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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。
技術(shù)介紹
1、專利文獻(xiàn)1所記載的基板處理裝置具備兩個(gè)吸附墊、液接受杯、旋轉(zhuǎn)保持盤、第一清洗部、以及第二清洗部。兩個(gè)吸附墊將基板的下表面吸附保持為水平。液接受杯與兩個(gè)吸附墊連結(jié)。旋轉(zhuǎn)保持盤將從吸附墊接受到的基板的下表面吸附保持為水平。第一清洗部清洗基板的上表面。第二清洗部清洗基板的下表面。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:日本特開2020-43156號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的問題
2、本公開的一個(gè)方式提供一種限制基板的位置偏移的技術(shù)。
3、用于解決問題的方案
4、本公開的一個(gè)方式的基板處理裝置具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦。所述第二區(qū)域是比所述第一區(qū)域靠所述基板的徑向外側(cè)的區(qū)域。所述基板處理裝置具備抵接部,所述抵接部設(shè)置于所述第二吸附部,通過與所述基板的周緣抵接來限制所述基板的位置偏移。
5、專利技術(shù)的效果
6、根據(jù)本公開的一個(gè)方式,能夠限制基板的位置偏移。
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基板處理裝置,具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦,其中,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其中,
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置,其中,
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其中,
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
15.一種基板處理方法,使用根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置來對(duì)所述基板進(jìn)行處理,所述基板處理方法包括:
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種基板處理裝置,具備:第一吸附部,其對(duì)基板的下表面的第一區(qū)域進(jìn)行吸附;第二吸附部,其對(duì)所述基板的下表面的第二區(qū)域進(jìn)行吸附;以及摩擦體,其在所述第二吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第一區(qū)域進(jìn)行摩擦,在所述第一吸附部吸附了所述基板的狀態(tài)下對(duì)所述基板的下表面的所述第二區(qū)域進(jìn)行摩擦,其中,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,<...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:毛利信彥,森山了輔,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,
類型:發(fā)明
國別省市:
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