【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及半導體裝置的形成方法，特別涉及使用氣流循環(huán)(gas?flow?cycle)的半導體裝置的形成方法。
技術介紹
1、隨著半導體技術的進步，對于更高存儲容量、更快處理系統(tǒng)、更高性能、及更低成本的需求不斷增加。為了滿足這些需求，半導體行業(yè)不斷微縮化半導體裝置的尺寸，例如金屬氧化物半導體場效晶體管(metal?oxide?semiconductor?field?effect?transistors；mosfets)，包含平面mosfet、鰭式場效晶體管(fin?field?effect?transistors；finfets)、全繞式柵極場效晶體管(gate-all-around?field?effect?transistors；gaa?fets)、互補式場效晶體管(complementary?field?effect?transistors；cfets)以及垂直場效晶體管(vertical?field?effect?transistors(vfets)。這種微縮化增加了半導體制造工藝的復雜性。
技術實現(xiàn)思路
1、本公開實施例提供一種半導體裝置的形成方法，包含：形成鰭片結構于基板之上；形成多晶硅結構于鰭片結構之上；移除多晶硅結構相鄰的部分鰭片結構以形成開口；及形成源極/漏極(source/drain；s/d)區(qū)于開口之中，包含將開口之中的鰭片結構暴露于：在氣流循環(huán)(gas?flow?cycle)的第一階段期間的前驅氣體(precursor?gas)的第一流速；在氣流循環(huán)(gas?
2、本公開實施例提供一種半導體裝置的形成方法，包含：形成鰭片結構于基板之上；形成介電層于鰭片結構之上；形成開口于鰭片結構之中并穿過介電層；及外延生長半導體層于開口之中的鰭片結構之上，包含：在氣流循環(huán)的第一階段期間使用前驅氣體的第一流速以及在氣流循環(huán)的第二階段期間使用前驅氣體的第二流速來執(zhí)行沉積工藝；在氣流循環(huán)的第一階段期間使用蝕刻氣體的第一流速以及在氣流循環(huán)的第二階段期間的蝕刻氣體的第二流速來執(zhí)行蝕刻工藝，其中前驅氣體的第一流速高于蝕刻氣體的第一流速，且其中前驅氣體的第二流速低于蝕刻氣體的第二流速；及在氣流循環(huán)期間執(zhí)行等離子體工藝。
3、本公開實施例提供一種半導體裝置的形成方法，包含：形成第一超晶格(superlattice)結構于基板之上；形成隔離層于第一超晶格結構之上；形成第二超晶格結構于隔離層之上；形成開口，開口穿過第二超晶格結構、隔離層以及第一超晶格結構；及形成源極/漏極區(qū)于開口之中且源極/漏極區(qū)與第一超晶格結構接觸，包含：在氣流循環(huán)的第一階段期間使用前驅氣體的第一流速以及在氣流循環(huán)的第二階段期間使用前驅氣體的第二流速來執(zhí)行沉積工藝，其中前驅氣體的第一流速高于前驅氣體的第二流速；在氣流循環(huán)的第一階段期間使用摻雜劑前驅氣體的第一流速以及在氣流循環(huán)的第二階段期間使用摻雜劑前驅氣體的第二流速來執(zhí)行摻雜工藝，其中摻雜劑前驅氣體的第一流速高于摻雜劑前驅氣體的第二流速；在氣流循環(huán)的第二階段期間產(chǎn)生等離子體；及在氣流循環(huán)的第一階段期間終止等離子體。
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1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該蝕刻氣體的步驟包括將該開口之中的該鰭片結構暴露于該蝕刻氣體的一流速，其高于該前驅氣體的該第一流速。
3.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該蝕刻氣體的步驟包括：
4.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述形成該源極/漏極區(qū)的步驟還包括：
5.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該等離子體的步驟包括：
6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該前驅氣體、該蝕刻氣體以及該等離子體的步驟是在大約500℃或低于500℃的溫度下所執(zhí)行的。
7.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述形成該源極/漏極區(qū)的步驟包括外延生長一半導體材料以及從一開口的該介電側表面的上移除一非晶質材料。
8.一種半導體裝置的形成方法，包括：
9.一種半導體裝
10.如權利要求9所述的半導體裝置的形成方法，其中所述形成該源極/漏極區(qū)的步驟還包括：在該氣流循環(huán)的該第一階段期間使用一蝕刻氣體的一第一流速以及在該氣流循環(huán)的該第二階段期間使用該蝕刻氣體的一第二流速來執(zhí)行一蝕刻工藝；且其中該蝕刻氣體的該第一流速為零且該蝕刻氣體的該第二流速為一非零值。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該蝕刻氣體的步驟包括將該開口之中的該鰭片結構暴露于該蝕刻氣體的一流速，其高于該前驅氣體的該第一流速。
3.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該蝕刻氣體的步驟包括：
4.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述形成該源極/漏極區(qū)的步驟還包括：
5.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構暴露于該等離子體的步驟包括：
6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中所述將該開口之中的該鰭片結構...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王紹安，時定康，白佳靈，林斌彥，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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