【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及氧化亞硅制備，具體為一種氧化亞硅氣相沉積裝置。
技術介紹
1、氧化亞硅是一種應用廣泛的無機化合物，其可作為精細陶瓷的合成原料，同時也被大量用于光學玻璃和半導體行業中。
2、公告號cn115321542a提出的一種用于制備氧化亞硅的氣相沉積裝置，其提出了設置有能夠實現內膽與外爐體的對接的接料機構與進料機構，實現在內膽短暫停止的過程，為進料機構實現進料提供了條件；同時進料機構包括兩個閥門和暫存腔，能夠將物料存放在暫存腔中，抽真空提供進料準備，待內膽短暫停止轉動時，可實現快速進料，但是該申請中進料過程產生的短暫停止以及滯空狀態，會導致氣化物質不能連續反應，因而存在較大的局限性。
3、鑒于此，便設計了一種氧化亞硅氣相沉積裝置，以解決上述問題。
技術實現思路
1、本專利技術旨在解決現有技術或相關技術中存在的技術問題之一。
2、為此，本專利技術所采用的技術方案為：
3、一種氧化亞硅氣相沉積裝置，包括傳動機構、氣相沉淀機構以及兩組退料機構，所述傳動機構設置在氣相沉淀機構上，兩個退料機構分別設置在氣相沉淀機構的兩側；所述氣相沉淀機構包括分離沉淀組件以及用于刮除沉積物料的內置刮頭；所述分離沉淀組件包括密封倉、設置在密封倉內腔兩側壁上的兩個集料側墊、設置在集料側墊頂部的集料頂墊以及設置在兩個集料側墊底部的集料底墊；所述傳動機構包括用于敲擊集料頂墊且釋放高頻震動波的撞針；兩組所述退料機構設置在密封倉的兩端；所述退料機構包括密封組件以及排放物料
4、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述集料頂墊兩端的底部均開設有滑道，兩個滑道內均設置有壓簧，兩個滑道內均活動安裝有堵頭；
5、所述內置刮頭的兩側均開設有刀口，且內置刮頭的頂部開設有適配于堵頭的槽口；
6、所述內置刮頭用于對集料底墊、集料頂墊以及兩個集料側墊內沉積的物料進行刮除。
7、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述密封組件包括封門、安裝在封門上的兩個夾座、活動安裝在兩個夾座內的遞進轉軸以及設置在遞進轉軸螺紋段上的隔板；
8、所述封門內設置有插管，所述插管和密封倉之間設置有回流組件；
9、所述回流組件用于回流轉輸形成分區中的部分氣化物質。
10、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述回流組件包括外管，所述外管的底端安裝有轉接端管以及設置在轉接端管內部的芯管；
11、所述密封倉的底部安裝有兩個端管，且兩個芯管分別貫穿至兩個端管內；
12、所述外管頂部的端管內設置有密封閥，用于回流后管路密閉防控。
13、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述氣相沉淀機構還包括設置在密封倉上的密封端頭、設置在密封端頭內且承壓于集料頂墊上的密封墊、固定安裝在密封倉頂部的兩個夾具以及安裝在內置刮頭內部的推進桿；
14、所述推進桿螺紋段上活動安裝有螺紋鎖頭。
15、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述傳動機構還包括設置在密封倉頂部的驅動組件；
16、所述驅動組件由機箱、電機以及偏轉輪組成，且偏轉輪上活動安裝有牽引板；
17、所述密封倉的頂部設置有復位組件，所述密封倉上安裝有兩個懸臂；
18、所述復位組件包括外框板、安裝在密封倉頂部且位于外框板內側的立柱以及設置在立柱外部的彈簧；
19、所述立柱的外部活動安裝有托板，且托板的末端安裝在撞針的頂部。
20、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述傳動機構還包括減速機；
21、所述減速機底部的輸入軸與電機內傳動軸的另一端連接，且減速機頂部的輸出軸上連接有聯動軸；
22、所述密封倉的頂部設置有兩組定位板，所述聯動軸活動安裝在兩組定位板內，且聯動軸的外端安裝有齒輪，而齒輪上傳動連接有鏈條。
23、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述退料機構還包括設置在封門內側端口中的墊圈，且墊圈適配卡接在密封倉外端的環槽中；
24、所述封門的中部開設有通孔，所述推進桿適配貫穿至通孔中。
25、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述退料機構還包括升降架；
26、所述升降架由兩個拉桿和u字形桿體組成，且u字形桿體活動安裝在滑槽內，而兩個拉桿貫穿至封門外部的兩個端頭安裝在隔板上。
27、本專利技術在一較佳示例中可以進一步配置為：所述封門內側開設有適配于內置刮頭和堵頭的矩形槽口，且矩形槽口與排料孔連通；
28、所述擠料墊板活動安裝在排料孔內，用于配合震動波對刮除后物料提供快速退料的動能。
29、通過采用上述技術方案，本專利技術所取得的有益效果為：
30、1.本專利技術通過將傳統分室結構且體積大的氣相反應裝置設置為自由分區的密封倉，當密封倉內部均布四個集料墊后，氣化物質進入四個集料墊形成的矩形腔體內反應直至沉積后，整潔的四個端面便可配合雙向橫移的內置刮頭對沉積的氧化亞硅進行退料處理，此時該裝置便可在四個集料墊形成的矩形空腔內實現自由的分區，從而方便氣化物質的持續反應，并對沉積物進行快速退料。
