【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及晶圓載臺(tái)，尤其涉及一種晶圓載臺(tái)裝置。
技術(shù)介紹
1、離子束刻蝕(ibe)和離子束沉積(ibd)技術(shù)在光纖、計(jì)算機(jī)、通信、納米技術(shù)、新材料和集成光學(xué)等領(lǐng)域發(fā)揮其強(qiáng)大的作用，理想的薄膜應(yīng)該具有光學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、無散射和吸收、機(jī)械性能強(qiáng)和化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特征，而離子束刻蝕(ibe)和離子束沉積(ibd)正好提供了能夠達(dá)到這些要求的技術(shù)平臺(tái)，目前離子束刻蝕和沉積技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域不斷地被拓寬，尤其是隨著芯片集成度提高，關(guān)鍵尺寸縮小，高選擇比以及精確的圖形轉(zhuǎn)移等工藝需求的提高，更突顯了離子束刻蝕和離子束沉積優(yōu)點(diǎn)。
2、離子束濺射沉積法在離子源內(nèi)由惰性氣體(通常為氬)產(chǎn)生具有較高能量的離子轟擊靶材料，把靶材料沉積到基片上的方法，對(duì)于薄膜的制作，基片的溫度是一個(gè)重要參數(shù)，從溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、應(yīng)力和附著力三個(gè)主要應(yīng)用方面考慮溫度對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響，如果沉積比較厚的膜層，一般要求基片溫度要高一點(diǎn)，以減小薄膜內(nèi)應(yīng)力，并減少薄膜被氧化的幾率；但在實(shí)際操作中，還要結(jié)合所用沉積薄膜的方法和設(shè)備，以及基片本身的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和要求來考慮對(duì)其的控溫范圍。
3、現(xiàn)有的晶圓載臺(tái)通常通過冷卻水對(duì)樣品臺(tái)進(jìn)行溫度控制，這種溫度控制方式一般只能將溫度控制在100℃以下，無法實(shí)現(xiàn)高溫加熱功能，而且溫度控制精度較低。
4、因此，如何提供一種能夠高溫加熱且控溫精度高的晶圓載臺(tái)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本技術(shù)的目的在于提供一種晶圓載臺(tái)裝置，以實(shí)現(xiàn)高溫加熱和高精
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供了如下技術(shù)方案：
3、一種晶圓載臺(tái)裝置，包括：
4、磁流體結(jié)構(gòu)，包括磁流體定軸和磁流體轉(zhuǎn)軸，所述磁流體轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在所述磁流體定軸的中心孔，且所述磁流體定軸將所述晶圓載臺(tái)裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分隔為真空環(huán)境側(cè)和大氣環(huán)境側(cè)；
5、加熱器，與所述磁流體轉(zhuǎn)軸位于真空環(huán)境側(cè)的一端連接，且所述加熱器上設(shè)有用于放置晶圓的放置槽，所述加熱器能夠與外部電源導(dǎo)通。
6、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述磁流體轉(zhuǎn)軸靠近所述加熱器的一端設(shè)置轉(zhuǎn)接固定座，所述加熱器設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接固定座上，且所述轉(zhuǎn)接固定座和所述加熱器之間設(shè)置隔熱板。
7、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述加熱器包括固定在所述轉(zhuǎn)接固定座上的加熱器本體和與所述加熱器本體電連接的加熱線束，所述加熱器本體的底部同軸固定絕緣套筒，所述加熱線束貫穿所述絕緣套筒后與外部電源電連接。
8、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述磁流體轉(zhuǎn)軸靠近所述大氣環(huán)境側(cè)的一端設(shè)置電滑環(huán)；
9、其中，所述電滑環(huán)包括定子和轉(zhuǎn)子，所述定子固定設(shè)置在所述磁流體定軸上，所述轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在所述定子的中心孔中，所述加熱線束與所述轉(zhuǎn)子上的滑環(huán)線束電連接。
10、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述轉(zhuǎn)接固定座背離所述加熱器的一側(cè)設(shè)置有升降底托盤，所述升降底托盤上固定有頂針，所述頂針貫穿所述轉(zhuǎn)接固定座和所述加熱器后與晶圓的背面接觸；
11、其中，所述晶圓載臺(tái)裝置還包括升降驅(qū)動(dòng)組件，所述升降驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)所述升降底托盤作升降運(yùn)動(dòng)。
