【技術實現步驟摘要】
本申請涉及醫(yī)療設備，具體而言，涉及一種射頻信號發(fā)生器和射頻消融設備。
技術介紹
1、在醫(yī)療領域中，射頻消融可應用于身體各個組織的消融中。射頻消融是通過射頻信號發(fā)生器發(fā)出射頻信號，傳輸給射頻消融導管，以為通過射頻消融導管輸出產生適當的高溫以達到身體各個組織的消融。但是，目前的射頻信號發(fā)生器的信號的準確性存在不足，導致射頻消融效果也就受到影響。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種射頻信號發(fā)生器和射頻消融設備，能夠提高射頻信號發(fā)生器的射頻信號的準確性。
2、第一方面，本專利技術提供一種射頻信號發(fā)生器，包括：信號源；與所述信號源連接的功率驅動組件；與所述功率驅動組件連接的功率輸出組件；與所述功率輸出組件連接的數據檢測器；以及與所述數據檢測器連接的總控制器；其中，所述功率輸出組件包括溫度補償電路；所述溫度補償電路用于對所述功率輸出組件中所連接的目標元件的電壓進行調節(jié)。
3、在本申請實施例中，考慮到電路在靜態(tài)工作點一般設置為恒定電壓，但是隨著環(huán)境溫度或者隨著工作可能導致目標元件在不同溫度下工作，在不同溫度下目標元件的靜態(tài)工作電流可能會隨溫度變化，如果長時間工作或散熱環(huán)境較差的環(huán)境中目標元件輸出功率、輸出波形也可能出現較大波動，因此，通過設置溫度補償電路，可以對該目標元件的溫度進行補償，從而實現電壓的調節(jié)，使目標元件輸出的波形可以更加穩(wěn)定，也就可以使其工作也可以更加穩(wěn)定。進一步地，可以使其能夠連接的消融管輸出的能量也可以更準確，從而更好地更準確地實現消融效果。p>
4、在可選的實施方式中，所述溫度補償電路包括：溫度檢測器、電流檢測器、電壓檢測器以及電壓控制器；所述溫度檢測器用于采集所述目標元件的溫度數據；所述電流檢測器用于采集所述目標元件的電流數據；所述電壓檢測器用于采集所述目標元件的電壓數據；所述電壓控制器與所述溫度檢測器、所述電流檢測器以及所述電壓檢測器均電連接，所述電壓控制器用于基于所述溫度數據、電流數據以及所述電壓數據對所述目標元件的電壓進行調節(jié)。
5、在上述實施方式中，該溫度補償電路包括了溫度檢測器、電流檢測器、電壓檢測器，通過結合多個檢測器檢測得到的數據對目標元件進行補償，可以使其補償更具有針對性，也就可以使得對目標元件的電壓的調整也可以更加準確。
6、在可選的實施方式中，所述目標元件為mos管；所述溫度數據包括所述mos管的溫度變化；所述電流數據包括所述mos管的輸出電流；所述電壓數據包括所述mos管的基級的電壓；所述溫度檢測器用于檢測所述mos管的溫度變化；所述電壓檢測器連接在所述mos管的基級，所述電壓檢測器用于采集所述mos管的基級的電壓；所述電流檢測器連接在所述mos管的輸出端，所述電流檢測器用于采集所述mos管的輸出電流。
7、在可選的實施方式中，所述溫度補償電路還包括：一端與所述電壓控制器連接，另一端與所述mos管的基級連接的電阻控制元件；所述電壓控制器配置為根據所述mos管的溫度變化以及所述mos管的輸出電流，調節(jié)所述電阻控制元件的阻值，以對所述mos管的基級上的電壓進行調整，以及所述電壓控制器還配置為通過對所述mos管的基級上的電壓，調節(jié)所述mos管的柵極上的電壓以及所述mos管的柵極到源級的電壓。
8、在可選的實施方式中，所述電阻控制元件包括數字控制電位器(digitallycontrolled?potentiometers，dcp)。
9、在上述實施方式中，通過配置電阻控制元件，可以通過控制目標元件所在電路中的電阻來實現對電壓的調節(jié)，結合電流檢測器得到的電流數據結合電阻的調節(jié)實現的電壓的調節(jié)，使目標元件的電壓的調節(jié)可以更加精準。
10、在可選的實施方式中，所述功率輸出組件還包括：與所述目標元件連接的第一放大電路；所述第一放大電路包括：串聯的第一隔直電容和第二電阻。
11、在上述實施方式中，通過設置第一放大電路，即使輸入的信號較微弱的情況下，通過該第一放大電路的放大處理，可以更好地滿足后續(xù)針對目標元件的溫度補償相關處理處理的需求。
12、在可選的實施方式中，所述功率輸出組件還包括：與所述目標元件連接的第二放大電路；所述第二放大電路包括：第三電阻、第二變壓器和第四電阻；所述第三電阻連接在所述第二變壓器的原邊；所述第四電阻連接在所述第二變壓器的輸出端。
13、在上述實施方式中，通過設置第二放大電路，可以使該功率輸出組件輸出信號可以更強，從而方便方便后續(xù)的數據檢測器能夠更準確地檢測出該功率輸出組件的輸出信號。
14、在可選的實施方式中，所述總控制器包括：振蕩濾波電路；其中，所述振蕩濾波電路的目標電路參數通過遺傳算法確定。
15、在可選的實施方式中，所述振蕩濾波電路的電路參數通過以下方式確定：計算所述振蕩濾波電路所在電路的初始總諧波失真值(total?harmonic?distortion，thd)；若判定初始總諧波失真值大于目標值，設置迭代參數；所述迭代參數包括迭代次數閾值；確定出遺傳算法中的目標遺傳算子；根據所述目標遺傳算子，計算當前總諧波失真值；若判定當前總諧波失真值小于所述目標值，則確定當前總諧波失真值對應的電路參數為所述目標電路參數；若判定當前總諧波失真值不小于所述目標值，則對所述目標遺傳算子進行更新，基于更新后的目標遺傳算子，計算當前總諧波失真值；若判定當前總諧波失真值不小于所述目標值，且迭代次數大于所述迭代次數閾值，則對所述迭代參數進行更新，并基于更新后的迭代參數進行迭代。
16、在上述實施方式中，通過結合遺傳算法來對振蕩濾波電路的參數，能夠快速的找到合適的參數，縮短參數調節(jié)所需時間。進一步地，在結合功率輸出組件中對目標元件基于溫度補償實現的電壓調節(jié)，在其輸出信號更穩(wěn)定的情況下，該總控制器獲得的數據也可以更穩(wěn)定，基于更加穩(wěn)定的數據，可以使其射頻信號發(fā)生器輸出的消融射頻也可以更穩(wěn)定和準確。
