【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及單晶硅生產(chǎn)制造，尤其涉及一種加料裝置及單晶爐。
技術(shù)介紹
1、光伏行業(yè)內(nèi)單晶硅的生產(chǎn)一般采用直拉法，為減少成本，逐步采用連續(xù)復(fù)投料拉晶工藝。目前，復(fù)投料使用的加料器，在復(fù)投料過程中，由于硅料在破碎、包裝、運輸?shù)冗^程中產(chǎn)生粉末，在硅料快速掉落石英坩堝內(nèi)的過程中，產(chǎn)生的硅粉會向上揚起，掉落在爐脖、導(dǎo)流筒上沿、水冷熱屏表面等地方。在單晶生長的等徑過程中，這些硅粉存在掉落的風(fēng)險，硅粉掉落后會造成單晶硅原子排列結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，導(dǎo)致單晶硅生長過程的斷線。同時，這些硅粉因粘附導(dǎo)流筒等石墨件表面的碳粉等雜質(zhì)，掉入硅溶液后還會增加單晶硅棒的含碳量，降低單晶硅的品質(zhì)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請的目的在于提供了一種加料裝置及單晶爐，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)問題。
2、為實現(xiàn)上述目的，本申請采用的技術(shù)方案如下：
3、第一方面，本申請實施例提供了一種加料裝置，包括：
4、加料本體，所述加料本體具有容納腔，所述容納腔用于放置硅料；
5、吸塵組件，所述吸塵組件套設(shè)于所述加料本體，所述吸塵組件包括吸氣盤，所述吸氣盤用于抽吸硅粉。
6、在第一方面的其中一個實施例中，所述加料本體還包括：
7、桶體，所述桶體具有所述容納腔；
8、第一法蘭，所述第一法蘭設(shè)置在所述桶體的一端，所述桶體與所述第一法蘭固定連接，所述第一法蘭用于將所述桶體架于單晶爐的爐脖上。
9、在第一方面的其中一個實施例中，所述吸塵組件包括：p>
10、支撐部，所述支撐部設(shè)置在所述第一法蘭背離所述桶體的一側(cè)，所述支撐部架于所述第一法蘭上；
11、吸塵部，所述吸塵部套設(shè)于所述桶體，所述吸塵部包括吸氣盤；
12、連接部，所述連接部穿設(shè)于支撐部，所述吸塵部設(shè)置在所述連接部遠離所述支撐部的一端，所述連接部位于所述支撐部和所述吸塵部之間，所述連接部用于連接所述支撐部和所述吸塵部。
13、在第一方面的其中一個實施例中，所述連接部包括：
14、第一連桿，所述第一連桿依次穿設(shè)于所述支撐部和所述桶體，所述第一連桿與所述支撐部連接，所述第一連桿內(nèi)具有第一氣道；
15、第二連桿，所述第二連桿穿設(shè)于所述支撐部，所述第二連桿位于所述桶體的外表面，所述第二連桿遠離所述支撐部的一端與所述吸塵部連接，所第二連桿內(nèi)具有第二氣道；
16、第三連桿，所述第三連桿穿設(shè)于所述支撐部，所述第三連桿位于所述桶體的外表面，所述第三連桿遠離所述支撐部的一端與所述吸塵部連接，所述第三連桿內(nèi)具有第三氣道；
17、其中，所述吸氣盤設(shè)置在所述桶體遠離所述第一法蘭的一端，所述第一連桿遠離所述支撐部的一端與所述吸氣盤連接。
18、在第一方面的其中一個實施例中，所述吸氣盤具有第一吸氣道，所述第一吸氣道設(shè)置在所述吸氣盤背離所述桶體的一側(cè)，所述吸氣道與所述第一氣道連通。
19、在第一方面的其中一個實施例中，所述吸氣盤還設(shè)置有第二吸氣道，所述第二吸氣道環(huán)繞所述第一吸氣道設(shè)置，所述第二吸氣道與所述第一氣道連通；
20、第三吸氣道，所述第三吸氣道設(shè)置在所述第二吸氣道背離所述第一吸氣道的一側(cè)，所述第三吸氣道環(huán)繞所述第二吸氣道設(shè)置，所述第三吸氣道與所述第一氣道連通。
21、在第一方面的其中一個實施例中，所述吸塵部還包括第二法蘭，所述第二法蘭套設(shè)于所述桶體上，所述第二法蘭可在所述桶體上滑動，所述第二法蘭設(shè)置在所述第二連桿遠離所述第一法蘭的一端，以及所述第二法蘭位于所述第三連桿遠離所述第一法蘭的一端。
22、在第一方面的其中一個實施例中，所述第二法蘭具有第四氣道，所述第四氣道與所述第三氣道連通；
23、所述第二法蘭背離所述桶體的一面設(shè)置有第四吸氣口，所述第四吸氣口與所述第四氣道連通，以及所述第二法蘭背離所述第一法蘭的一面設(shè)置有第五吸氣口，所述第五吸氣口與所述第四氣道連通。
24、在第一方面的其中一個實施例中，所述第二法蘭還設(shè)置有第五氣道，所述第五氣道位于所述第四氣道靠近所述第一法蘭的一側(cè)，所述第五氣道與所述第二氣道連通；
