【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本公開內容涉及稠環(huán)化合物、包括其的發(fā)光器件、和包括所述發(fā)光器件的電子設備。
技術介紹
1、在發(fā)光器件之中的有機發(fā)光器件為與本領域中的器件相比具有寬的視角、高的對比度、短的響應時間、以及優(yōu)異的在亮度、驅動電壓、和響應速度方面的特性的自發(fā)射器件，并且可產生全色圖像。
2、在實例中，有機發(fā)光器件包括陽極、陰極、以及布置在陽極和陰極之間并且包括發(fā)射層的中間層。空穴傳輸區(qū)域可提供在陽極和發(fā)射層之間，且電子傳輸區(qū)域可提供在發(fā)射層和陰極之間。從第一電極提供的空穴通過空穴傳輸區(qū)域朝著發(fā)射層移動，且從第二電極提供的電子通過電子傳輸區(qū)域朝著發(fā)射層移動。空穴和電子在發(fā)射層中復合以產生激子。激子可從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)，由此產生光。
技術實現(xiàn)思路
1、提供新的稠環(huán)化合物、包括其的發(fā)光器件、和包括所述發(fā)光器件的電子設備。
2、額外的方面將部分地在隨后的描述中闡明且部分地將由該描述明晰，或者可通過本公開內容的所呈現(xiàn)的實施方式的實踐而獲悉。
3、根據本公開內容的一個方面，提供由式1表示的稠環(huán)化合物：
4、式1
5、
6、其中，在式1中，ar0為由式2表示的基團，
7、式2
8、
9、其中，在式1和2中，
10、環(huán)y1至環(huán)y3各自獨立地為c5-c60碳環(huán)基團或c3-c60雜環(huán)基團，w1為單鍵、o、s、n(ar1)、n(t11)、c(t12)(t13)、或si(t12)(t13)，w2為單鍵、o、s、
11、當n1為0時，*-(w1)n1-*'不存在，
12、當n2為0時，*-(w2)n2-*'不存在，
13、n1與n2之和為1或更大，
14、ar1和ar2各自為由式2表示的基團，
15、r0為
16、氫、氘、-f、或氰基，或
17、未被取代或被氘、-f、氰基、或其任意組合取代的c1-c60烷基，
18、r1-r4各自獨立地為
19、氫、氘、-f、或氰基，
20、未被取代或被氘、-f、氰基、或其任意組合取代的c1-c60烷基，或
21、未被取代或被氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60芳基、或其任意組合取代的c6-c60芳基，
22、a1為0-3的整數，
23、a2和a4各自獨立地為0-4的整數，
24、a3和m各自獨立地為0-5的整數，
25、式2中的*表示與式1的結合位點，
26、z1-z3、t11-t13、和t21-t23各自獨立地為氫、氘、-f、-cl、-br、-i、-sf5、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c1-c60烷硫基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c2-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-n(q1)(q2)、-si(q3)(q4)(q5)、-ge(q3)(q4)(q5)、-b(q6)(q7)、-p(＝o)(q8)(q9)、-p(q8)(q9)、或由式2表示的基團，
27、b1和b2各自獨立地為0-10的整數，
28、b3為1-5的整數，
29、式1滿足條件1和2的至少一個：
30、條件1
31、b1為1或更大，且數量為b1的z1的至少一個包括咔唑基團；和
32、條件2
33、b2為1或更大，且數量為b2的z2的至少一個包括咔唑基團，
34、數量為b3的z3的至少一個為未被取代或被氘、-f、氰基、或其任意組合取代的c1-c60烷基，
35、z1、z2、z3、t11、t12、t13、t21、t22和t23的兩個或更多個任選地連接在一起以形成取代或未取代的c5-c30碳環(huán)基團或者取代或未取代的c1-c30雜環(huán)基團，
36、取代的c5-c30碳環(huán)基團、取代的c1-c30雜環(huán)基團、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c1-c60烷硫基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c2-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60雜芳基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的至少一個取代基為：
37、氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、或c1-c60烷硫基，
38、各自被如下取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、或c1-c60烷硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c2-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-n(q11)(q12)、-si(q13)(q14)(q15)、-ge(q13)(q14)(q15)、-b(q16)(q17)、-p(＝o)(q18)(q19)、-p(q18)(q19)、或其任意組合，
39、各自未被取代或被如下取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c2-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、或單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.稠環(huán)化合物，由式1表示：
2.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中環(huán)Y1至環(huán)Y3各自獨立地為苯基團、萘基團、菲基團、吡啶基團、嘧啶基團、噠嗪基團、吡嗪基團、喹啉基團、異喹啉基團、二苯并呋喃基團、二苯并噻吩基團、咔唑基團、芴基團、二苯并噻咯基團、氮雜二苯并呋喃基團、氮雜二苯并噻吩基團、氮雜咔唑基團、氮雜芴基團、或氮雜二苯并噻咯基團。
3.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
4.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
5.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
6.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
7.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
8.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中由式2表示的基團為由式2-1至2-3之一表示的基團：
9.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中由式2表示的基團為由式2-1(1)表示的基團：
10.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述稠環(huán)化合物由式1A表示：
11.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述稠環(huán)化合物包括至少一個氘、至少一個叔丁基、或其
12.發(fā)光器件，包括：
13.如權利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述至少一種稠環(huán)化合物包括在所述發(fā)射層中。
14.如權利要求13所述的發(fā)光器件，其中從所述發(fā)射層發(fā)射的光具有在440nm至470nm的范圍內的發(fā)射峰波長。
15.如權利要求13所述的發(fā)光器件，其中包括在所述發(fā)射層中的所述至少一種稠環(huán)化合物為發(fā)射體。
16.如權利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)射層進一步包括敏化劑，并且所述敏化劑和所述稠環(huán)化合物彼此不同。
17.如權利要求16所述的發(fā)光器件，其中所述敏化劑為有機金屬化合物、延遲熒光材料、瞬時熒光材料、或其任意組合。
18.如權利要求17所述的發(fā)光器件，其中
19.如權利要求13所述的發(fā)光器件，其中包括在所述發(fā)射層中的所述至少一種稠環(huán)化合物為敏化劑。
20.電子設備，包括如權利要求12-19任一項所述的發(fā)光器件。
...【技術特征摘要】
1.稠環(huán)化合物，由式1表示：
2.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中環(huán)y1至環(huán)y3各自獨立地為苯基團、萘基團、菲基團、吡啶基團、嘧啶基團、噠嗪基團、吡嗪基團、喹啉基團、異喹啉基團、二苯并呋喃基團、二苯并噻吩基團、咔唑基團、芴基團、二苯并噻咯基團、氮雜二苯并呋喃基團、氮雜二苯并噻吩基團、氮雜咔唑基團、氮雜芴基團、或氮雜二苯并噻咯基團。
3.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
4.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
5.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
6.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
7.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中
8.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中由式2表示的基團為由式2-1至2-3之一表示的基團：
9.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中由式2表示的基團為由式2-1(1)表示的基團：
10.如權利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述稠環(huán)化合物由式1a表示：
11.如權利要求1所...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李恩慶，丸山祐輔，鄭庸植，李夏林，南成虎，金重赫，金志桓，朱京植，孫永睦，趙化英，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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