顯示面板及顯示裝置制造方法及圖紙

13、所述源極與所述第一接觸孔位置對應，且經由所述第一接觸孔與所述有源層連接；

14、所述漏極的一部分與所述第二接觸孔位置對應，并經由所述第二接觸孔與所述有源層連接，所述漏極的另一部分與所述第三接觸孔位置對應，并經由所述第三接觸孔和所述第四接觸孔與所述金屬遮光層連接；

15、所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的孔徑大于所述第三接觸孔的孔徑，并且所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的孔徑大于所述第四接觸孔的孔徑。

16、在一實施例中，所述第一接觸孔的面積設置為s1，所述第二接觸孔的面積設置為s2，其中，20μm2≤s1＝s2≤100μm2。

17、在一實施例中，所述第三接觸孔的面積設置為s3，其中，3μm2≤s3≤10μm2。

18、在一實施例中，所述第三接觸孔的數量設置為n，其中，1≤n≤4。

19、在一實施例中，所述第一接觸孔、所述第二接觸孔以及所述第三接觸孔在第一方向上間隔設置；

20、在所述層間絕緣層上還設置有第一輔助孔和第二輔助孔，所述第一輔助孔和所述第二輔助孔至少處于所述第一接觸孔在第二方向上的一側，所述第一輔助孔和所述第二輔助孔在所述第一方向上間隔排布，且分別與所述第一接觸孔和所述第二接觸孔位置對應，所述第一輔助孔和所述第二輔助孔在所述襯底基板上的投影與所述金屬遮光層在所述襯底基板上的投影錯開設置；

21、其中，所述第一方向和所述第二方向呈交叉設置。

22、在一實施例中，在所述第一方向上，所述第三接觸孔與離之最近的所述輔助孔之間的間距設置為10μm～100μm。

23、在一實施例中，所述第二輔助孔處于所述第一輔助孔靠近所述第三接觸孔的一側；

24、在所述第二方向上，所述第二輔助孔和所述第一接觸孔之間的間距設置為2μm～5μm。

25、在一實施例中，所述第一輔助孔設置有兩個，兩個所述第一輔助孔處于所述第一接觸孔在所述第二方向上的兩側；

26、所述第二輔助孔設置有兩個，兩個所述第二輔助孔處于所述第一接觸孔在所述第二方向上的兩側。

27、在一實施例中，所述金屬遮光層在所述襯底基板上形成有第一正投影；

28、所述有源層在所述襯底基板上形成有第二正投影；

29、所述柵極在所述襯底基板上形成有第三正投影；

30、所述源極在所述襯底基板上形成有第四正投影；

31、所述漏極在所述襯底基板上形成有第五正投影；

32、所述輔助孔組在所述襯底基板上形成有第六正投影；

33、其中，所述第六正投影與所述第一正投影、所述第二正投影、所述第三正投影、所述第四正投影以及所述第五正投影錯位設置

34、本申請的實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。

35、有益效果：本申請提供的顯示面板中，在層間絕緣層上對應源極的位置處設置第一接觸孔、對應漏極的位置處設置第二接觸孔和第三接觸孔，緩沖層上設置第四接觸孔；可以知道的是，相同刻蝕條件下，孔徑越大的刻蝕速率越低而孔深越小，孔徑越小的刻蝕速率越高而孔深越大；由于所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的孔徑大于所述第三接觸孔的孔徑，因此在同步刻蝕過程中，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔形成于所述層間絕緣層上，并同時在所述層間絕緣層上形成所述第三接觸孔、在所述緩沖層上形成所述第四接觸孔；如此，通過一道光罩形成所述第一接觸孔、所述第二接觸孔、所述第三接觸孔以及所述第四接觸孔，將tg型薄膜晶體管的10道光罩降低至9道光罩，從而降低bce產線的產能折損率，進而提升生產產能和良率；同時，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的孔徑大于所述第三接觸孔的孔徑的設置，不僅不用調節原所述層間絕緣層和所述緩沖層的刻蝕選擇比，而且能夠在相同的刻蝕時間內，滿足接觸孔各自的孔深需求，避免有源層上出現過刻蝕，從而保證tg型薄膜晶體管的器件性能。