【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體裝置。
技術介紹
1、半導體芯片通常容納在半導體封裝內部，所述半導體封裝保護芯片免受例如熱量、濕氣和碎屑等有害環境影響。封裝芯片經由暴露于封裝表面的導電構件(例如引線)與封裝外部的電子裝置通信。在封裝內，芯片可使用任何合適的技術電耦合到導電構件。一種此類技術是倒裝芯片技術，其中半導體芯片(也稱為“管芯”)被倒裝，以使得芯片的裝置側(其中形成電路系統)面向下。裝置側使用例如焊料凸塊耦合到導電構件。另一種技術是引線鍵合技術，其中半導體芯片的裝置側向上定向且使用接合線耦合到導電構件。
技術實現思路
1、在一些實例中，一種晶片芯片尺寸封裝(wcsp)包括：半導體管芯，其具有其中形成電路系統的裝置側以及與所述裝置側相對的非裝置側；焊料凸塊，其電耦合到所述電路系統；以及模塑料，其與所述裝置側、所述焊料凸塊以及所述半導體管芯的四個橫向側接觸。所述封裝還包括與所述半導體管芯的所述非裝置側以及所述模塑料接觸的熱焊盤。
2、在一些實例中，一種用于制造半導體裝置的方法包括將焊料凸塊定位在半導體晶片的裝置側上，所述裝置側具有在其中形成的電路系統。所述方法還包括切穿所述半導體晶片的厚度以產生部分第一和第二溝槽，以及將模塑料應用于所述裝置側、所述焊料凸塊以及所述部分第一和第二溝槽。所述方法還包括背面研磨所述半導體晶片以減小所述半導體晶片的厚度，所述背面研磨產生第一和第二半導體管芯。所述方法包括：將熱焊盤耦合到所述第一半導體管芯的第一非裝置側以及所述第二半導體管芯的第二非裝置側；分離
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1.一種晶片芯片尺寸封裝WCSP，其包括：
2.根據權利要求1所述的WCSP，其中所述模塑料不與所述半導體管芯的所述非裝置側接觸。
3.根據權利要求1所述的WCSP，其中所述WCSP具有在高達50攝氏度/瓦范圍內的結與環境熱阻值。
4.根據權利要求1所述的WCSP，其中所述熱焊盤包括金或錫。
5.根據權利要求4所述的WCSP，其中所述熱焊盤具有在高達4微米范圍內的厚度。
6.根據權利要求1所述的WCSP，其進一步包括與所述熱焊盤接觸的熱界面材料，所述熱界面材料包括相變化合物和導熱聚酰亞胺膜。
7.根據權利要求6所述的WCSP，其進一步包括散熱器，所述散熱器與所述熱界面材料接觸且包括鰭片結構。
8.根據權利要求6所述的WCSP，其中所述熱界面材料具有在0.09毫米到1.1毫米范圍內的厚度。
9.根據權利要求6所述的WCSP，其中所述熱界面材料具有至少1.5瓦/米開爾文的導熱系數。
10.一種晶片芯片尺寸封裝WCSP，其包括：
11.根據權利要求10所述的WCSP，
12.根據權利要求10所述的WCSP，其中所述熱界面材料包括間隙填充物焊盤。
13.根據權利要求12所述的WCSP，其中所述間隙填充物焊盤包括硅酮化合物。
14.根據權利要求10所述的WCSP，其中所述熱界面材料包括相變化合物和聚酰亞胺膜。
15.根據權利要求10所述的WCSP，其中所述熱界面材料包括丙烯酸黏合劑。
16.一種用于制造半導體裝置的方法，其包括：
17.根據權利要求16所述的方法，其中所述熱界面材料具有至少1.5瓦/米開爾文的導熱系數。
18.根據權利要求16所述的方法，其中所述熱界面材料具有在0.09mm到1.1mm范圍內的厚度。
19.根據權利要求16所述的方法，其中所述熱界面材料包括相變化合物。
20.根據權利要求16所述的方法，其中所述熱界面材料包括導熱聚酰亞胺膜。
...【技術特征摘要】
1.一種晶片芯片尺寸封裝wcsp，其包括：
2.根據權利要求1所述的wcsp，其中所述模塑料不與所述半導體管芯的所述非裝置側接觸。
3.根據權利要求1所述的wcsp，其中所述wcsp具有在高達50攝氏度/瓦范圍內的結與環境熱阻值。
4.根據權利要求1所述的wcsp，其中所述熱焊盤包括金或錫。
5.根據權利要求4所述的wcsp，其中所述熱焊盤具有在高達4微米范圍內的厚度。
6.根據權利要求1所述的wcsp，其進一步包括與所述熱焊盤接觸的熱界面材料，所述熱界面材料包括相變化合物和導熱聚酰亞胺膜。
7.根據權利要求6所述的wcsp，其進一步包括散熱器，所述散熱器與所述熱界面材料接觸且包括鰭片結構。
8.根據權利要求6所述的wcsp，其中所述熱界面材料具有在0.09毫米到1.1毫米范圍內的厚度。
9.根據權利要求6所述的wcsp，其中所述熱界面材料具有至少1.5瓦/米開爾文的導熱系數。
10.一種晶片芯片尺寸封裝wcsp，其包括：...
【專利技術屬性】
技術研發人員：G·E·S·雷耶斯，E·M·埃尼皮恩，
申請(專利權)人：德州儀器公司，
類型：發明
國別省市：
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