【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體器件。
技術介紹
1、下面列舉了所公開的技術。
2、[專利文獻1]日本特開第2019-75442號公報
3、存在一種半導體器件，其中通過倒裝芯片連接方法將半導體芯片安裝在包括多個布線層的布線襯底上。例如，專利文獻1公開了一種結構，其中半導體芯片和布線襯底經由被布置在半導體芯片的表面上的多個突出電極彼此電連接。
技術實現思路
1、根據半導體器件的發展，存在一個半導體芯片的突出電極的數量增加的趨勢。另一方面，由于對半導體芯片小型化的需求，突出電極的布置密度要高。因此，有必要將突出電極布置為在相鄰的突出電極之間彼此不發生電短路。本專利技術人已經發現，從提高半導體器件的可靠性或改進電特點的觀點來看，與突出電極簡單地以最小節距布置的情況相比，可以通過設計突出電極的布置來提高可靠性或改進電特點。
2、通過本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得顯而易見。
3、根據一個實施例的半導體器件的半導體芯片包括：第一布線層，被形成在半導體襯底上；第二絕緣層，被布置為覆蓋第一布線層；以及多個突出電極，與第一布線層電連接。多個突出電極包括：多個第一突出電極，被布置在與第二絕緣層的第一區域重疊的位置處；多個第二突出電極，被布置在與第二絕緣層的第二區域重疊的位置處；以及多個第三突出電極，被布置在與第二絕緣層的第三區域重疊的位置處。多個第一突出電極以第一節距布置，多個第二突出電極以第二節距布置，并且多個第三突出電極以與第一節距和第二節距
4、根據實施例，半導體器件的性能可以被提高。
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1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個突出電極中的所述多個第三突出電極包括被布置在最靠近所述第一側的位置處的突出電極。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一電路是用于電信號的輸入/輸出電路。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個第二突出電極在所述第二方向上以三行或多行被布置。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個第一突出電極和所述多個第二突出電極中的每一者以交錯方式被布置。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述多個第一突出電極中的一個第一突出電極與所述多個第二突出電極中的一個第二突出電極之間的最大節距等于或小于所述第二節距，所述多個第二突出電極中的所述一個第二突出電極位于所述多個第一突出電極中的所述一個第一突出電極旁邊。
8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述多個第三突出電極中的一個第三突出電極與所述多個第二突出電極中的一個第二突出電極之間的最大節距等于或小于所述第二節距，
9.根據權利要求1所述的半導體器件，
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第一節距在所述第二方向上的所述分量長于所述第一節距在所述第一方向上的分量。
11.根據權利要求10所述的半導體器件，
12.根據權利要求11所述的半導體器件，
13.根據權利要求11所述的半導體器件，
14.一種半導體器件，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個突出電極中的所述多個第三突出電極包括被布置在最靠近所述第一側的位置處的突出電極。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一電路是用于電信號的輸入/輸出電路。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個第二突出電極在所述第二方向上以三行或多行被布置。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個第一突出電極和所述多個第二突出電極中的每一者以交錯方式被布置。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述多個第一突出電極中的一個第一突出電極與所述多個第二突出電極中的一個第二突出電極之間的最大節距等于或小于所述第二節距，所述多個第二突出電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：土屋惠太，仮屋崎修一，坂本和夫，
申請(專利權)人：瑞薩電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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