【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體器件及集成電路，尤其涉及一種浮柵的形成方法。
技術介紹
1、采用非易失性存儲(non-volatile?memory，nvm)技術的存儲器目前被廣泛應用于智能手機、平板電腦、數碼相機、通用串行總線閃存盤(universal?serial?bus?flashdisk，usb閃存盤，簡稱“u盤”)等具有存儲功能的電子產品中。
2、nvm存儲器中，閃存(flash)具有傳輸效率高，成本較低的特點，通常用于制作閃存的晶圓上集成有閃存單元(cell)器件構成的存儲陣列以及邏輯(logic)器件構成的外圍電路。在閃存的制作過程中，業界常用的方法是將閃存單元的有源區(cell?active?area，caa)和外圍電路的有源區(peripheral?active?area，paa)分開制作，使用兩套光罩，為了讓paa的淺槽隔離(shallow?trench?isolation，sti)結構更深以保證高壓器件的隔離，通常會使caa的sti結構稍淺以利于閃存器件單元微縮時的sti結構的填充。
3、參考圖1，其示出了相關技術中提供的閃存器件的制作過程中，刻蝕形成paa區域的溝槽后的剖面示意圖；參考圖2，其示出了相關技術中提供的閃存器件的制作過程中，形成浮柵(floating?gate，fg)溝槽后的剖面示意圖。示例性，如圖1和圖2所示，在進行caa101的隔離層溝槽刻蝕后，通過光罩在襯底110上方覆蓋光阻301，暴露出paa102中需要刻蝕的區域，進而進行隔離層溝槽刻蝕，在對paa102刻蝕完成后，通過生長隔
4、不難看出，相關技術提供的閃存器件的制作過程中，在去除caa的刻蝕阻擋層時需要通過光罩在paa覆蓋光阻以保護paa的刻蝕阻擋層，需要多進行一次光刻，多設計一套光罩，工藝較為復雜。
技術實現思路
1、本申請提供了一種浮柵的形成方法，可以解決相關技術中提供的閃存的制作工藝在對caa和paa進行隔離層填充后需要使用光罩對paa區域進行遮擋以保護刻蝕阻擋層所導致的工藝復雜的問題，該方法包括：
2、提供一襯底，所述襯底上用于形成器件的區域包括第一區域和第二區域，所述第一區域用于形成閃存單元器件，所述第二區域用于形成邏輯器件，所述第一區域中形成有第一溝槽，所述第二區域中形成有第二溝槽，所述第一區域中除第一溝槽外的襯底上依次形成有浮柵介質層和第一刻蝕阻擋層，所述第二區域中除第二溝槽外的襯底上依次形成有柵介質層和第二刻蝕阻擋層，所述第一刻蝕阻擋層的厚度大于所述第二刻蝕阻擋層的厚度；
3、形成隔離介質層，所述隔離介質層填充第一溝槽和第二溝槽同時使所述第一刻蝕阻擋層暴露，且使所述第二刻蝕阻擋層被覆蓋；
4、去除所述第一刻蝕阻擋層，在所述第一刻蝕阻擋層的區域形成第三溝槽；
5、在所述第三溝槽中形成浮柵。
6、在一些實施例中，所述第一刻蝕阻擋層和所述第二刻蝕阻擋層包括氮化硅層。
7、在一些實施例中，所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度。
8、在一些實施例中，所述去除所述第一刻蝕阻擋層，包括：
9、通過濕法刻蝕工藝去除所述第一刻蝕阻擋層。
10、在一些實施例中，所述在所述第三溝槽中形成浮柵，包括：
11、形成第一多晶硅層；
12、對所述第一多晶硅進行平坦化，直至第二刻蝕阻擋層暴露，去除所述第三溝槽外的第一多晶硅層，所述第三溝槽內的第一多晶硅層形成所述浮柵。
13、在一些實施例中，所述形成隔離介質層之前，還包括：
14、在襯底上形成二氧化硅層；
15、在所述二氧化硅層上形成第一氮化硅層；
16、去除所述第二區域的第一氮化硅層；
17、形成第二氮化硅層，所述第一區域的第一氮化硅層和第二氮化硅層構成第一刻蝕阻擋層，所述第二區域的第二氮化硅層構成第二刻蝕阻擋層；
18、在所述第一區域形成所述第一溝槽，在所述第二區域形成所述第二溝槽。
19、本申請技術方案，至少包括如下優點：
20、通過在閃存的制作工藝中，在形成閃存單元器件的第一區域形成第一刻蝕阻擋層，在形成邏輯器件的第二區域形成第二刻蝕阻擋層，使第一刻蝕阻擋層的厚度大于第二刻蝕阻擋層，從而在第一區域和第二區域的隔離結構的溝槽刻蝕完成且填充隔離介質層后，通過平坦化工藝使第一刻蝕阻擋層暴露時使第二刻蝕阻擋層不被暴露，從而可以不用使用光罩在第二區域覆蓋光阻即可實現對第二刻蝕阻擋層的遮擋保護，進而降低了工藝復雜度，在一定程度上降低了制造成本。
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1.一種浮柵的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層和所述第二刻蝕阻擋層包括氮化硅層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一刻蝕阻擋層，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第三溝槽中形成浮柵，包括：
6.根據權利要求2至5任一所述的方法，其特征在于，所述形成隔離介質層之前，還包括：
【技術特征摘要】
1.一種浮柵的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層和所述第二刻蝕阻擋層包括氮化硅層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：程國慶，周海洋，王會一，沈權豪，
申請(專利權)人：華虹半導體無錫有限公司，
類型：發明
國別省市：
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