一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本技術(shù)公開了一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，屬于麻醉監(jiān)測領(lǐng)域，包括電極插片，電極插片內(nèi)部包括校驗(yàn)芯片和電極觸點(diǎn)，電極插片的校驗(yàn)芯片與麻醉深度監(jiān)護(hù)儀采集插座的校驗(yàn)芯片接口通信連接；電極插片的電極觸點(diǎn)與麻醉深度監(jiān)護(hù)儀采集插座的電極接口通信連接；電極插片的電極觸點(diǎn)與偏置電極C、參考地電極G、EEG信號電極、EMG信號電極電性連接；EEG信號電極包括左腦EEG信號電極LE和右腦EEG信號電極RE；EMG信號電極包括左腦EMG信號電極LT和右腦EMG信號電極RT。本技術(shù)通過比較左右腦區(qū)的腦電信號，可以更加客觀地評估患者的麻醉狀態(tài)，給麻醉醫(yī)生提供準(zhǔn)確的麻醉深度數(shù)值反饋，提高手術(shù)安全性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及麻醉監(jiān)測領(lǐng)域，具體是一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)。

技術(shù)介紹

1、麻醉的作用是感覺或知覺的喪失。可使病人在接受手術(shù)或者有創(chuàng)操作時不感到疼痛和不適的狀態(tài)，一般認(rèn)為，麻醉是由藥物或者其他方法產(chǎn)生的一種中樞神經(jīng)和周圍神經(jīng)系統(tǒng)的可逆性功能抑制，這種抑制的特點(diǎn)主要是感覺特別是痛覺的喪失。全身麻醉作用的神經(jīng)部位是中樞神經(jīng)；椎管內(nèi)麻醉作用的神經(jīng)部位是脊神經(jīng)；表面麻醉作用于粘膜和皮膚；局部浸潤麻醉作用于神經(jīng)末梢；區(qū)域阻滯麻醉，作用于神經(jīng)末梢和神經(jīng)干；周圍神經(jīng)阻滯麻醉作用的是神經(jīng)干，神經(jīng)叢和神經(jīng)節(jié)；靜脈局部麻醉作用于神經(jīng)干和神經(jīng)末梢。

2、在臨床麻醉過程中，準(zhǔn)確評估患者的麻醉深度對于手術(shù)的成功和患者的安全至關(guān)重要。目前，常用的麻醉監(jiān)測手段主要是單側(cè)腦電信號監(jiān)測，然而，這種監(jiān)測方法存在著局限性，無法全面反映患者的麻醉狀態(tài)，容易導(dǎo)致麻醉深度不足或過深，增加手術(shù)風(fēng)險和不良后果的發(fā)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、對于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述的問題，本技術(shù)的目的在于提供一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供如下技術(shù)方案：

3、一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，包括電極插片，電極插片內(nèi)部包括校驗(yàn)芯片和電極觸點(diǎn)，電極插片的校驗(yàn)芯片與麻醉深度監(jiān)護(hù)儀采集插座的校驗(yàn)芯片接口電連接；

4、電極插片的電極觸點(diǎn)與麻醉深度監(jiān)護(hù)儀采集插座的電極接口連接；

5、電極插片的電極觸點(diǎn)與偏置電極c、參考地電極g、eeg信號電極、emg信號電極電性連接；

6、偏置電極c設(shè)置在傳感器中央位置，偏置電極c對應(yīng)貼覆在患者的前額正中；

7、參考地電極g設(shè)置在靠近偏置電極c的位置，參考地電極g對應(yīng)貼覆在患者的前額兩側(cè)；

8、eeg信號電極包括左腦eeg信號電極le和右腦eeg信號電極re，左腦eeg信號電極le和右腦eeg信號電極re分別設(shè)置在傳感器兩側(cè)的中部位置，左腦eeg信號電極le和右腦eeg信號電極re貼覆在患者左、右眉毛上方；

9、emg信號電極包括左腦emg信號電極lt和右腦emg信號電極rt，左腦emg信號電極lt和右腦emg信號電極rt分別設(shè)置在遠(yuǎn)離偏置電極c的左、右尾端，左腦emg信號電極lt和右腦emg信號電極rt貼覆在患者左、右太陽穴上。

10、作為本技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述的校驗(yàn)芯片為接觸式ic卡芯片。

11、作為本技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述的參考地電極g包括左參考地電極lg，左參考地電極lg用于對應(yīng)貼左側(cè)前額上。

12、作為本技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述的參考地電極g包括左參考地電極lg和右參考地電極rg，左參考地電極lg、右參考地電極rg用于對應(yīng)貼左、右側(cè)前額上。

13、作為本技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述的電極插片的電極觸點(diǎn)與偏置電極c、參考地電極g、eeg信號電極、emg信號電極連接的導(dǎo)線為銀-氯化銀傳導(dǎo)線。

14、作為本技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述的電極插片的電極觸點(diǎn)與偏置電極c、參考地電極g、eeg信號電極、emg信號電極連接的導(dǎo)線采用多層印刷制成，導(dǎo)線上下由pet基材和絕緣層保護(hù)。

15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)的有益效果是：

16、本技術(shù)用于采集相應(yīng)腦區(qū)的腦電信號，并將信號傳輸至麻醉深度監(jiān)護(hù)儀進(jìn)行處理和分析。同時采集左右大腦的腦電信號，能夠更全面地反映患者的腦電活動，提供更準(zhǔn)確的麻醉狀態(tài)監(jiān)測。通過比較左右腦區(qū)的腦電信號，可以更加客觀地評估患者的麻醉狀態(tài)，給麻醉醫(yī)生提供準(zhǔn)確的麻醉深度數(shù)值反饋，避免出現(xiàn)麻醉過度和術(shù)中覺醒，降低麻醉風(fēng)險，提高手術(shù)安全性。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括電極插片，電極插片內(nèi)部包括校驗(yàn)芯片和電極觸點(diǎn)，電極插片的校驗(yàn)芯片與麻醉深度監(jiān)護(hù)儀采集插座的校驗(yàn)芯片接口電連接；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的校驗(yàn)芯片為接觸式IC卡芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的參考地電極G包括左參考地電極LG，左參考地電極LG用于對應(yīng)貼左側(cè)前額上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的參考地電極G包括左參考地電極LG和右參考地電極RG，左參考地電極LG、右參考地電極RG用于對應(yīng)貼左、右側(cè)前額上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3-4任一一項(xiàng)所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的電極插片的電極觸點(diǎn)與偏置電極C、參考地電極G、EEG信號電極、EMG信號電極連接的導(dǎo)線為銀-氯化銀傳導(dǎo)線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的電極插片的電極觸點(diǎn)與偏置電極C、參考地電極G、EEG信號電極、EMG信號電極連接的導(dǎo)線采用多層印刷制成，導(dǎo)線上下由PET基材和絕緣層保護(hù)。

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【技術(shù)特征摘要】

1.一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括電極插片，電極插片內(nèi)部包括校驗(yàn)芯片和電極觸點(diǎn)，電極插片的校驗(yàn)芯片與麻醉深度監(jiān)護(hù)儀采集插座的校驗(yàn)芯片接口電連接；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的校驗(yàn)芯片為接觸式ic卡芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的參考地電極g包括左參考地電極lg，左參考地電極lg用于對應(yīng)貼左側(cè)前額上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無創(chuàng)雙腦腦電傳感器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的參考地電...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王禾明，
申請(專利權(quán))人：合肥金腦人科技發(fā)展有限責(zé)任公司，
類型：新型
國別省市：