【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及一種表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線(xiàn)板。
技術(shù)介紹
1、覆銅積層板廣泛用于可撓性印刷配線(xiàn)板等各種用途中。可撓性印刷配線(xiàn)板通過(guò)對(duì)覆銅積層板的銅箔進(jìn)行蝕刻以形成導(dǎo)體圖案(亦稱(chēng)為“配線(xiàn)圖案”)，并利用焊料在導(dǎo)體圖案上連接安裝電子元件而制造。
2、近年來(lái)，在計(jì)算機(jī)、移動(dòng)終端等電子機(jī)器中，隨著通信的高速化及大電容化，電氣訊號(hào)不斷高頻化，業(yè)界要求可應(yīng)對(duì)于此的可撓性印刷配線(xiàn)板。尤其，電氣訊號(hào)的頻率越高，訊號(hào)功率的損耗(衰減)越大，越難以讀取數(shù)據(jù)。因此，業(yè)界要求減少訊號(hào)功率的損耗。
3、電子線(xiàn)路中發(fā)生訊號(hào)功率損耗(傳輸損耗)的原因大體分為兩種。其一為導(dǎo)體損耗，即由銅箔所引起的損耗。其二為介電損耗，即由樹(shù)脂基材所引起的損耗。
4、在高頻區(qū)域中具有電流在導(dǎo)體表面流動(dòng)的特性(即集膚效應(yīng))。因此，若銅箔表面較粗糙，則電流將沿復(fù)雜的路徑流動(dòng)。因此，為了減少高頻信號(hào)的導(dǎo)體損耗，較理想為降低銅箔的表面粗糙度。以下，在本說(shuō)明書(shū)中，在僅記載為“傳輸損耗”及“導(dǎo)體損耗”的情況下，主要意味著“高頻信號(hào)的傳輸損耗”及“高頻信號(hào)的導(dǎo)體損耗”。
5、介電損耗取決于樹(shù)脂基材的種類(lèi)。因此，在高頻信號(hào)流動(dòng)的電路基板中，較理想為使用由低介電材料(例如液晶聚合物、低介電聚酰亞胺)形成的樹(shù)脂基材。又，介電損耗亦受“將銅箔與樹(shù)脂基材之間接著的接著劑”的影響。因此，較理想為銅箔與樹(shù)脂基材之間在不使用接著劑的情況下接著。
6、于是，為了不使用接著劑而將銅箔與樹(shù)脂基材之間接著，提出：在銅箔的至少一面形成表面處理層。例
7、[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
8、[專(zhuān)利文獻(xiàn)]
9、[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)2012-112009號(hào)公報(bào)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、[專(zhuān)利技術(shù)所要解決的課題]
2、若對(duì)銅箔表面進(jìn)行粗化處理，則可利用由粗化粒子所帶來(lái)的錨定效應(yīng)來(lái)提高銅箔與樹(shù)脂基材之間的接著性，但存在因集膚效應(yīng)而使導(dǎo)體損耗增加的情況。因此，較理想為減少電沉積于銅箔表面的粗化粒子。
3、另一方面，若減少電沉積于銅箔表面的粗化粒子，則由粗化粒子所帶來(lái)的錨定效應(yīng)下降。其結(jié)果是，無(wú)法充分獲得銅箔與樹(shù)脂基材的接著性。尤其，相較于以往的樹(shù)脂基材，由液晶聚合物、低介電聚酰亞胺等低介電材料形成的樹(shù)脂基材難以與銅箔接著，故而期望研發(fā)一種提高銅箔與樹(shù)脂基材之間的接著性的方法。
4、又，硅烷偶合處理層雖具有提升銅箔與樹(shù)脂基材之間的接著性的效果，但根據(jù)其種類(lèi)，有時(shí)接著性的提升效果不充分。
5、本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案是為解決如上所述的問(wèn)題而完成的。在一實(shí)施例中，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案的目的在于，提供一種可提高與樹(shù)脂基材尤其是適于高頻用途的樹(shù)脂基材的接著性的表面處理銅箔。
6、又，在另一實(shí)施例中，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案的目的在于，提供一種樹(shù)脂基材尤其是適于高頻用途的樹(shù)脂基材與表面處理銅箔之間的接著性?xún)?yōu)異的覆銅積層板。
7、進(jìn)而，在又一實(shí)施例中，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案的目的在于，提供一種樹(shù)脂基材尤其是適于高頻用途的樹(shù)脂基材與電路圖案之間的接著性?xún)?yōu)異的印刷配線(xiàn)板。
8、[解決課題的技術(shù)手段]
9、本專(zhuān)利技術(shù)人等為解決上述問(wèn)題而對(duì)表面處理銅箔進(jìn)行了潛心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，基于表面處理層的核心部的實(shí)體部體積vmc與表面處理層的表面形狀(尤其是粗化處理層中的粗化粒子的大小)有關(guān)這一見(jiàn)解，通過(guò)將表面處理層的核心部的實(shí)體部體積vmc控制于特定范圍內(nèi)，可提高由表面處理層所帶來(lái)的錨定效應(yīng)，提升表面處理銅箔與樹(shù)脂基材的接著性。
10、即，在一實(shí)施例中，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案涉及一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成于上述銅箔的至少一面的表面處理層，且上述表面處理層的核心部的實(shí)體部體積vmc為0.35～0.55μm3/μm2。
11、又，在另一實(shí)施例中，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案涉及一種覆銅積層板，其具備上述表面處理銅箔及接著于上述表面處理銅箔的上述表面處理層上的樹(shù)脂基材。
