【技術實現步驟摘要】
本公開實施例涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及其制作方法以及半導體器件。
技術介紹
1、圖像傳感器是將光學信息轉換成電信號的半導體器件。例如，圖像傳感器可以將光波的可變衰減轉換成信號(即，傳遞信息的小電流突發)，這樣的圖像傳感器可以包括電荷耦合器件(ccd)圖像傳感器和互補金屬氧化物半導體(cmos)圖像傳感器。根據光路徑的差別，cmos圖像傳感器可以進一步被分成正照式(fsi)圖像傳感器和背照式(bsi)圖像傳感器。
技術實現思路
1、根據本公開實施例的第一方面，提供一種半導體結構，包括：襯底；晶體管結構，位于所述襯底表面，所述晶體管結構包括溝道區、位于所述溝道區的正上方的柵極介質層和柵極導電層以及位于所述溝道區兩側的源極區和漏極區，所述溝道區具有第一頂表面與所述柵極介質層接觸，所述源極區具有第二頂表面，所述漏極區具有第三頂表面，所述源極區和所述漏極區中摻雜有第一類型離子；其中，所述第二頂表面和所述第三頂表面均低于所述第一頂表面。
2、在一些實施例中，所述源極區和/或所述漏極區還具有凸出部，所述凸出部朝向所述溝道區凸出，使得所述源極區和所述漏極區之間的最小距離由其中一者的所述凸出部到另一者或另一者的所述凸出部的距離。
3、在一些實施例中，所述漏極區的所述第三頂表面不高于所述源極區的所述第二頂表面。
4、在一些實施例中，所述半導體結構還包括：隔離層，覆蓋所述柵極導電層和所述柵極介質層表面，并且位于所述源極區和所述漏極區上方，其中，所述隔離層的第
5、在一些實施例中，所述半導體結構還包括：第一補充隔離層，位于所述隔離層與所述源極區之間，所述第一補充隔離層與所述源極區的第二頂表面接觸；第二補充隔離層，位于所述隔離層與所述漏極區之間，所述第二補充隔離層與所述漏極區的第二頂表面接觸；所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的材料為絕緣介質材料或半導體介質材料。
6、在一些實施例中，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的材料為半導體介質材料，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層中摻雜有第二類型離子，所述第二類型離子與所述第一類型離子的類型相反，互為n型和p型。
7、在一些實施例中，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的厚度范圍均為3～10nm。
8、在一些實施例中，所述溝道區中摻雜有第三類型離子，所述第三類型離子與所述第一類型離子的類型相同，同為n型或p型。
9、在一些實施例中，所述溝道區包括淺表層和深表層，所述淺表層位于所述深表層上方，且與所述柵極介質層接觸，所述第一頂表面即為所述淺表層的頂表面；其中，所述淺表層中摻雜有第四類型離子，所述深表層中摻雜有第五類型離子，所述第四類型離子與所述第五類型離子的類型相反，互為n型和p型，所述第五類型離子與所述第一類型離子的類型相同，同為n型或p型。
10、在一些實施例中，所述半導體結構還包括：接觸件，所述接觸件分別插入于所述柵極導電層、所述源極區和所述漏極區中。
11、根據本公開實施例的第二方面，提供一種半導體結構的制作方法，包括：提供襯底；于所述襯底表面形成具有第一頂表面的溝道區以及所述溝道區兩側的初始源極區和初始漏極區，所述初始源極區和所述初始漏極區的頂表面與所述第一頂表面共面；對所述初始源極區和所述初始漏極區進行減薄處理，得到具有第二頂表面的源極區和具有第三頂表面的漏極區，其中，所述第二頂表面和所述第三頂表面均低于所述第一頂表面；于所述溝道區正上方依次形成柵極介質層和柵極導電層，所述第一頂表面與所述柵極介質層接觸，所述源極區、所述漏極區、所述溝道區、所述柵極介質層以及所述柵極導電層共用構成晶體管結構。
12、在一些實施例中，于所述襯底表面形成具有第一頂表面的溝道區以及所述溝道區兩側的初始源極區和初始漏極區，包括：于所述襯底表面形成第一掩膜層；以所述第一掩膜層為掩膜，對所述第一掩膜層兩側的所述襯底進行第一離子注入，執行退火以在所述第一掩膜層兩側的所述襯底表面形成所述初始源極區和所述初始漏極區。
13、在一些實施例中，在進行所述第一離子注入之后，以及在執行所述退火之前，還包括：至少對所述第一掩膜層的寬度尺寸進行縮減，以縮減后的所述第一掩膜層為掩膜，對縮減后的所述第一掩膜層兩側的所述襯底進行第二離子注入，所述第二離子注入的深度小于所述第一離子注入的深度，所述第二離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相同；在執行所述退火之后，所述初始源極區和所述初始漏極區中形成朝向所述溝道區凸出的凸出部。
14、在一些實施例中，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行減薄處理，包括：以所述第一掩膜層或縮減后的所述第一掩膜層為掩膜，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行刻蝕去除部分厚度，以使得剩余厚度的所述初始源極區作為所述源極區以及剩余厚度的所述初始漏極區作為所述漏極區；其中，所述漏極區的所述第三頂表面與所述源極區的所述第二頂表面齊平，或所述漏極區的所述第三頂表面低于所述源極區的所述第二頂表面。
15、在一些實施例中，于所述源極區的所述第二頂表面上形成第一補充隔離層，且于所述漏極區的所述第三頂表面上形成第二補充隔離層，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的厚度與所述初始源極區和所述初始漏極區被刻蝕去除的所述部分厚度相同。
16、在一些實施例中，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行減薄處理，包括：以所述第一掩膜層為掩膜，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行第三離子注入，以分別在所述初始源極區的表面形成第一補充隔離層和在所述初始漏極區的表面形成第二補充隔離層，所述第三離子注入的深度小于所述第一離子注入的深度，所述第三離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相反；所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的厚度即為所述第三離子注入的深度，所述初始源極區中除去所述第一補充隔離層的剩余部分作為所述源極區，所述初始漏極區中除去所述第二補充隔離層的剩余部分作為所述漏極區。
17、在一些實施例中，在形成所述源極區和所述漏極區之后，還包括：對所述溝道區進行第四離子注入，所述第四離子注入的深度低于所述第二頂表面和所述第三頂表面，所述第四離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相同；或，對所述溝道區進行第四離子注入以及第五離子注入，所述第四離子注入的深度低于所述第二頂表面和所述第三頂表面，所述第五離子注入的深度小于所述第四離子注入的深度，所述第四離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相同，所述第五離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相反。