25、所述第二法蘭還設(shè)置有吹氣口，所述吹氣口設(shè)置在所述第二法蘭背離所述桶體的一面，所述吹氣口位于所述第四吸氣口靠近所述第一法蘭的一側(cè)，所述吹氣口與所述第五氣道連通。
26、第二方面，本申請實施例提供了一種單晶爐，包括上述任一實施例中所述的加料裝置。
27、相對于現(xiàn)有技術(shù)，本申請的有益效果是：本申請?zhí)岢鲆环N加料裝置及單晶爐。其中，所述加料裝置包括加料本體和吸塵組件，所述加料本體具有容納腔，所述容納腔用于放置硅料；所述吸塵組件套設(shè)于所述加料本體，所述吸塵組件包括吸氣盤，所述吸氣盤用于抽吸硅粉。本申請通過吸塵組件以及吸塵組件中的吸氣盤將主爐室中上揚的硅粉抽吸出主爐室，從而避免了揚起的硅粉掉落而附著在單晶爐的爐脖、導(dǎo)流筒上沿或水冷熱屏表面等部位，從而提高了單晶硅棒的生長質(zhì)量。
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1.一種加料裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加料裝置，其特征在于，所述加料本體還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加料裝置，其特征在于，所述吸塵組件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加料裝置，其特征在于，所述連接部包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加料裝置，其特征在于，所述吸氣盤具有第一吸氣道，所述第一吸氣道設(shè)置在所述吸氣盤背離所述桶體的一側(cè)，所述吸氣道與所述第一氣道連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加料裝置，其特征在于，所述吸氣盤還設(shè)置有第二吸氣道，所述第二吸氣道環(huán)繞所述第一吸氣道設(shè)置，所述第二吸氣道與所述第一氣道連通；
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加料裝置，其特征在于，所述吸塵部還包括第二法蘭，所述第二法蘭套設(shè)于所述桶體上，所述第二法蘭可在所述桶體上滑動，所述第二法蘭設(shè)置在所述第二連桿遠離所述第一法蘭的一端，以及所述第二法蘭位于所述第三連桿遠離所述第一法蘭的一端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加料裝置，其特征在于，所述第二法蘭具有第四氣道，所述第四氣道與所述第三氣道連通；
9.根
10.一種單晶爐，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任一項所述的加料裝置。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種加料裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加料裝置，其特征在于，所述加料本體還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加料裝置，其特征在于，所述吸塵組件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加料裝置，其特征在于，所述連接部包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加料裝置，其特征在于，所述吸氣盤具有第一吸氣道，所述第一吸氣道設(shè)置在所述吸氣盤背離所述桶體的一側(cè)，所述吸氣道與所述第一氣道連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加料裝置，其特征在于，所述吸氣盤還設(shè)置有第二吸氣道，所述第二吸氣道環(huán)繞所述第一吸氣道設(shè)置，所述第二吸氣道與所述第一氣道連通；
7.根...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄒凱，莫磊，張國宏，康斌，李殿喜，張德林，周文東，杜明，田棟東，李長營，
申請(專利權(quán))人：甘肅瓜州寶豐硅材料開發(fā)有限公司，
類型：新型
國別省市：
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