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    雙饋入天線結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

    技術(shù)編號:44298052 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-02-18 20:17
    本發(fā)明專利技術(shù)提供一種雙饋入天線結(jié)構(gòu)包含天線本體、第一饋入點(diǎn)、第二饋入點(diǎn)以及接地組件。天線本體包含第一臂、第二臂以及連接件。第一臂相鄰設(shè)置于第二臂,并且連接件連接第一臂以及第二臂。第一饋入點(diǎn)設(shè)置于第一臂上。第二饋入點(diǎn)設(shè)置于第二臂上。接地組件設(shè)置于第一饋入點(diǎn)以及第二饋入點(diǎn)之間,并且第一饋入點(diǎn)及接地組件之間的距離小于第二饋入點(diǎn)及接地組件之間的距離。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】

    本專利技術(shù)關(guān)于一種天線結(jié)構(gòu),更明確地說,關(guān)于一種用以產(chǎn)生互補(bǔ)天線輻射場型的雙饋入天線結(jié)構(gòu)


    技術(shù)介紹

    1、隨著科技的發(fā)展以及生活水平的提高,3c產(chǎn)品廣泛地應(yīng)用于日常生活中,并且耳機(jī)是為常見的3c產(chǎn)品之一。人們在公共場所時通常會使用耳機(jī)以避免影響到其他人。而耳機(jī)包含有線耳機(jī)以及無線耳機(jī)。由于無線耳機(jī)具有高便利性、輕巧實(shí)用以及擺脫線材困擾的優(yōu)勢,因此有線耳機(jī)逐漸被無線耳機(jī)所取代。

    2、一般來說,耳機(jī)的內(nèi)部包含天線,并且天線會產(chǎn)生輻射場型以接收外界訊號(如:手機(jī)發(fā)出的音訊)。常見的耳機(jī)僅會設(shè)置一個天線,也就是說,耳機(jī)僅能產(chǎn)生一個輻射場型。由于天線的尺寸及設(shè)計(jì)會因耳機(jī)的內(nèi)部空間而不同,使得天線所產(chǎn)生的輻射場型的形狀以及涵蓋范圍不同。若耳機(jī)產(chǎn)生的輻射場型無法覆蓋到訊號源能夠傳送的距離范圍,則會產(chǎn)生收訊死角并且造成耳機(jī)收訊中斷,進(jìn)而影響使用者體驗(yàn)。因此,在現(xiàn)有的技術(shù)中已發(fā)展出一個耳機(jī)分別安裝兩個天線并且兩個天線分別產(chǎn)生兩種輻射場型,以減少收訊死角。然而,當(dāng)一個耳機(jī)同時安裝兩個天線時,不僅會增加耳機(jī)體積及材料成本,并且會降低便攜性。進(jìn)一步地,隨著電子產(chǎn)品微小化的趨勢,體積較大的耳機(jī)逐漸不符合市場需求,又因耳機(jī)的內(nèi)部空間有限,因此天線的布局仍無法充分考慮輻射場型,進(jìn)而降低收訊品質(zhì)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、有鑒于此,本專利技術(shù)提供了一種雙饋入天線結(jié)構(gòu),以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。

    2、在一具體實(shí)施例中,本專利技術(shù)的雙饋入天線結(jié)構(gòu)包含天線本體、第一饋入點(diǎn)、第二饋入點(diǎn)以及接地組件。天線本體包含第一臂、第二臂以及連接件。第一臂相鄰設(shè)置于第二臂,并且連接件連接第一臂以及第二臂。第一饋入點(diǎn)設(shè)置于第一臂上。第二饋入點(diǎn)設(shè)置于第二臂上。接地組件設(shè)置于第一饋入點(diǎn)以及第二饋入點(diǎn)之間,并且第一饋入點(diǎn)及接地組件之間的距離小于第二饋入點(diǎn)及接地組件之間的距離。

    3、其中,天線本體透過第一饋入點(diǎn)接收訊號以產(chǎn)生第一電流以及第一輻射場型,并且天線本體透過第二饋入點(diǎn)接收訊號以產(chǎn)生第二電流以及第二輻射場型。其中,第一電流自第一臂流向第二臂,第二電流自第二臂流向第一臂,并且第一電流與第二電流交替存在。

    4、其中,第一電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向以及第二電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向?yàn)椴煌S方向。