12、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述升降驅(qū)動(dòng)組件包括對(duì)稱設(shè)置在所述磁流體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的兩個(gè)氣缸，以及設(shè)置在兩個(gè)氣缸的頂部的頂環(huán)，所述頂環(huán)位于所述升降底托盤的下方。
13、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述氣缸包括缸體和與所述缸體配合的密封波紋管，所述缸體的底部和頂部分別設(shè)置底部進(jìn)氣口和頂部進(jìn)氣口。
14、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述氣缸還包括與所述密封波紋管的伸縮端連接的伸縮桿，所述伸縮桿的底部設(shè)置磁鐵，所述大氣環(huán)境側(cè)設(shè)置有和與所述磁鐵配合的磁感應(yīng)開關(guān)；
15、和/或，所述真空環(huán)境側(cè)設(shè)置有信號(hào)感應(yīng)器和信號(hào)發(fā)射器，所述信號(hào)感應(yīng)器和所述信號(hào)發(fā)射器感應(yīng)配合，所述信號(hào)發(fā)射器設(shè)置在所述升降底托盤的側(cè)面。
16、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述升降底托盤上還設(shè)置有壓緊導(dǎo)向桿，所述加熱器上設(shè)置有用于壓緊晶圓的壓緊件，所述壓緊導(dǎo)向桿貫穿所述轉(zhuǎn)接固定座、所述隔熱板和所述加熱器后與所述壓緊件連接。
17、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述升降底托盤和所述轉(zhuǎn)接固定座之間設(shè)置彈性元件和用于對(duì)所述彈性元件進(jìn)行導(dǎo)向的彈性導(dǎo)向桿。
18、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述磁流體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述磁流體定軸上的磁流體法蘭，所述磁流體法蘭和所述磁流體定軸上分別設(shè)置端面水道和軸端水道，且所述端面水道和所述軸端水道形成串聯(lián)。
19、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述晶圓載臺(tái)裝置還包括轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)件、第一傳動(dòng)盤、第二傳動(dòng)盤和傳送帶；
20、其中，所述第一傳動(dòng)盤與所述轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)件的輸出軸連接，所述第二傳動(dòng)盤設(shè)置于所述磁流體轉(zhuǎn)軸上，所述傳送帶連接所述第一傳動(dòng)盤和所述第二傳動(dòng)盤。
21、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，所述晶圓載臺(tái)裝置還包括載臺(tái)支撐件和翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件；
22、其中，所述磁流體結(jié)構(gòu)和所述加熱器均設(shè)置于所述載臺(tái)支撐件上，所述翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件用于驅(qū)動(dòng)所述載臺(tái)支撐件繞翻轉(zhuǎn)軸線翻轉(zhuǎn)，所述翻轉(zhuǎn)軸線與所述磁流體轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線垂直。
23、可選地，在上述晶圓載臺(tái)裝置中，還包括設(shè)置在所述磁流體轉(zhuǎn)軸上的編碼器；
24、和/或，還包括設(shè)置在所述加熱器的上方的擋板。
25、使用本技術(shù)所提供的晶圓載臺(tái)裝置時(shí)，將晶圓放置在加熱器的放置槽中，由于加熱器與磁流體轉(zhuǎn)軸位于真空環(huán)境側(cè)的一端連接，因此，磁流體轉(zhuǎn)軸在旋轉(zhuǎn)過程中會(huì)帶動(dòng)加熱器一起旋轉(zhuǎn)，保證晶圓表面的沉積原子數(shù)與轟擊原子數(shù)達(dá)到一定的比例，保證膜層的性能和質(zhì)量；由于本技術(shù)所提供的晶圓載臺(tái)裝置采用加熱器作為晶圓載臺(tái)，加熱器能夠與外部電源導(dǎo)通，因此，通過加熱器能夠?qū)A進(jìn)行加熱，若需要高溫工藝，只需對(duì)加熱器的溫度進(jìn)行設(shè)置即可實(shí)現(xiàn)高溫加熱，通過調(diào)節(jié)加熱器的溫度實(shí)現(xiàn)較高的控溫精度。
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1.一種晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述磁流體轉(zhuǎn)軸靠近所述加熱器的一端設(shè)置轉(zhuǎn)接固定座，所述加熱器設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接固定座上，且所述轉(zhuǎn)接固定座和所述加熱器之間設(shè)置隔熱板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述加熱器包括固定在所述轉(zhuǎn)接固定座上的加熱器本體和與所述加熱器本體電連接的加熱線束，所述加熱器本體的底部同軸固定絕緣套筒，所述加熱線束貫穿所述絕緣套筒后與外部電源電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述磁流體轉(zhuǎn)軸靠近所述大氣環(huán)境側(cè)的一端設(shè)置電滑環(huán)；
