【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種顯示基板和顯示面板。
技術(shù)介紹
1、薄膜晶體管(thin?film?transistor,tft)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，已經(jīng)在現(xiàn)代電子
中得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是在平板顯示技術(shù)，如液晶顯示屏(liquidcrystal?display，lcd)和有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏(organic?electroluminescencedisplay，oled)中，隨著各種新型顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)薄膜晶體管的性能要求越來越高，尤其是在穩(wěn)定性方面。通過新材料的開發(fā)、設(shè)計(jì)優(yōu)化、制造工藝的改進(jìn)以及封裝技術(shù)的提升，未來的薄膜晶體管將更加適應(yīng)日益嚴(yán)苛的應(yīng)用需求，從而擴(kuò)大其在全球電子市場中的應(yīng)用范圍和深度。
2、由于目前薄膜晶體管中的金屬層和半導(dǎo)體層，容易受到外界水汽或游離態(tài)離子的入侵，導(dǎo)致薄膜晶體管器件特性出現(xiàn)退化的問題，因此如何避免薄膜晶體管中的金屬層和半導(dǎo)體層受外界水汽或游離態(tài)離子的入侵是目前顯示領(lǐng)域所需要研究的重要方向。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)實(shí)施例的目的是提供一種顯示基板和顯示面板，避免薄膜晶體管中的金屬層和半導(dǎo)體層受到外界水汽或游離態(tài)離子的入侵。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種顯示基板，所述顯示基板包括基底、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、金屬層和第三絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述基底上，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，所述第二絕緣層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)，所述金屬層設(shè)置在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述半
3、可選的，所述顯示基板還包括第一堤壩結(jié)構(gòu)，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，與所述溝槽相鄰設(shè)置；其中，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)由絕緣材料構(gòu)成，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二絕緣層之間的結(jié)合力，大于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)和所述第三絕緣層之間的結(jié)合力。
4、可選的，所述顯示基板還包括第二堤壩結(jié)構(gòu)，所述第二堤壩結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，且所述溝槽位于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二堤壩結(jié)構(gòu)之間；其中，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二堤壩結(jié)構(gòu)通過同制程形成。
5、可選的，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的面積大于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的面積，所述第二堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的面積大于所述第二堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的面積。
6、可選的，在所述基底的厚度方向上，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的截面為梯形，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的一面的寬度為2.8um-3.2um，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的一面的寬度為1.5um-2.5um，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的高度為0.5um-0.8um。
7、可選的，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的材料和所述第二絕緣層的材料相同，與所述第三絕緣層的材料不同；和/或，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)在成膜時(shí)的速率高于所述第三絕緣層在成膜時(shí)的速率。
8、可選的，所述顯示基板還包括第三堤壩結(jié)構(gòu)，所述第三堤壩結(jié)構(gòu)位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，與所述半導(dǎo)體層并列設(shè)置，且所述第三堤壩結(jié)構(gòu)還位于所述半導(dǎo)體層和所述溝槽之間；其中，所述第三堤壩結(jié)構(gòu)由絕緣材料構(gòu)成，所述第三堤壩結(jié)構(gòu)和所述第一絕緣層之間的結(jié)合力，大于所述第三堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二絕緣層之間的結(jié)合力。
9、可選的，在所述基底的厚度方向上，所述溝槽的截面為倒梯形，所述溝槽的底部寬度為0.5um-1um，所述溝槽的頂部寬度為1um-2um，所述溝槽的高度為0.5um-1.5um。
10、可選的，所述顯示基板包括多個(gè)溝槽，所述溝槽設(shè)置在所述顯示基板的顯示區(qū)，與所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)，且所述溝槽環(huán)繞對(duì)應(yīng)所述薄膜晶體管設(shè)置；或，所述溝槽設(shè)置在所述顯示基板的非顯示區(qū)，環(huán)繞所述顯示基板的顯示區(qū)設(shè)置；或，所述溝槽設(shè)置在所述顯示基板的兩側(cè)，并且位于所述金屬層的長度方向。
11、本申請(qǐng)實(shí)施例還公開了一種顯示面板，所述顯示面板包括如上所述的顯示基板。