17、在可選的實施方式中，所述對所述目標遺傳算子進行更新，包括：根據所述當前總諧波失真值與所述目標值的差值對所述目標遺傳算子進行更新。
18、在可選的實施方式中，所述遺傳算法中的遺傳算子包括隨機操作、交叉操作、變異操作；所述交叉操作可以包括單點交叉操作、雙點交叉操作、三點交叉操作；所述變異操作可以包括單點變異操作、雙點變異操作、三點變異操作、四點變異操作；所述根據所述當前總諧波失真值與所述目標值的差值對所述目標遺傳算子進行更新，包括：若所述差值在第一數值區(qū)間內，將確定單點交叉操作、單點變異操作為目標遺傳算子；若所述差值在第二數值區(qū)間內，將確定雙點交叉操作、雙點變異操作為目標遺傳算子；若所述差值在第三數值區(qū)間內，將確定隨機操作、雙點交叉操作、雙點變異操作為目標遺傳算子；若所述差值在第四數值區(qū)間，將確定隨機操作、三點交叉操作、雙點變異操作為目標遺傳算子；若差值在第五數值區(qū)間內，將確定隨機操作、四點交叉操作、三點變異操作為目標遺傳算子。
19、在上述實施方式中，通過基于差值的不同，選擇不同的遺傳本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種射頻信號發(fā)生器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述溫度補償電路包括：溫度檢測器、電流檢測器、電壓檢測器以及電壓控制器；
3.根據權利要求2所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述目標元件為MOS管；所述溫度數據包括所述MOS管的溫度變化；所述電流數據包括所述MOS管的輸出電流；所述電壓數據包括所述MOS管的基級的電壓；
4.根據權利要求3所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述溫度補償電路還包括：一端與所述電壓控制器連接，另一端與所述MOS管的基級連接的電阻控制元件；
5.根據權利要求1所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述功率輸出組件還包括：與所述目標元件連接的第一放大電路；
6.根據權利要求1所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述功率輸出組件還包括：與所述目標元件連接的第二放大電路；
7.根據權利要求1-6任意一項所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述總控制器包括：振蕩濾波電路；其中，所述振蕩濾波電路的目標電路參數通過遺傳算法確定。
8.根據權利要
9.根據權利要求8所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述對所述目標遺傳算子進行更新，包括：
10.根據權利要求9所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述遺傳算法中的遺傳算子包括隨機操作、交叉操作、變異操作；所述交叉操作可括單點交叉操作、雙點交叉操作、三點交叉操作；所述變異操作包括單點變異操作、雙點變異操作、三點變異操作、四點變異操作；
11.根據權利要求1-6任意一項所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述功率驅動組件包括多組子功率驅動組件；
12.根據權利要求11所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述子功率驅動組件包括：幅度調節(jié)單元和功率放大單元。
13.根據權利要求1-6任意一項所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述功率驅動組件包括多組子功率驅動組件；
14.一種射頻消融設備，其特征在于，包括射頻消融導管和權利要求1-13任意一項所述的射頻信號發(fā)生器；
...【技術特征摘要】
1.一種射頻信號發(fā)生器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述溫度補償電路包括：溫度檢測器、電流檢測器、電壓檢測器以及電壓控制器；
3.根據權利要求2所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述目標元件為mos管；所述溫度數據包括所述mos管的溫度變化；所述電流數據包括所述mos管的輸出電流；所述電壓數據包括所述mos管的基級的電壓；
4.根據權利要求3所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述溫度補償電路還包括：一端與所述電壓控制器連接，另一端與所述mos管的基級連接的電阻控制元件；
5.根據權利要求1所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述功率輸出組件還包括：與所述目標元件連接的第一放大電路；
6.根據權利要求1所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述功率輸出組件還包括：與所述目標元件連接的第二放大電路；
7.根據權利要求1-6任意一項所述的射頻信號發(fā)生器，其特征在于，所述總控制器包括：振蕩濾波電路；其中，所述振蕩濾波電路的目標電路參數通過遺傳算法...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：曹星輝，胡院濤，陳紅，張德亮，王雁，郭久林，
申請(專利權)人：上海魅麗緯葉醫(yī)療科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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