12、進(jìn)而，在又一實(shí)施例中，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案涉及一種印刷配線(xiàn)板，其具備電路圖案，該電路圖案是對(duì)上述覆銅積層板的上述表面處理銅箔進(jìn)行蝕刻而形成。
13、[專(zhuān)利技術(shù)的效果]
14、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案，在一實(shí)施例中，可提供一種可提高與樹(shù)脂基材尤其是適于高頻用途的樹(shù)脂基材的接著性的表面處理銅箔。
15、又，根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案，在另一實(shí)施例中，可提供一種樹(shù)脂基材尤其是適于高頻用途的樹(shù)脂基材與表面處理銅箔之間的接著性?xún)?yōu)異的覆銅積層板。
16、進(jìn)而，根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方案，在又一實(shí)施例中，可提供一種樹(shù)脂基材尤其是適于高頻用途的樹(shù)脂基材與電路圖案之間的接著性?xún)?yōu)異的印刷配線(xiàn)板。
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1.一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成于所述銅箔的至少一面的表面處理層，
2.如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，所述核心部的實(shí)體部體積Vmc為0.37～0.52μm3/μm2。
3.如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，所述核心部的實(shí)體部體積Vmc為0.38～0.45μm3/μm2。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的核心部的水平差Sk為0.70～1.50μm。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的核心部的水平差Sk為0.85～1.30μm。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的核心部的水平差Sk為1.03～1.18μm。
7.如權(quán)利要求4所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的偏斜度Ssk為0.10～1.00。
8.如權(quán)利要求6所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的偏斜度Ssk為0.30～0.90。
9.如權(quán)利要求6所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的偏斜度Ssk為
10.如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層中的Zn附著量為6～200μm/dm2。
11.如權(quán)利要求10所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層中的Zn附著量為82～200μm/dm2。
12.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層含有粗化處理層。
13.一種覆銅積層板，其具備權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔及接著于所述表面處理銅箔的所述表面處理層上的樹(shù)脂基材。
14.一種印刷配線(xiàn)板，其具備電路圖案，該電路圖案是對(duì)權(quán)利要求13所述的覆銅積層板的所述表面處理銅箔進(jìn)行蝕刻而形成。
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
1.一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成于所述銅箔的至少一面的表面處理層，
2.如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，所述核心部的實(shí)體部體積vmc為0.37～0.52μm3/μm2。
3.如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，所述核心部的實(shí)體部體積vmc為0.38～0.45μm3/μm2。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的核心部的水平差sk為0.70～1.50μm。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的核心部的水平差sk為0.85～1.30μm。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的核心部的水平差sk為1.03～1.18μm。
7.如權(quán)利要求4所述的表面處理銅箔，其中，所述表面處理層的偏斜度ssk為0.10～1.00。<...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：古村俊行，三木敦史，楠木啟介，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：JX金屬株式會(huì)社，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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