【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及半導體元件覆蓋用玻璃、半導體元件覆蓋用材料以及半導體元件覆蓋用燒結體。
技術介紹
1、硅二極管、晶體管等半導體元件通常利用玻璃來覆蓋半導體元件的包含p-n結的表面。由此，能夠實現半導體元件表面的穩定化，抑制特性經時劣化。
2、作為半導體元件覆蓋用玻璃所要求的特性，可以舉出：(1)熱膨脹系數適合于半導體元件的熱膨脹系數，以使得不產生由與半導體元件的熱膨脹系數差導致的裂紋等；(2)為了防止半導體元件的特性劣化，可以在低溫(例如900℃以下)下進行覆蓋；(3)不含有對半導體元件表面造成不良影響的堿成分等雜質等。
3、一直以來，作為半導體元件覆蓋用玻璃，已知zno-b2o3-sio2系等鋅系玻璃、pbo-sio2-al2o3系玻璃、pbo-sio2-al2o3-b2o3系玻璃等鉛系玻璃，但現在，從操作性的觀點考慮，pbo-sio2-al2o3系玻璃、pbo-sio2-al2o3-b2o3系玻璃等鉛系玻璃成為主流(例如，參照專利文獻1～4)。
4、現有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：特開昭48-43275號公報
7、專利文獻2：特開昭50-129181號公報
8、專利文獻3：特公平1-49653號公報
9、專利文獻4：特開2008-162881號公報
技術實現思路
1、專利技術欲解決的技術問題
2、但是，鉛系玻璃的鉛成分是對環境有害的成分。另外，上述鋅系玻璃由于含
3、進而，鋅系玻璃存在玻璃的熱膨脹系數變高的傾向，在覆蓋si等半導體元件表面時，有可能在半導體元件中產生裂紋、或產生翹曲。
4、另一方面，若增多玻璃組成中的sio2的含量，則熱膨脹系數降低，并且半導體元件的反向電壓變高，半導體元件不易發生故障。但是，若反向電壓變高，則產生半導體元件的反向漏電流變大這樣的不良情況。特別是在低耐壓用的半導體元件中，反向漏電流成為問題，因此需要通過降低玻璃的表面電荷密度來抑制反向漏電流。
5、因此，本專利技術是鑒于上述情況而完成的，其技術課題在于提供一種環境負荷小、熱膨脹系數低且表面電荷密度低的半導體元件覆蓋用玻璃。
6、用于解決問題的技術手段
7、本專利技術人進行了深入研究，結果發現，通過使用具有特定的玻璃組成的sio2-zno-al2o3系玻璃，能夠解決上述技術課題，從而提出了本專利技術。即，本專利技術的半導體元件覆蓋用玻璃的特征在于，作為玻璃組成，以摩爾％計含有：sio2為30％以上且小于53％、zno為15％～30％、al2o3為2％～14％、b2o3為0～10％、mgo+cao大于11％且為30％以下，且實質上不含鉛成分。在此，“mgo+cao”是指mgo和cao的總量。另外，“實質上不含～”是指不有意地添加該成分作為玻璃成分，并不是指完全排除不可避免地混入的雜質。具體而言，是指包括雜質在內的該成分的含量小于0.1質量％。
8、如上所述，本專利技術的半導體元件覆蓋用玻璃限制了各成分的含量范圍。由此，環境負荷小，熱膨脹系數低，并且表面電荷密度降低。其結果，能夠適用于覆蓋低耐壓用的半導體元件。
9、本專利技術的半導體元件覆蓋用玻璃優選在熱處理后含有zn2sio4作為主結晶。在此，“熱處理”是指以800～1000℃進行10分鐘以上的熱處理。
10、本專利技術的半導體元件覆蓋用材料優選包含玻璃粉末，所述玻璃粉末含有上述的半導體元件覆蓋用玻璃。
11、本專利技術的半導體元件覆蓋用材料優選在熱處理后在30℃～300℃的溫度范圍內的熱膨脹系數為20×10-7/℃以上且48×10-7/℃以下。由此，容易避免半導體元件產生裂紋、翹曲的情況。在此，“30℃～300℃的溫度范圍內的熱膨脹系數”是指，通過推桿式熱膨脹系數測定裝置測定出的值。
12、本專利技術的半導體元件覆蓋用燒結體的特征在于，含有zn2sio4作為主結晶，zn2sio4的體積比率為10％～40％。另外，半導體元件覆蓋用燒結體是指對半導體元件覆蓋用材料進行熱處理后的燒結體。
13、本專利技術的半導體元件覆蓋用燒結體的特征在于，含有zn2sio4作為主結晶，且氣孔率為10％以下。
14、本專利技術的半導體元件覆蓋用燒結體中，優選地，作為玻璃組成，以摩爾％計含有：sio2?30％～小于53％、zno?15％～30％、al2o3?2％～14％、b2o3?0～10％、mgo+cao大于11％且為30％以下，且實質上不含鉛成分。
15、專利技術效果
16、根據本專利技術，能夠提供環境負荷小、熱膨脹系數低、且表面電荷密度低的半導體元件覆蓋用玻璃。
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1.一種半導體元件覆蓋用玻璃，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的半導體元件覆蓋用玻璃，其特征在于，
3.一種半導體元件覆蓋用材料，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的半導體元件覆蓋用材料，其特征在于，
5.一種半導體元件覆蓋用燒結體，其特征在于，
6.一種半導體元件覆蓋用燒結體，其特征在于，
7.根據權利要求5或6所述的半導體元件覆蓋用燒結體，其特征在于，
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種半導體元件覆蓋用玻璃，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的半導體元件覆蓋用玻璃，其特征在于，
3.一種半導體元件覆蓋用材料，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的半導體元件...
【專利技術屬性】
技術研發人員：廣瀨將行，
申請(專利權)人：日本電氣硝子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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