一種提升散熱性能的DIP半導體器件制造技術

一種提升散熱性能的DIP半導體器件，涉及半導體封測技術領域，包括包封體，所述的包封體的內部設置有芯片，所述的包封體的兩側固定設置有引腳，所述的引腳與芯片通過金屬線進行連接，其特征在于，所述的芯片的一側固定設置有基島，所述的基島的散熱片裸露在包封體的外側。本技術可以提高散熱性能，用以改善目前DIP封裝技術存在的不足，提高產品的應用領域和更高的可靠性，同時DIP封裝技術產品的應用也可以更為廣泛。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及半導體封測，具體為一種提升散熱性能的dip半導體器件。

技術介紹

1、dip半導體器件是最早出現的集成電路封裝形式之一，由于其成本低、產品結構簡單、應用安裝方便、可靠性高和易于維護及適用范圍廣等特點，一開始便得到廣泛的應用與推廣；早期由于受集成電路設計、晶圓加工工藝和封裝的限制封裝成品尺寸體積較大但對抗濕氣侵入的可靠性較好；

2、dip封裝技術的產品結構主要由芯片承載的die?pad、實現與外部電路互聯的引線腳和保護內部電路的emc材料，

3、dip產品廣泛應用于各種電子產品中，如計算機、電視機、手機等。隨著電子技術的發展，dip雙列直插式封裝技術也在不斷發展和改進。此外，隨著smt技術的發展，dip封裝技術部分產品也逐步向smt技術轉型，主要原因是dip技術產品安裝方法主要是波峰焊工藝成本相對smt技術的回流峰焊高，且smt技術更適合電子元器件貼裝的大批量作業；由于dip封裝技術產品的由于其成本低、產品結構簡單、應用安裝方便、可靠性高和易于維護及適用范圍廣等特點目前仍處于廣泛應用還無法完全被smt技術產品替代，dip雖具有自身安裝穩定緊固和高可靠性的特點但在自身散熱方面也存在不足，主要表面在dip封裝產品包封體較厚體積較大且無外露的散熱結構。

技術實現思路

1、本技術的目的在于提高散熱性能，用以改善目前dip封裝技術存在的不足，提高產品的應用領域和更高的可靠性的一種提升散熱性能的dip半導體器件。

2、為實現上述目的，本技術提供如下技術方案：

3、一種提升散熱性能的dip半導體器件，包括包封體，所述的包封體的內部設置有芯片，所述的包封體的兩側固定設置有引腳，所述的引腳與芯片通過金屬線進行連接，其特征在于，所述的芯片的一側固定設置有基島，所述的基島的散熱片裸露在包封體的外側。

4、優選的技術方案，所述的芯片通過粘接膠與基島進行固定連接。

5、優選的技術方案，所述的基島的兩側設置有折彎端，所述的折彎端包封在包封體的內部。

6、優選的技術方案，所述的基島的散熱片位于包封體的上側，且引腳向包封體的下側方向折彎。

7、優選的技術方案，所述的基島的散熱片位于包封體的下側，且引腳向包封體的下側方向折彎。

8、優選的技術方案，所述的引腳和基島的材料厚度選擇0.254mm-0.50mm。

9、優選的技術方案，所述的包封體厚度為1.40mm-3.5mm。

10、優選的技術方案，所述的包封體下側中間位置或包封體下側兩對角間位置設置有e-pin。

11、優選的技術方案，所述的包封體下側兩對角間位置設置有e-pin。

12、與現有技術相比，本技術的有益效果是：

13、本技術可以提高散熱性能，用以改善目前dip封裝技術存在的不足，提高產品的應用領域和更高的可靠性，同時dip封裝技術產品的應用也可以更為廣泛。

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【技術保護點】

1.一種提升散熱性能的DIP半導體器件，包括包封體(1)，所述的包封體(1)的內部設置有芯片(2)，所述的包封體(1)的兩側固定設置有引腳(3)，所述的引腳(3)與芯片(2)通過金屬線(4)進行連接，其特征在于，所述的芯片(2)的一側固定設置有基島(5)，所述的基島(5)的散熱片裸露在包封體(1)的外側。

2.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的芯片(2)通過粘接膠(6)與基島(5)進行固定連接。

3.根據權利要求1或2所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的基島(5)的兩側設置有折彎端(51)，所述的折彎端(51)包封在包封體(1)的內部。

4.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的基島(5)的散熱片位于包封體(1)的上側，且引腳(3)向包封體(1)的下側方向折彎。

5.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的基島(5)的散熱片位于包封體(1)的下側，且引腳(3)向包封體(1)的下側方向折彎。

6.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的引腳和基島的材料厚度選擇0.254mm-0.50mm。

7.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的包封體厚度為1.40mm-3.5mm。

8.根據權利要求4所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的包封體下側中間位置或包封體兩對角間位置設置有E-PIN(7)。

9.根據權利要求5所述一種提升散熱性能的DIP半導體器件，其特征在于：所述的包封體下側兩對角間位置設置有E-PIN(7)。

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【技術特征摘要】

1.一種提升散熱性能的dip半導體器件，包括包封體(1)，所述的包封體(1)的內部設置有芯片(2)，所述的包封體(1)的兩側固定設置有引腳(3)，所述的引腳(3)與芯片(2)通過金屬線(4)進行連接，其特征在于，所述的芯片(2)的一側固定設置有基島(5)，所述的基島(5)的散熱片裸露在包封體(1)的外側。

2.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的dip半導體器件，其特征在于：所述的芯片(2)通過粘接膠(6)與基島(5)進行固定連接。

3.根據權利要求1或2所述一種提升散熱性能的dip半導體器件，其特征在于：所述的基島(5)的兩側設置有折彎端(51)，所述的折彎端(51)包封在包封體(1)的內部。

4.根據權利要求1所述一種提升散熱性能的dip半導體器件，其特征在于：所述的基島(5)的散熱片位于包封體(1)的上側，且引腳(3...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃乙為，饒錫林，易炳川，曾慶果，斯毅平，李立，
申請(專利權)人：氣派科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：