【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種半導(dǎo)體元件被粘著于載板上的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)及其制作方法。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體元件諸如發(fā)光二極管(light-emitting?diode；led)，具有功耗低、產(chǎn)生的熱能低、工作壽命長、防震、體積小、反應(yīng)速度快和具有良好的光電特性(例如穩(wěn)定的發(fā)光波長)等優(yōu)點。因此被廣泛應(yīng)用于家用電器、設(shè)備指示燈、及顯示器等電子設(shè)備中。
2、為了制作不同的電子設(shè)備，需要將大量的發(fā)光二極管在不同的基板間進行轉(zhuǎn)移，其步驟通常會包含將多個發(fā)光二極管從成長基板轉(zhuǎn)移到暫時基板，并通過暫時基板上的粘著層將多個發(fā)光二極管固定于其上。之后，會再利用蝕刻制作工藝，以移除相鄰發(fā)光二極管之間的粘著層。
3、然而，在蝕刻制作工藝中，為了讓相鄰發(fā)光二極管之間的粘著層能夠被完全移除，蝕刻制作工藝往往需耗費冗長的蝕刻時間，而且蝕刻制作工藝所產(chǎn)生的熱能也會導(dǎo)致一些發(fā)光二極管在垂直方向產(chǎn)生歪斜，或在水平方向產(chǎn)生偏移。此不僅造成制造過程耗時并降低良率，也不利于后續(xù)的制作工藝。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本專利技術(shù)實施例提供一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)及其制作方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)所遭遇的技術(shù)問題。
2、根據(jù)本專利技術(shù)一實施例，提供了一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，包含載體、第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件、第一粘著部、和第二粘著部。第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件彼此分離地位于載體上。第一粘著部與一第二粘著部彼此分離，且第一粘著部位于第一半導(dǎo)體元件與載體之間，第
3、根據(jù)本專利技術(shù)一實施例，提供了一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)的制作方法，包含：提供第一支持基板、第一半導(dǎo)體元件、與第二半導(dǎo)體元件，第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件位于第一支持基板上且彼此分離；提供第二支持基板，第二支持基板包含載體和設(shè)置于載體上的粘著層；移動第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件，使第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件接觸粘著層；加熱粘著層，使粘著層變形成為彼此分離的第一粘著部與第二粘著部，并于第一粘著部與第二粘著部間形成間隙部以暴露出載體。
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1.一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，該第一半導(dǎo)體元件的投影面積為50μm2至5000μm2。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，該第一粘著部包含：
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，在剖視圖中，該第一半導(dǎo)體元件具有第一最外側(cè)邊，該第一粘著部具有相應(yīng)于該第一最外側(cè)邊的弧狀側(cè)邊，該第一最外側(cè)邊向該載體延伸的虛擬延長線位于該弧狀側(cè)邊之內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，該第一粘著部的該弧狀側(cè)邊朝向該載體凹陷。
6.一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)的制作方法，包含：
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，在該加熱步驟中，該粘著層會由單一層分裂成為至少兩個部分，其中一個部分會在該第一半導(dǎo)體元件下方向內(nèi)收縮。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，該第一粘著部位于該第一半導(dǎo)體元件與該載體之間，該第二粘著部位于該第二半導(dǎo)體元件與該載體之間。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件排列
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，在加熱該粘著層之前和加熱該粘著層之后，該聚合物層的厚度維持固定。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，該第一半導(dǎo)體元件的投影面積為50μm2至5000μm2。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，該第一粘著部包含：
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，在剖視圖中，該第一半導(dǎo)體元件具有第一最外側(cè)邊，該第一粘著部具有相應(yīng)于該第一最外側(cè)邊的弧狀側(cè)邊，該第一最外側(cè)邊向該載體延伸的虛擬延長線位于該弧狀側(cè)邊之內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)，其中，該第一粘著部的該弧狀側(cè)邊朝向該載體凹陷。
6.一種半導(dǎo)體元件排列結(jié)構(gòu)的制作方法，包含：
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱泰霓，胡瑋珊，鄭景太，
申請(專利權(quán))人：晶元光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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