【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體芯片，具體而言，涉及一種無微裂紋的半導體芯片制作方法。
技術介紹
1、在半導體制造領域，基于玻璃基板制作的半導體芯片正逐漸受到關注，其獨特性能在微電子和光電子領域展現出廣闊應用前景。然而，在整板玻璃基板半導體芯片分割為單體芯片的過程中，一個不容忽視的技術挑戰是半導體芯片單體邊緣容易因切割應力產生微裂紋。
2、這一過程，即切單（singulation），是半導體芯片生產中的關鍵環節。玻璃基板相較于傳統硅基板，在硬度和脆性上有所差異，對切割工藝提出了更高要求。在切割過程中，刀具與基板的相互作用會產生顯著的應力，特別是在芯片邊緣，這些應力若控制不當，極易導致微裂紋的產生。這些微裂紋不僅影響芯片的結構完整性，還可能對后續的電學性能和可靠性造成嚴重影響，如漏電流增加、耐壓能力下降等。
3、針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種無微裂紋的半導體芯片制作方法，以避免制作半導體芯片單體時玻璃基板上出現微裂紋而影響半導體芯片單體的結構完整性和可靠性。
2、本申請提供了一種無微裂紋的半導體芯片制作方法，用于制作具有玻璃基板的半導體芯片單體，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法包括以下步驟：
3、s1、準備玻璃基板；
4、s2、在所述玻璃基板形成多個切割道窗口，所述多個切割道窗口沿切割基準線均勻分布在所述玻璃基板上；
5、s3、在所述玻璃基板上制作功能層，得到封裝體；p>
6、s4、沿所述切割基準線切割所述封裝體得到多個半導體芯片單體。
7、本申請的無微裂紋的半導體芯片制作方法改變了傳統的直接切割方式，通過在制作封裝體前，在玻璃基板上形成多個切割道窗口，實現了對玻璃基板進行預切割處理，提供了一個應力分布更加均勻的切割路徑，有效地解決了在制作具有玻璃基板的半導體芯片單體時產生微裂紋的問題，從而提高了半導體芯片單體的結構完整性和可靠性。
8、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法還包括執行于步驟s2和s3之間的步驟：
9、對所有切割道窗口填充緩沖材料。
10、本申請的無微裂紋的半導體芯片制作方法通過步驟sa在切割道窗口填充緩沖材料，可以有效解決切割道窗口可能對功能層造成的不利影響，以提高半導體芯片單體的整體質量和可靠性，減少微裂紋的產生，從而提高半導體芯片單體的良品率和性能穩定性，并對形成切割道窗口時產生的微裂紋進行填充修補。
11、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，所述填充材料包括樹脂、abf、pi中的一種。
12、本申請的無微裂紋的半導體芯片制作方法以樹脂、abf或pi作為填充材料使用，這些材料具有良好的緩沖性能和彈性，能夠有效吸收切割過程中產生的應力和振動。
13、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，所述切割基準線呈柵格分布，各條所述切割基準線中的柵格的四個邊線均至少對應形成一個長條形的切割道窗口。
14、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，所述切割基準線呈柵格分布，各條所述切割基準線中的柵格的四個邊線均對應形成多個等距陣列的圓點形的切割道窗口。
15、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，步驟s2包括：
16、s21、通過激光切割或化學刻蝕的處理方式在所述玻璃基板形成多個切割道窗口。
17、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，步驟s2包括：
18、s21’、通過激光改性處理在所述玻璃基板上形成改質層，通過化學刻蝕處理去除改質層，以在所述玻璃基板形成多個切割道窗口。
19、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法還包括與步驟s2同步執行的步驟：
20、s2’、在所述玻璃基板形成多個玻璃通孔。
21、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，功能層至少包括：晶體管層、互聯層和絕緣層。
22、所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其中，步驟s4基于激光切割、機械切割或線切割的處理方式進行切割。
23、綜上，本申請提供了一種無微裂紋的半導體芯片制作方法，該方法通過在玻璃基板上預先形成切割道窗口，并在切割道窗口中填充緩沖材料，有效地解決了在制作具有玻璃基板的半導體芯片單體時產生微裂紋的問題；該方法改變了傳統的直接切割方式，實現了對玻璃基板進行預切割處理，提供了一個應力分布更加均勻的切割路徑，有效地解決了在制作具有玻璃基板的半導體芯片單體時產生微裂紋的問題，從而提高了半導體芯片單體的結構完整性和可靠性。
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1.一種無微裂紋的半導體芯片制作方法，用于制作具有玻璃基板的半導體芯片單體，其特征在于，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法還包括執行于步驟S2和S3之間的步驟：
3.根據權利要求2所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述填充材料包括樹脂、ABF、PI中的一種。
4.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述切割基準線呈柵格分布，各條所述切割基準線中的柵格的四個邊線均至少對應形成一個長條形的切割道窗口。
5.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述切割基準線呈柵格分布，各條所述切割基準線中的柵格的四個邊線均對應形成多個等距陣列的圓點形的切割道窗口。
6.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，步驟S2包括：
7.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，步驟S2包括：
8.根據權利要求1
9.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，功能層至少包括：晶體管層、互聯層和絕緣層。
10.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，步驟S4基于激光切割、機械切割或線切割的處理方式進行切割。
...【技術特征摘要】
1.一種無微裂紋的半導體芯片制作方法，用于制作具有玻璃基板的半導體芯片單體，其特征在于，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述無微裂紋的半導體芯片制作方法還包括執行于步驟s2和s3之間的步驟：
3.根據權利要求2所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述填充材料包括樹脂、abf、pi中的一種。
4.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述切割基準線呈柵格分布，各條所述切割基準線中的柵格的四個邊線均至少對應形成一個長條形的切割道窗口。
5.根據權利要求1所述的無微裂紋的半導體芯片制作方法，其特征在于，所述切割基準線呈...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊斌，何健豪，華顯剛，
申請(專利權)人：廣東佛智芯微電子技術研究有限公司，
類型：發明
國別省市：
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