12、本申請(qǐng)實(shí)施例的有益效果為：由于外界水汽或游離態(tài)離子會(huì)從顯示基板中膜層之間的貼合處滲透，導(dǎo)致薄膜晶體管中的金屬層和半導(dǎo)體層受到水汽或游離態(tài)離子等有害物質(zhì)的入侵，從而影響薄膜晶體管器件特性。本申請(qǐng)實(shí)施例通過在顯示基板中增設(shè)貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的溝槽，并將第三絕緣層填充在溝槽中，使得外界水汽或游離態(tài)離子等有害物質(zhì)不論是從第三絕緣層和第二絕緣層之間的貼合處入侵，還是從第二絕緣層和第一絕緣層之間的貼合處入侵，由于有害物質(zhì)無法穿透膜層，因此有害物質(zhì)只能圍繞著溝槽內(nèi)第三絕緣層的表面朝第三金屬層以及半導(dǎo)體層的方向入侵，導(dǎo)致有害物質(zhì)的入侵路徑變長，從而達(dá)到減緩甚至阻擋水汽或游離態(tài)離子等有害物質(zhì)入侵、滲透到薄膜晶體管中的金屬層和半導(dǎo)體層這一目的，保障了薄膜晶體管的器件特性。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種顯示基板，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第一堤壩結(jié)構(gòu)，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，與所述溝槽相鄰設(shè)置；
3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第二堤壩結(jié)構(gòu)，所述第二堤壩結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，且所述溝槽位于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二堤壩結(jié)構(gòu)之間；
4.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的面積大于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的面積。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，在所述基底的厚度方向上，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的截面為梯形，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的一面的寬度為2.8um-3.2um，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的一面的寬度為1.5um-2.5um，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的高度為0.5um-0.8um。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的材料和所述第二絕緣層的材料相同，與所述第三絕緣層
7.如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第三堤壩結(jié)構(gòu)，所述第三堤壩結(jié)構(gòu)位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，與所述半導(dǎo)體層并列設(shè)置，且所述第三堤壩結(jié)構(gòu)還位于所述半導(dǎo)體層和所述溝槽之間；其中，所述第三堤壩結(jié)構(gòu)由絕緣材料構(gòu)成，所述第三堤壩結(jié)構(gòu)和所述第一絕緣層之間的結(jié)合力，大于所述第三堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二絕緣層之間的結(jié)合力。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，在所述基底的厚度方向上，所述溝槽的截面為倒梯形，所述溝槽的底部寬度為0.5um-1um，所述溝槽的頂部寬度為1um-2um，所述溝槽的高度為0.5um-1.5um。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括多個(gè)溝槽，所述溝槽設(shè)置在所述顯示基板的顯示區(qū)，與所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)，且所述溝槽環(huán)繞對(duì)應(yīng)所述薄膜晶體管設(shè)置；或
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的顯示基板。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示基板，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第一堤壩結(jié)構(gòu)，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，與所述溝槽相鄰設(shè)置；
3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括第二堤壩結(jié)構(gòu)，所述第二堤壩結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層之間，且所述溝槽位于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)和所述第二堤壩結(jié)構(gòu)之間；
4.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的面積大于所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的面積。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，在所述基底的厚度方向上，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的截面為梯形，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第二絕緣層相貼的一面的寬度為2.8um-3.2um，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)中與所述第三絕緣層相貼的一面的寬度為1.5um-2.5um，所述第一堤壩結(jié)構(gòu)的高度為0.5um-0.8um。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一堤壩...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王琛，朱成順，寧和俊，王夢(mèng)，黃學(xué)勇，袁樹林，葉利丹，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：惠科股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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