31、2.本專利技術通過在集料頂墊的底部設置對稱分布的兩個堵頭，當內置刮頭從其中一個堵頭上撤離并向著另一個堵頭靠近的過程中，氣化物質便可順著內置刮頭頂部的槽口持續流出并反應，而沉積的氧化亞硅物料便可被內置刮頭順利刮除，此時氣流便不會對刮除的物料造成裹挾，與此同時伴隨高頻震動波的協作，沉積物的刮除效率便可提高。
32、3.本專利技術通過設置兩組退料機構，在兩個封門內部均開設排料孔，配合內置刮刀以及堵頭將沉積物料轉移至其中一個封門內側后，得到升降調控的擠料墊板便可配合震動波將物料震出，最終物料便可在不停運設備的過程中被排出，從而提高氧化亞硅制成的效率，并降低設備總體的占地面積。
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1.一種氧化亞硅氣相沉積裝置，包括傳動機構（200），其特征在于，還包括氣相沉淀機構（100）以及兩組退料機構（300），所述傳動機構（200）設置在氣相沉淀機構（100）上，兩個退料機構（300）分別設置在氣相沉淀機構（100）的兩側；
2.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述集料頂墊（115）兩端的底部均開設有滑道（116），兩個滑道（116）內均設置有壓簧（117），兩個滑道（116）內均活動安裝有堵頭（118）；
3.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述退料機構（300）包括密封組件（310）以及排放物料的排料孔（370），所述排料孔（370）內設置有擠料墊板（360）；
4.根據權利要求3所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述回流組件（380）包括外管（381），所述外管（381）的底端安裝有轉接端管（382）以及設置在轉接端管（382）內部的芯管（383）；
5.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述氣相沉淀機構（100）還包括設置在密
6.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述傳動機構（200）還包括設置在密封倉（111）頂部的驅動組件（210）；
7.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述傳動機構（200）還包括減速機（220）；
8.根據權利要求5所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述退料機構（300）還包括設置在封門（311）內側端口中的墊圈（320），且墊圈（320）適配卡接在密封倉（111）外端的環槽中；
9.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述退料機構（300）還包括升降架（350）；
10.根據權利要求3所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述封門（311）內側開設有適配于內置刮頭（180）和堵頭（118）的矩形槽口，且矩形槽口與排料孔（370）連通；
...【技術特征摘要】
1.一種氧化亞硅氣相沉積裝置，包括傳動機構（200），其特征在于，還包括氣相沉淀機構（100）以及兩組退料機構（300），所述傳動機構（200）設置在氣相沉淀機構（100）上，兩個退料機構（300）分別設置在氣相沉淀機構（100）的兩側；
2.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述集料頂墊（115）兩端的底部均開設有滑道（116），兩個滑道（116）內均設置有壓簧（117），兩個滑道（116）內均活動安裝有堵頭（118）；
3.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述退料機構（300）包括密封組件（310）以及排放物料的排料孔（370），所述排料孔（370）內設置有擠料墊板（360）；
4.根據權利要求3所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述回流組件（380）包括外管（381），所述外管（381）的底端安裝有轉接端管（382）以及設置在轉接端管（382）內部的芯管（383）；
5.根據權利要求1所述的一種氧化亞硅氣相沉積裝置，其特征在于，所述氣相沉淀機構（100）還包括設置在密封倉（1...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李淮北，秦建，
申請(專利權)人：常州裕能石英科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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