    5、其中,第一電流的電流密度最大區(qū)域位于連接件上。

    6、其中,第二電流的電流密度最大區(qū)域位于第二臂上。

    7、其中,第一臂的尺寸大于第二臂的尺寸

    8、其中,第一臂及第二臂平行設(shè)置。

    9、其中,第一電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向以及第二電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向互相垂直。

    10、其中,第一輻射場型與第二輻射場型之間的天線封包相關(guān)系數(shù)(envelopecorrelation?coefficient,ecc)小于0.3。

    11、其中,第一輻射場型以及第二輻射場型呈互補(bǔ)輻射場型。

    12、其中,第一饋入點(diǎn)設(shè)置于第一臂遠(yuǎn)離連接件的端部,并且第二饋入點(diǎn)設(shè)置于第二臂遠(yuǎn)離連接件的端部。

    13、其中,第一饋入點(diǎn)設(shè)置于第一臂的端部靠近接地組件的位置。

    14、其中,天線本體的形狀呈c字型。

    15、其中,接地組件不接觸天線本體。

    16、綜上所述,本專利技術(shù)的雙饋入天線結(jié)構(gòu)以單一天線架構(gòu)并且透過天線本體與接地組件之間的不對稱結(jié)構(gòu)設(shè)置搭配雙饋入點(diǎn)的激發(fā)以實(shí)現(xiàn)雙天線效果,進(jìn)而降低空間設(shè)計(jì)需求以及材料成本。并且,本專利技術(shù)的雙饋入天線結(jié)構(gòu)透過雙饋入點(diǎn)的激發(fā)交替產(chǎn)生不同角度的電流以及兩個互補(bǔ)的輻射場型以減少收訊死角,進(jìn)而提升收訊質(zhì)量。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種雙饋入天線結(jié)構(gòu),包含:

    2.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該天線本體透過該第一饋入點(diǎn)接收訊號以產(chǎn)生一第一電流以及一第一輻射場型,該天線本體透過該第二饋入點(diǎn)接收訊號以產(chǎn)生一第二電流以及一第二輻射場型,其中該第一電流自該第一臂流向該第二臂,該第二電流自該第二臂流向該第一臂,并且該第一電流與該第二電流交替存在。

    3.如權(quán)利要求2所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向以及該第二電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向?yàn)椴煌S方向。

    4.如權(quán)利要求3所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一電流的電流密度最大區(qū)域位于該連接件上。

    5.如權(quán)利要求3所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二電流的電流密度最大區(qū)域位于該第二臂上。

    6.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一臂的尺寸大于該第二臂的尺寸。

    7.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一臂及該第二臂平行設(shè)置。

    8.如權(quán)利要求7所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向以及該第二電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向互相垂直。

    9.如權(quán)利要求2所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一輻射場型與該第二輻射場型之間的天線封包相關(guān)系數(shù)(Envelope?Correlation?Coefficient,ECC)小于0.5。

    10.如權(quán)利要求2所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一輻射場型以及該第二輻射場型呈互補(bǔ)輻射場型。

    11.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一饋入點(diǎn)設(shè)置于該第一臂遠(yuǎn)離該連接件的端部,并且該第二饋入點(diǎn)設(shè)置于該第二臂遠(yuǎn)離該連接件的端部。

    12.如權(quán)利要求11所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一饋入點(diǎn)設(shè)置于該第一臂的端部靠近該接地組件的位置。

    13.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該天線本體的形狀呈C字型。

    14.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該接地組件不接觸該天線本體。

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    【技術(shù)特征摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】

    1.一種雙饋入天線結(jié)構(gòu),包含:

    2.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該天線本體透過該第一饋入點(diǎn)接收訊號以產(chǎn)生一第一電流以及一第一輻射場型,該天線本體透過該第二饋入點(diǎn)接收訊號以產(chǎn)生一第二電流以及一第二輻射場型,其中該第一電流自該第一臂流向該第二臂,該第二電流自該第二臂流向該第一臂,并且該第一電流與該第二電流交替存在。

    3.如權(quán)利要求2所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向以及該第二電流于電流密度最大區(qū)域的電流方向?yàn)椴煌S方向。

    4.如權(quán)利要求3所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一電流的電流密度最大區(qū)域位于該連接件上。

    5.如權(quán)利要求3所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二電流的電流密度最大區(qū)域位于該第二臂上。

    6.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一臂的尺寸大于該第二臂的尺寸。

    7.如權(quán)利要求1所述的雙饋入天線結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一臂及該第二臂平行設(shè)置。

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    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:江建佑郭哲瑋薛丁明林建倫戴瑋德
    申請(專利權(quán))人:英華達(dá)上海科技有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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