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    基板處理裝置和基板處理方法制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):44293933 閱讀:6 留言:0更新日期:2025-02-18 20:14
    本公開提供一種基板處理裝置和基板處理方法,限制基板的位置偏移。基板處理裝置具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦。所述第二區(qū)域是比所述第一區(qū)域靠所述基板的徑向外側(cè)的區(qū)域。所述基板處理裝置具備抵接部,所述抵接部設(shè)置于所述第二吸附部,通過與所述基板的周緣抵接來限制所述基板的位置偏移。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法


    技術(shù)介紹

    1、專利文獻(xiàn)1所記載的基板處理裝置具備兩個(gè)吸附墊、液接受杯、旋轉(zhuǎn)保持盤、第一清洗部、以及第二清洗部。兩個(gè)吸附墊將基板的下表面吸附保持為水平。液接受杯與兩個(gè)吸附墊連結(jié)。旋轉(zhuǎn)保持盤將從吸附墊接受到的基板的下表面吸附保持為水平。第一清洗部清洗基板的上表面。第二清洗部清洗基板的下表面。

    2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

    3、專利文獻(xiàn)

    4、專利文獻(xiàn)1:日本特開2020-43156號(hào)公報(bào)


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、專利技術(shù)要解決的問題

    2、本公開的一個(gè)方式提供一種限制基板的位置偏移的技術(shù)。

    3、用于解決問題的方案

    4、本公開的一個(gè)方式的基板處理裝置具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦。所述第二區(qū)域是比所述第一區(qū)域靠所述基板的徑向外側(cè)的區(qū)域。所述基板處理裝置具備抵接部,所述抵接部設(shè)置于所述第二吸附部,通過與所述基板的周緣抵接來限制所述基板的位置偏移。

    5、專利技術(shù)的效果

    6、根據(jù)本公開的一個(gè)方式,能夠限制基板的位置偏移。

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種基板處理裝置,具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦,其中,

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其中,

    8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置,其中,

    11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其中,

    12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    >13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置,其中,

    14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    15.一種基板處理方法,使用根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置來對(duì)所述基板進(jìn)行處理,所述基板處理方法包括:

    ...

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種基板處理裝置,具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦,其中,

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,

    6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,<...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:毛利信彥森山了輔
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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