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    應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路和裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):44287882 閱讀:12 留言:0更新日期:2025-02-14 22:22
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路和裝置,模塊M3工作過程包括:第一步,在每一次工作前對(duì)上一次結(jié)果進(jìn)行復(fù)位;第二步,為電容C1抓取電壓,此時(shí)模塊M2是復(fù)位狀態(tài);第三步,為電容C2抓取電壓,此時(shí)模塊M2設(shè)置成正常狀態(tài);第四步,模塊M3將前級(jí)電壓存儲(chǔ)在C1和C2上,然后與模塊M4組成開關(guān)電容放大器電路,從而實(shí)現(xiàn)輸出信號(hào)到ADC內(nèi)部。本發(fā)明專利技術(shù)在經(jīng)典X射線探測(cè)器的圖像讀取電路基礎(chǔ)上,增加RC噪聲增強(qiáng)及相關(guān)雙采樣處理,使得前級(jí)積分器端電路的失調(diào)及噪聲得到很大的抑制,從而獲得較高的圖像輸出質(zhì)量。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及集成電路設(shè)計(jì),具體地,涉及一種應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路和裝置。


    技術(shù)介紹

    1、x射線探測(cè)器,廣泛應(yīng)用在工業(yè),安防及醫(yī)療領(lǐng)域,特別在醫(yī)療領(lǐng)域,包括dr、drf(動(dòng)態(tài)dr)、c型外臂等,其中非晶硅因技術(shù)成熟、適應(yīng)性好、低成本等原因,逐漸成為市場(chǎng)主流探測(cè)器。其原理是將x射線轉(zhuǎn)換為可見光,經(jīng)過pd傳感器器件采集后,轉(zhuǎn)換為電信號(hào),經(jīng)過芯片內(nèi)部讀取電路后,輸出為計(jì)算機(jī)可處理的數(shù)字信號(hào),至此通過感應(yīng)穿過物體的x射線強(qiáng)度,經(jīng)計(jì)算機(jī)處理成不同灰度的等級(jí),使人可以觀察到圖像。

    2、圖1為經(jīng)典的x射線探測(cè)器的圖像讀取電路。圖1中模塊1中pd器件、ca電容、tft開關(guān)部分構(gòu)成了x射線傳感器模塊,cp為tft開關(guān)的寄生電容及走線電容;模塊2中amp1運(yùn)算放大器及ci電容組成積分器電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)傳感器輸入電荷的處理,其中開關(guān)s0用作復(fù)位操作;模塊3中amp2運(yùn)算放大器組成單位增益放大器,用作驅(qū)動(dòng)后級(jí)adc模塊,積分器電路輸出信號(hào)至此進(jìn)入adc模塊后轉(zhuǎn)為數(shù)字碼流輸出。

    3、圖1所示經(jīng)典的x射線探測(cè)器的圖像讀取電路存在以下的限制:

    4、a)電信號(hào)經(jīng)由前級(jí)積分器電路輸出后,直接送給下一級(jí)單位增益放大電路,積分器端帶來的失調(diào)及噪聲都沒有處理,將極大影響輸出信號(hào)的質(zhì)量;

    5、b)對(duì)于有低噪聲需求的應(yīng)用來說,無法提供額外的高頻濾波,對(duì)于整體也無法獲取較低的噪聲。

    6、術(shù)語解釋:

    7、(1)dr:digital?radiography:數(shù)字化x射線影像系統(tǒng)

    8、(2)pd:photodiode:光電二極管

    9、(3)tft:thin-film-transistor:薄膜晶體管

    10、(4)amp:operational-amplifier:運(yùn)算放大器

    11、(5)cmos:complementary-metal-oxide-semiconductor:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

    12、(6)adc:analog-to-digital-converter:模數(shù)轉(zhuǎn)換器


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本專利技術(shù)的目的是提供一種應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路和裝置。

    2、根據(jù)本專利技術(shù)提供的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,包括:

    3、模塊m1,包括pd器件、ca電容和tft開關(guān);pd器件與ca電容連接在tft開關(guān)的一端,cp電容連接在tft開關(guān)的另一端;

