【技術實現步驟摘要】
本技術涉及微波器件，尤其涉及一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構。
技術介紹
1、集總參數隔離器主要應用于前級功放之間，起到單向導通、反向隔離和級間匹配作用。塑封外殼方案是當前集總參數器件設計的代表性方案之一，具備溫度下穩定、不易變形等優勢。器件由多個零部件堆疊構成，連接處通過焊錫膏連接，焊點的焊接質量直接決定了器件整體的可靠性。
2、現有中心導體模組結構如圖1所示，由三片絕緣膜1、一個中心導體2、一個鐵氧體旋磁基片3構成，中心導體模組、電容4和負載5與塑封外殼6以堆疊的結構組合在一起，連接處通過焊錫膏固化連接。中心導體結構如圖2所示，中心導體編制結構如圖3所示，將鐵氧體旋磁基片3放置在中心導體2中心，然后分別對三條互成120°的中心導體編織帶2a、2b、2c按照順序進行折彎編帶，包裹鐵氧體旋磁基片3。三條中心導體編織帶2a、2b、2c上表面分別放置一片圓形的絕緣膜1，起到隔離的作用；然后使用終成型工裝對編織完成的中心導體進行成型，形成三個焊盤2d、2e、2f；
3、如圖1所示，現有中心導體2的三個焊盤與電容4、電阻5和塑封外殼引腳焊盤6a連接。其中，中心導體焊盤2f和2d同時與電容4和塑封外殼引腳焊盤6a焊接，中心導體焊盤2e同時與電容4和負載5焊接。由此存在以下兩個問題：
4、（1）中心導體焊盤同時存在兩個焊接點，形成了兩個焊點共焊盤的結構，并且兩個焊點的大小尺寸不一致；當焊盤受外力拉扯時，大焊點的附著力大于小焊點，會增大小焊點失效的風險；
5、（2）現有中心導體的焊盤
6、即，現有的中心導體模組焊盤和塑封外殼引腳焊盤由于中心導體材質應力、結構分布等原因容易發生開焊可靠性有待改善。
技術實現思路
1、本技術的目的就在于提供一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，以解決上述問題。
2、為了實現上述目的，本技術采用的技術方案是這樣的：一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，包括三條編織帶和所述編織帶末端的中心導體焊盤，每個所述中心導體焊盤均為兩個獨立的焊盤結構，所述兩個獨立的焊盤結構通過連接帶相連，并在每個所述獨立的焊盤結構的側部設置有一個焊盤開孔。
3、作為優選的技術方案：所述兩個獨立的焊盤結構呈“幾”字形排列。
4、作為優選的技術方案：所述焊盤開孔為開口窄于內部、且內部為弧形的異形缺口形狀，即類似于葫蘆狀。
5、作為優選的技術方案：所述連接帶位于所述編織帶上。
6、本技術中，將原來的一個整體焊盤設置為兩個獨立分開的焊盤結構，同時獨立焊盤之間的連接部位（連接帶）上移至中心導體編織帶，其優勢在于，兩個獨立的焊盤結構避免了由于焊盤尺寸不一致導致的小焊盤被大焊盤拉扯的風險，兩個焊盤承受的應力不會相互傳遞影響；
7、另外，兩個獨立的焊盤更容易實現焊盤平整度。由于兩個獨立的焊盤面積小于現有中心導體結構，在終成型階段更容易實現較高的平整度；此外，由于連接部位上移，連接部位以下兩條獨立的中心導體編織帶更容易實現折彎成型。
8、在焊盤的兩側分別制作一個開口窄于內部、且內部為弧形的異形缺口形狀的焊盤開孔，焊盤開孔可以使焊盤底部的焊錫上溢至焊盤上表面，實現更好的焊接效果。
9、與現有技術相比，本技術的優點在于：
10、（1）本技術的中心導體結構避免了兩個焊點共焊盤帶來的不利影響，兩個焊點之間相互獨立不受影響，可以有效解決開焊異常的問題；
11、（2）本技術的中心導體結構減小了單個焊盤的面積，更容易實現焊盤平整度的控制；
12、（3）開口窄于內部、且內部為弧形的異形缺口形狀的焊盤開孔可以使焊盤底部的焊錫上溢至焊盤上表面，提升焊點的焊接質量，實現更好的焊接效果；
13、（4）本技術的中心導體結構主要對焊盤結構做出改變，三條編織帶的寬度和長度不發生變化，現有的工裝設備可以實現編織成型過程。
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1.一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，包括三條編織帶和所述編織帶末端的中心導體焊盤，其特征在于，每個所述中心導體焊盤均為兩個獨立的焊盤結構，所述兩個獨立的焊盤結構通過連接帶相連，并在每個所述獨立的焊盤結構的側部設置有一個焊盤開孔。
2.根據權利要求1所述的一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，其特征在于：所述兩個獨立的焊盤結構呈“幾”字形排列。
3.根據權利要求1所述的一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，其特征在于：所述焊盤開孔的為開口窄于內部、且內部為弧形的異形缺口形狀。
4.根據權利要求1所述的一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，其特征在于：所述連接帶位于所述編織帶上。
【技術特征摘要】
1.一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，包括三條編織帶和所述編織帶末端的中心導體焊盤，其特征在于，每個所述中心導體焊盤均為兩個獨立的焊盤結構，所述兩個獨立的焊盤結構通過連接帶相連，并在每個所述獨立的焊盤結構的側部設置有一個焊盤開孔。
2.根據權利要求1所述的一種提高集總參數器件焊接可靠性的中心導體結構，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何海洋，尹久紅，
申請(專利權)人：西南應用磁學研究所中國電子科技集團公司第九研究所，
類型：新型
國別省市：
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