【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導體領(lǐng)域，尤其是涉及一種涂布光致抗蝕劑層表面的頂抗反射涂層的方法。
技術(shù)介紹
1、在半導體制作工藝中，形成圖案化的材料層是相當常見的技術(shù)。其中圖案化的步驟大致包含：涂布光致抗蝕劑層于材料層上，對光致抗蝕劑層進行曝光與顯影后可形成圖案化的光致抗蝕劑層，接下來通常以圖案化后的光致抗蝕劑層當作掩模并且進行蝕刻步驟，以蝕刻下方未被掩模所阻擋的材料層。
2、上述圖案化步驟中，需要在材料層的表面形成光致抗蝕劑層，然而在曝光過程中，為了避免光致抗蝕劑層造成光反射導致曝光效果不佳，經(jīng)常會在光致抗蝕劑層的表面再形成一頂部抗反射涂層(top?anti-reflection?coating，簡稱tarc)，tarc的主要作用是降低光線的反射并且提高曝光制作工藝的成功率。因此，所形成的tarc品質(zhì)的好壞也會影響到半導體制作工藝中曝光步驟的良率，目前形成tarc的制作工藝仍有一些缺點需要改進，因此需要研發(fā)出一種改良的形成tarc的方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含提供一轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤上方放置一基底，基底上有一光致抗蝕劑層，噴涂一去離子水至光致抗蝕劑層上，噴涂一頂抗反射涂布液至去離子水上，使頂抗反射涂布液與去離子水混合，并形成一混和液體，以及進行一旋轉(zhuǎn)涂布步驟，將混和液體旋涂分散，以形成一頂抗反射涂布膜位于光致抗蝕劑層上。
2、本專利技術(shù)另提供一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含提供一轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤上方放置一基底，基底上有一光致抗蝕劑層，噴涂一
3、本專利技術(shù)的特征在于，提供一種涂布頂抗反射涂層的方法，在光致抗蝕劑層上先噴涂去離子水，且在去離子水還沒被旋轉(zhuǎn)涂布之前就將頂抗反射涂布液與去離子水混和，之后才將混和液體旋轉(zhuǎn)涂布。通過本專利技術(shù)所提供的方法，可以大幅度減少在曝光過程中頂抗反射涂布液的用量，由此降低成本。除此之外，本專利技術(shù)提供的方法還可以解決形成頂抗反射涂層時可能會遇到的微小氣泡、中央?yún)^(qū)域凹陷等問題。
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1.一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含:
2.如權(quán)利要求1所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中噴涂該去離子水至該光致抗蝕劑層上之后，形成集中水膜于該光致抗蝕劑層的中央部分。
3.如權(quán)利要求2所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該集中水膜僅位于該光致抗蝕劑層的中央?yún)^(qū)域，而不位于該光致抗蝕劑層的周圍區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中形成該混和液體前，該轉(zhuǎn)盤并未旋轉(zhuǎn)或是以低速緩慢旋轉(zhuǎn)。
5.如權(quán)利要求1所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中將該混和液體涂布至該光致抗蝕劑層表面之后，還包含進行烘烤步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該烘烤步驟以后，該光致抗蝕劑層的中央?yún)^(qū)域包含有空洞位于其中，并且該空洞位于該頂抗反射涂布膜之下。
7.如權(quán)利要求5所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中噴涂該頂抗反射涂布液至該去離子水上形成該混和液體后，直到進行該烘烤步驟為止，該頂抗反射涂布液持續(xù)噴涂而未停止。
8.一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含:
9.如權(quán)利要求8所述的涂布頂抗反
10.如權(quán)利要求9所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該去離子水于該第一偏移位置噴涂一段時間之后，至該光致抗蝕劑層的第二偏移位置繼續(xù)噴涂該去離子水，其中該第二偏移位置位于該光致抗蝕劑層的中心點旁邊的一個單位距離之處。
11.如權(quán)利要求10所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該第二偏移位置與該第一偏移位置位于該中心點的兩個相反方向。
12.如權(quán)利要求10所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該去離子水于該第二偏移位置噴涂一段時間之后，至該光致抗蝕劑層的該中心點繼續(xù)噴涂該去離子水。
13.如權(quán)利要求8所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中噴涂該去離子水至該光致抗蝕劑層上之后，形成集中水膜于該光致抗蝕劑層的中央部分。
14.如權(quán)利要求13所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該集中水膜僅位于該光致抗蝕劑層的中央?yún)^(qū)域，而不位于該光致抗蝕劑層的周圍區(qū)域。
15.如權(quán)利要求8所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中噴涂該頂抗反射涂布液至該去離子水上形成該混和液體后，直到進行烘烤步驟為止，該頂抗反射涂布液持續(xù)噴涂而未停止。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含:
2.如權(quán)利要求1所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中噴涂該去離子水至該光致抗蝕劑層上之后，形成集中水膜于該光致抗蝕劑層的中央部分。
3.如權(quán)利要求2所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該集中水膜僅位于該光致抗蝕劑層的中央?yún)^(qū)域，而不位于該光致抗蝕劑層的周圍區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中形成該混和液體前，該轉(zhuǎn)盤并未旋轉(zhuǎn)或是以低速緩慢旋轉(zhuǎn)。
5.如權(quán)利要求1所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中將該混和液體涂布至該光致抗蝕劑層表面之后，還包含進行烘烤步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該烘烤步驟以后，該光致抗蝕劑層的中央?yún)^(qū)域包含有空洞位于其中，并且該空洞位于該頂抗反射涂布膜之下。
7.如權(quán)利要求5所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中噴涂該頂抗反射涂布液至該去離子水上形成該混和液體后，直到進行該烘烤步驟為止，該頂抗反射涂布液持續(xù)噴涂而未停止。
8.一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含:
9.如權(quán)利要求8所述的涂布頂抗反射涂層的方法，其中該去離子水噴涂至該光致抗蝕劑層...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉殿寒，任茂華，白源吉，談文毅，
申請(專利權(quán))人：聯(lián)芯集成電路制造廈門有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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