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接固定座背離所述加熱器的一側(cè)設(shè)置有升降底托盤，所述升降底托盤上固定有頂針，所述頂針貫穿所述轉(zhuǎn)接固定座和所述加熱器后與晶圓的背面接觸；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述升降驅(qū)動(dòng)組件包括對(duì)稱設(shè)置在所述磁流體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的兩個(gè)氣缸，以及設(shè)置在兩個(gè)氣缸的頂部的頂環(huán)，所述頂環(huán)位于所述升降底托盤的下方。
7.根
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述氣缸還包括與所述密封波紋管的伸縮端連接的伸縮桿，所述伸縮桿的底部設(shè)置磁鐵，所述大氣環(huán)境側(cè)設(shè)置有和與所述磁鐵配合的磁感應(yīng)開關(guān)；
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述升降底托盤上還設(shè)置有壓緊導(dǎo)向桿，所述加熱器上設(shè)置有用于壓緊晶圓的壓緊件，所述壓緊導(dǎo)向桿貫穿所述轉(zhuǎn)接固定座、所述隔熱板和所述加熱器后與所述壓緊件連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述升降底托盤和所述轉(zhuǎn)接固定座之間設(shè)置彈性元件和用于對(duì)所述彈性元件進(jìn)行導(dǎo)向的彈性導(dǎo)向桿。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述磁流體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述磁流體定軸上的磁流體法蘭，所述磁流體法蘭和所述磁流體定軸上分別設(shè)置端面水道和軸端水道，且所述端面水道和所述軸端水道形成串聯(lián)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述晶圓載臺(tái)裝置還包括轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)件、第一傳動(dòng)盤、第二傳動(dòng)盤和傳送帶；
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述晶圓載臺(tái)裝置還包括載臺(tái)支撐件和翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件；
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述磁流體轉(zhuǎn)軸上的編碼器；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述磁流體轉(zhuǎn)軸靠近所述加熱器的一端設(shè)置轉(zhuǎn)接固定座，所述加熱器設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接固定座上，且所述轉(zhuǎn)接固定座和所述加熱器之間設(shè)置隔熱板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述加熱器包括固定在所述轉(zhuǎn)接固定座上的加熱器本體和與所述加熱器本體電連接的加熱線束，所述加熱器本體的底部同軸固定絕緣套筒，所述加熱線束貫穿所述絕緣套筒后與外部電源電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述磁流體轉(zhuǎn)軸靠近所述大氣環(huán)境側(cè)的一端設(shè)置電滑環(huán)；
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接固定座背離所述加熱器的一側(cè)設(shè)置有升降底托盤，所述升降底托盤上固定有頂針，所述頂針貫穿所述轉(zhuǎn)接固定座和所述加熱器后與晶圓的背面接觸；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述升降驅(qū)動(dòng)組件包括對(duì)稱設(shè)置在所述磁流體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的兩個(gè)氣缸，以及設(shè)置在兩個(gè)氣缸的頂部的頂環(huán)，所述頂環(huán)位于所述升降底托盤的下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓載臺(tái)裝置，其特征在于，所述氣缸包括缸體和與所述缸體配合的密封波紋管，所述缸體的底部和頂部分別設(shè)置底部進(jìn)氣口和頂部進(jìn)氣口...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：桑康，程實(shí)然，胡少謙，陳龍保，胡冬冬，徐康寧，許飛，許開東，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇魯汶儀器股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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