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【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及光刻,具體涉及一種光刻硅片表面壓力測量方法。
技術(shù)介紹
1、在光刻工藝中,硅片表面的壓力測量是至關(guān)重要的,因為它直接影響到光刻質(zhì)量、芯片性能以及最終產(chǎn)品的可靠性。
2、現(xiàn)有技術(shù)中通常采用在硅片表面貼設(shè)應(yīng)變片的方式測量硅片表面壓力,通過測量應(yīng)變片電阻的變化來推算壓力,這種方式易受環(huán)境因素影響;測量精度受限于應(yīng)變片的性能和粘貼質(zhì)量;無法實現(xiàn)實時監(jiān)測;而一些技術(shù)采用壓電傳感器進行測量,然而,壓電材料易受溫度和濕度影響,穩(wěn)定性較差;需要復雜的信號處理電路。
3、基于此,為了適配光刻技術(shù)的發(fā)展,需要一種既能實時監(jiān)測、快速響應(yīng),又不易受光刻過程干擾的硅片表面壓力測量方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供了一種光刻硅片表面壓力測量方法,具體通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
2、一種光刻硅片表面壓力測量方法,包括以下步驟:
3、s1、制備測壓硅片:所述測壓硅片內(nèi)嵌入有多個測壓芯片;所述測壓芯片通過微小通道與外部數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相連接,以實時采集并傳輸壓力數(shù)據(jù)
4、s2、預處理:對測壓硅片進行處理,使測壓硅片表面平整、清潔,無劃痕或污染;
5、s3、安裝測壓硅片:將測壓硅片與待測硅片一同放置在硅片盒中,并完成對準和調(diào)平操作;
6、s4、執(zhí)行光刻流程:使測壓硅片與待測硅片執(zhí)行相同的曝光流程;在此過程中,測壓硅片中的測壓芯片測量并采集待測區(qū)域的壓力,并將其轉(zhuǎn)換為電信號進行輸出;
< ...【技術(shù)保護點】
1.一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:所述測壓硅片具有與待測硅片相同的形狀和尺寸;所述測壓硅片的直徑為50-600mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:所述測壓芯片包括支撐層、密封層、諧振層和膜片層;所述密封層靠近諧振層一側(cè)設(shè)置有腔體,諧振層包括諧振梁,所述膜片層則包含壓力敏感膜片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:所述測壓芯片采用等間距陣列排布的方式嵌入在側(cè)壓硅片內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:所述測壓芯片將采集的壓力變化數(shù)據(jù)以光信號的形式通過光纖與外部數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:在對采集的數(shù)據(jù)進行分析前,對數(shù)據(jù)進行濾波、去噪、校準。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:所述測壓硅片具有與待測硅片相同的形狀和尺寸;所述測壓硅片的直徑為50-600mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻硅片表面壓力測量方法,其特征在于:所述測壓芯片包括支撐層、密封層、諧振層和膜片層;所述密封層靠近諧振層一側(cè)設(shè)置有腔體,諧振層包括諧振梁,所述膜片層則包含壓力敏感膜片...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:劉宏偉,鮑歡,
申請(專利權(quán))人:蘇州勵索精密裝備科技有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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