    4、模塊m2,包括amp1運(yùn)算放大器、開關(guān)s0和ci電容;開關(guān)s0用作復(fù)位操作,電容ci與開關(guān)s0連接在amp1運(yùn)算放大器的負(fù)向輸入端與輸出端,amp1運(yùn)算放大器負(fù)向輸入端與tft開關(guān)連接,amp1運(yùn)算放大器正向輸入端連接地電平;

    5、模塊m3,包括c1、c2電容,開關(guān)s1~s10,基準(zhǔn)電壓vref1、vref2、vcmn;c1電容連接在開關(guān)s2、s3的下端,開關(guān)s2與s3的上端分別連接vref1、vref2;c2電容連接在開關(guān)s6、s7的上端,開關(guān)s6與s7的下端分別連接vref1、vref2;開關(guān)s9的上端與開關(guān)s1的右端、c1電容的左端連接,開關(guān)s9的下端與開關(guān)s5的右端、c2電容的左端連接;開關(guān)s1的左端與開關(guān)s5的左端與amp1運(yùn)算放大器的輸出端連接,開關(guān)s4的左端與c1電容連接,開關(guān)s8的左端與c2電容連接,2組開關(guān)s10的中間電平接vcmn,兩端分別作為模塊m3的輸出;

    6、模塊m4,包括amp2運(yùn)算放大器、電容cf、開關(guān)s11~s14,基準(zhǔn)電壓vcmn、vcmp;上下2組cf電容,開關(guān)s11~s14,基準(zhǔn)電壓vcmn、vcmp相同,分別連接到amp2運(yùn)算放大器正負(fù)向輸入端,與輸出端正相voutp和負(fù)相voutn;電容cf連接在開關(guān)s12與s13之間,開關(guān)s12、s13另一端接vcmn與vcmp,開關(guān)s11的右端與電容cf左端相連接,開關(guān)s11的左端作為模塊m4的輸入端,開關(guān)s14的左端與電容cf右端相連接,開關(guān)s14的右端作為模塊m4的輸出端。

    7、優(yōu)選地,所述模塊m3工作過程包括:

    8、第一步,在每一次工作前對(duì)上一次結(jié)果進(jìn)行復(fù)位;

    9、第二步,為電容c1抓取電壓,此時(shí)模塊m2是復(fù)位狀態(tài);

    10、第三步,為電容c2抓取電壓,此時(shí)模塊m2設(shè)置成正常狀態(tài);

    11、第四步,模塊m3將前級(jí)電壓存儲(chǔ)在c1和c2上,然后與模塊m4組成開關(guān)電容放大器電路,從而實(shí)現(xiàn)輸出信號(hào)到adc內(nèi)部。

    12、優(yōu)選地,在模塊m3工作第一步中:模塊m2處于復(fù)位狀態(tài),將開關(guān)s0閉合上,模塊m3的開關(guān)s2、s3、s6、s7、s10處于閉合狀態(tài),其他開關(guān)處于斷開狀態(tài);模塊m4的開關(guān)s12、s13處于閉合狀態(tài),其他開關(guān)處于斷開狀態(tài)。

    13、優(yōu)選地,在模塊m3工作第二步中:模塊m2繼續(xù)處于復(fù)位狀態(tài),模塊m3中開關(guān)s2、s3斷開,開關(guān)s1閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)電壓存儲(chǔ)在電容c1兩端。

    14、優(yōu)選地,在模塊m3工作第三步中:模塊m2處于正常狀態(tài),開關(guān)s0斷開;模塊m3中開關(guān)s1、s6、s7斷開,開關(guān)s5閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)電壓存儲(chǔ)在電容c2兩端。

    15、優(yōu)選地,在模塊m3工作第四步中:模塊m3的開關(guān)s5、s10斷開,開關(guān)s4、s8、s9閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)兩組電壓的輸出;模塊m4的開關(guān)s12、s13斷開,開關(guān)s11、s14閉合,此時(shí)抓取前級(jí)模塊m3的電壓,輸出voutp、voutn到adc內(nèi)部。

    16、優(yōu)選地,在模塊m2和模塊m4中間插入一級(jí)rc濾波電路;

