【技術實現步驟摘要】
本申請涉及顯示，尤其涉及一種發光器件及顯示裝置。
技術介紹
1、有機電致發光器件(organic?light?emitting?device，簡稱oled)為主動發光器件，具有發光、超薄、廣視角、高亮度、高對比度、較低耗電、極高反應速度等優點，已逐漸成為極具發展前景的下一代顯示技術。一般oled包括陽極、陰極以及設置在陽極和陰極之間的有機發光層，其發光原理是將空穴、電子分別由陽極、陰極注入至發光層，當電子和空穴在發光層中相遇時，電子和空穴在發光層復合從而產生激子(exciton)，在從激發態轉變為基態的同時，這些激子發光。
2、目前，oled器件中以敏化器件為主，敏化器件是指在發光器件中使用敏化劑的器件，它能夠提高器件的發光效率或穩定性。其中，敏化劑可以吸收能量并將其傳遞給發光分子，從而提高發光效率。但是，敏化劑在能量轉移過程中會存在較多的熱耗散，降低敏化劑的發光效率。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供一種發光器件及顯示裝置，旨在改善現有的敏化器件在使用過程中存在發光效率低的問題。
2、第一方面，本申請實施例提供一種發光器件，包括：
3、發光層，所述發光層包括敏化劑；
4、所述敏化劑的發射光譜包括：
5、第一發射峰，
6、第二發射峰，位于所述第一發射峰的一側或兩側，
7、所述第二發射峰的最大發射強度小于所述第一發射峰的最大發射強度；
8、所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最
9、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一發射峰的發射峰值的取值范圍為400nm至700nm。
10、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑的光譜半峰寬大于或者等于10nm，小于或者等于50nm。
11、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑的光譜半峰寬的取值范圍為26nm至39nm。
12、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑的光譜半峰寬的取值范圍為30nm至34nm。
13、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.10至0.50。
14、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.30至0.50。
15、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.32至0.41。
16、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.20至0.50。
17、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.20至0.21。
18、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.10至0.35。
19、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑具有如式i所示的化合物：
20、
21、其中，n1獨立地選自0，1，2，3；
22、n2-n5獨立地選自0，1，2，3，4；
23、r1-r5獨立地選自氫原子、氘原子、鹵素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環烷基、取代或未取代的雜環、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基、取代或未取代的硼烷基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的芳氧基,并可于相鄰基團成環。
24、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑具有如式ii所示的化合物或者如式iii所示的化合物：
25、
26、其中，
27、x獨立地選自o，s或n-r10；
28、l1獨立地選自單鍵，o，s，n-r10或-cr16r17-；
29、n6-n9獨立地選自0，1，2，3，4；
30、r6-r9獨立地選自氫原子、氘原子、鹵素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環烷基、取代或未取代的雜環、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基、取代或未取代的硼烷基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的芳氧基,并可于相鄰基團成環。
31、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑具有如式iv，式v，式vi或者式vii所示化合物中的任意一種；
32、
33、其中，
34、x獨立地選自o，s或n-r10；
35、n6-n7，n11-n15獨立地選自0，1，2，3，4；
36、r6-r7，r11-r15獨立地選自氫原子、氘原子、鹵素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的環烷基、取代或未取代的雜環、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基、取代或未取代的硼烷基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的芳氧基,并可于相鄰基團成環。
37、可選的，在本申請的一些實施例中，所述敏化劑包括如下化合物的任意一種：
38、
39、
40、可選的，在本申請的一些實施例中，所述發光層還包括主體材料，所述主體材料包括p型材料、n型材料中至少一種。
41、可選的，在本申請的一些實施例中，所述發光層還包括熒光客體材料，所述熒光客體材料的光譜半峰寬大于或者等于10nm，小于或者等于50nm。
42、第二方面，本申請實施例提供一種顯示裝置，包括前述的發光器件。
43、本申請實施例提供的一種發光器件中，敏化劑的發射光譜中包括第一發射峰與第二發射峰，第二發射峰位于第一發射峰的一側或者兩側，本申請限定了第二發射峰的最大發射強度小于第二發射峰的最大發射強度，，有利于減少因第二發射峰的存在而導致在敏化劑傳遞能量過程中熱耗散的增加。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種發光器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第一發射峰的發射峰值的取值范圍為400nm至700nm。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述敏化劑的光譜半峰寬大于或者等于10nm，小于或者等于50nm。
4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述敏化劑的光譜半峰寬的取值范圍為26nm至39nm。
5.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述敏化劑的光譜半峰寬的取值范圍為30nm至34nm。
6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.10至0.50。
7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.30至0.50。
8.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.32至0.41。
<...【技術特征摘要】
1.一種發光器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第一發射峰的發射峰值的取值范圍為400nm至700nm。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述敏化劑的光譜半峰寬大于或者等于10nm，小于或者等于50nm。
4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述敏化劑的光譜半峰寬的取值范圍為26nm至39nm。
5.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述敏化劑的光譜半峰寬的取值范圍為30nm至34nm。
6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.10至0.50。
7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.30至0.50。
8.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.32至0.41。
9.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二發射峰的發射強度與所述第一發射峰的最大發射強度的比值歸一化的取值范圍為0.20至0.50。
【專利技術屬性】
技術研發人員：寧為民，顧宇，王芳，夏國奇，彭琴琴，
申請(專利權)人：武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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