的第一端和所述第一電容(C1)的第一端；
3.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第三移相單元/所述第六移相單元包括：第三電感(L3)、第四電感(L4)、第五電感(L5)、第三晶體管(M3)、第四晶體管(M4)和第五晶體管(M5)；
4.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二移相單元/所述第五移相單元包括：高通式濾波支路和低通式濾波支路，所述高通式濾波支路和所述高通式濾波支路并聯。
5.根據權利要求4所述的移相器，其特征在于，所述第二移相單元/所述第五移相單元包括第六電感(L6)、第七電感(L7)、第八電感(L8)、第三電容(C3)、第四電容(C4)、第
6.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一移相單元用于實現5.625°移相，所述第二移相單元用于實現90°移相，所述第三移相單元用于實現45°移相，所述第四移相單元用于實現11.25°移相，所述第五移相單元用于實現180°移相，所述第六移相單元用于實現22.5°移相。
7.根據權利要求6所述的移相器，其特征在于，所述第一移相單元、所述第二移相單元、所述第三移相單元、所述第四移相單元、所述第五移相單元和所述第六移相單元依次級聯。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的移相器，其特征在于，所述移相器的工作頻段覆蓋Ku頻段和Ka頻段，且所述移相器在所述Ku頻段和所述Ka頻段內的移相范圍為0°-360°。
9.一種一體化收發通道，其特征在于，包括：信號發射鏈路、信號接收鏈路、收發轉換開關和如權利要求1-8中任一項所述的移相器；
10.一種相控陣系統，其特征在于，包括一個或多個如權利要求9所述的一體化收發通道。
...【技術特征摘要】
1.一種移相器，其特征在于，包括：第一移相單元、第二移相單元、第三移相單元、第四移相單元、第五移相單元和第六移相單元；
2.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一移相單元/所述第四移相單元包括：第一電感(l1)、第二電感(l2)、第一電容(c1)、第二電容(c2)、第一晶體管(m1)和第二晶體管(m2)；所述第一晶體管(m1)的源極連接所述第一電感(l1)的第一端和所述第一電容(c1)的第一端；
3.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第三移相單元/所述第六移相單元包括：第三電感(l3)、第四電感(l4)、第五電感(l5)、第三晶體管(m3)、第四晶體管(m4)和第五晶體管(m5)；
4.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二移相單元/所述第五移相單元包括：高通式濾波支路和低通式濾波支路，所述高通式濾波支路和所述高通式濾波支路并聯。
5.根據權利要求4所述的移相器，其特征在于，所述第二移相單元/所述第五移相單元包括第六電感(l6)、第七電感(l7)、第八電感(l8)、第三電容(c3)、第四電容(c...
【專利技術屬性】
技術研發人員：冉普航，陳曉聰，劉朗，
申請(專利權)人：中國星網網絡應用有限公司，
類型：發明
國別省市：
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