    17、所述一級(jí)rc濾波電路包括2組可調(diào)電阻r、電容c,以及開關(guān)s1、s6;上組開關(guān)s1、電阻r、電容c組成一路濾波路徑,電阻r連接在開關(guān)s1右端與電容c之間,開關(guān)s1左端連接在模塊m2輸出端;下組開關(guān)s6、電阻r、電容c組成另一路濾波路徑,電阻r連接在開關(guān)s6右端與電容c之間,開關(guān)s6左端連接在模塊m2輸出端;

    18、模塊m3中上下兩路電容上端作為一級(jí)rc濾波電路的輸出與下一級(jí)模塊m3輸入相連接;當(dāng)選通某一路濾波路徑時(shí),電阻r和電容c提供極點(diǎn)為1/rc的低通濾波電路,達(dá)到濾除高頻噪聲效果,同時(shí)電阻r可調(diào),根據(jù)系統(tǒng)需求選擇不同的極點(diǎn)方案。

    19、根據(jù)本專利技術(shù)提供的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取裝置,包含所述的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路。

    20、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)具有如下的有益效果:

    21、(1)本專利技術(shù)采用rc噪聲增強(qiáng)及相關(guān)雙采樣處理,使得失調(diào)及噪聲得到大幅度抑制,同時(shí)針對(duì)電容型相關(guān)雙采樣電路,提出一種適配的開關(guān)電容型驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路可以抓取相關(guān)雙采樣電路的輸出,也可以驅(qū)動(dòng)后級(jí)adc;

    22、(2)本專利技術(shù)在經(jīng)典x射線探測(cè)器的圖像讀取電路基礎(chǔ)上,增加rc噪聲增強(qiáng)及相關(guān)雙采樣處理,使得前級(jí)積分器端電路的失調(diào)及噪聲得到很大的抑制,從而獲得較高的圖像輸出質(zhì)量。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,所述模塊M3工作過程包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊M3工作第一步中:模塊M2處于復(fù)位狀態(tài),將開關(guān)S0閉合上,模塊M3的開關(guān)S2、S3、S6、S7、S10處于閉合狀態(tài),其他開關(guān)處于斷開狀態(tài);模塊M4的開關(guān)S12、S13處于閉合狀態(tài),其他開關(guān)處于斷開狀態(tài)。

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊M3工作第二步中:模塊M2繼續(xù)處于復(fù)位狀態(tài),模塊M3中開關(guān)S2、S3斷開,開關(guān)S1閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)電壓存儲(chǔ)在電容C1兩端。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊M3工作第三步中:模塊M2處于正常狀態(tài),開關(guān)S0斷開;模塊M3中開關(guān)S1、S6、S7斷開,開關(guān)S5閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)電壓存儲(chǔ)在電容C2兩端。

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊M3工作第四步中:模塊M3的開關(guān)S5、S10斷開,開關(guān)S4、S8、S9閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)兩組電壓的輸出;模塊M4的開關(guān)S12、S13斷開,開關(guān)S11、S14閉合,此時(shí)抓取前級(jí)模塊M3的電壓,輸出VOUTP、VOUTN到ADC內(nèi)部。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊M2和模塊M4中間插入一級(jí)RC濾波電路;

    8.一種應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取裝置,其特征在于,包含權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用于X射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,所述模塊m3工作過程包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊m3工作第一步中:模塊m2處于復(fù)位狀態(tài),將開關(guān)s0閉合上,模塊m3的開關(guān)s2、s3、s6、s7、s10處于閉合狀態(tài),其他開關(guān)處于斷開狀態(tài);模塊m4的開關(guān)s12、s13處于閉合狀態(tài),其他開關(guān)處于斷開狀態(tài)。

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀取電路,其特征在于,在模塊m3工作第二步中:模塊m2繼續(xù)處于復(fù)位狀態(tài),模塊m3中開關(guān)s2、s3斷開,開關(guān)s1閉合,此時(shí)實(shí)現(xiàn)電壓存儲(chǔ)在電容c1兩端。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于x射線探測(cè)器的低噪聲圖像讀...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:鄧業(yè)磊穆子晗施明
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:上海申矽凌微電子科技股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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