18、在一些實施例中，在進行所述第一離子注入之后，以及在執行所述退火之前，還包括：以所述第一掩膜層為掩膜，對所述第一掩膜層兩側的所述襯底進行第六離子注入，所述第六離子注入的注入方向具有為朝向所述溝道區的傾斜角，所述第六離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述源極區和/或所述漏極區還具有凸出部，所述凸出部朝向所述溝道區凸出，使得所述源極區和所述漏極區之間的最小距離由其中一者的所述凸出部到另一者或另一者的所述凸出部的距離。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述漏極區的所述第三頂表面不高于所述源極區的所述第二頂表面。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的材料為半導體介質材料，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層中摻雜有第二類型離子，所述第二類型離子與所述第一類型離子的類型相反，互為N型和P型。
7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的厚度范圍均為3～10nm。
8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述溝道區中摻雜有第三類型離
9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述溝道區包括淺表層和深表層，所述淺表層位于所述深表層上方，且與所述柵極介質層接觸，所述第一頂表面即為所述淺表層的頂表面；
10.根據權利要求1-9任一項所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
11.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，于所述襯底表面形成具有第一頂表面的溝道區以及所述溝道區兩側的初始源極區和初始漏極區，包括：
13.根據權利要求12所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在進行所述第一離子注入之后，以及在執行所述退火之前，還包括：
14.根據權利要求12或13所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行減薄處理，包括：以所述第一掩膜層或縮減后的所述第一掩膜層為掩膜，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行刻蝕去除部分厚度，以使得剩余厚度的所述初始源極區作為所述源極區以及剩余厚度的所述初始漏極區作為所述漏極區；
15.根據權利要求14所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，于所述源極區的所述第二頂表面上形成第一補充隔離層，且于所述漏極區的所述第三頂表面上形成第二補充隔離層，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的厚度與所述初始源極區和所述初始漏極區被刻蝕去除的所述部分厚度相同。
16.根據權利要求12所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行減薄處理，包括：以所述第一掩膜層為掩膜，對所述初始源極區和所述初始漏極區進行第三離子注入，以分別在所述初始源極區的表面形成第一補充隔離層和在所述初始漏極區的表面形成第二補充隔離層，所述第三離子注入的深度小于所述第一離子注入的深度，所述第三離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相反；
17.根據權利要求16所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在形成所述源極區和所述漏極區之后，還包括：對所述溝道區進行第四離子注入，所述第四離子注入的深度低于所述第二頂表面和所述第三頂表面，所述第四離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相同；或
18.根據權利要求12所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在進行所述第一離子注入之后，以及在執行所述退火之前，還包括：以所述第一掩膜層為掩膜，對所述第一掩膜層兩側的所述襯底進行第六離子注入，所述第六離子注入的注入方向具有為朝向所述溝道區的傾斜角，所述第六離子注入的離子摻雜類型與所述第一離子注入的離子摻雜類型相同；
19.根據權利要求11所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在形成所述柵極介質層和所述柵極導電層之后，還包括：
20.一種半導體器件，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述源極區和/或所述漏極區還具有凸出部，所述凸出部朝向所述溝道區凸出，使得所述源極區和所述漏極區之間的最小距離由其中一者的所述凸出部到另一者或另一者的所述凸出部的距離。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述漏極區的所述第三頂表面不高于所述源極區的所述第二頂表面。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的材料為半導體介質材料，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層中摻雜有第二類型離子，所述第二類型離子與所述第一類型離子的類型相反，互為n型和p型。
7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一補充隔離層和所述第二補充隔離層的厚度范圍均為3～10nm。
8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述溝道區中摻雜有第三類型離子，所述第三類型離子與所述第一類型離子的類型相同，同為n型或p型。
9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述溝道區包括淺表層和深表層，所述淺表層位于所述深表層上方，且與所述柵極介質層接觸，所述第一頂表面即為所述淺表層的頂表面；
10.根據權利要求1-9任一項所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
11.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，于所述襯底表面形成具有第一頂表面的溝道區以及所述溝道區兩側的初始源極區和初始漏極區，包括：
13.根據權利要求12所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在進行所述第一離子注入之后，以及在執行所述退火之前，還包括：
14.根據權利要求12或13所述的半導體結構...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮昕，深作克彥，
申請(專利權)人：長鑫科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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