【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。
技術(shù)介紹
1、橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(lateral?double-diffused?metal-oxidesemiconductor，簡稱ldmos)作為一種功率開關(guān)器件廣泛應(yīng)用于高壓集成電路中，如交直流led驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。對(duì)于大功率橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體來說，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓(bv)和低導(dǎo)通電阻(ron,sp)是理想的目標(biāo)。而導(dǎo)通電阻隨高擊穿電壓的增加而迅速增加，稱為ron,sp∝bv2.5的“硅極限”關(guān)系，從而導(dǎo)致高功耗。
2、人們專利技術(shù)了幾種技術(shù)來優(yōu)化這兩個(gè)重要參數(shù)之間的權(quán)衡，如減少表面電場(resurf)、超結(jié)和橫向摻雜變化(vld)。對(duì)于中低壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，溝槽插塞(trench?ct)是目前業(yè)界的主流技術(shù)。由于溝槽插塞技術(shù)不破壞晶圓表面的載流子路徑，因此可以獲得更低的導(dǎo)通電阻。而溝槽插塞技術(shù)形成的表面電場僅在柵極和溝槽插塞邊緣有兩個(gè)峰值，這意味著高壓無法在漂移區(qū)域有效下降。
3、因此，基于溝槽插塞技術(shù)的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻之間的關(guān)系難以進(jìn)一步優(yōu)化。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，以提升橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的性能。
2、為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)技術(shù)方案提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底，所述襯底內(nèi)具有相鄰的體區(qū)和漂移區(qū)，所述體
3、可選的，在遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上，若干屏蔽層與漂移區(qū)之間的介質(zhì)結(jié)構(gòu)的厚度逐漸增大。
4、可選的，所述插塞結(jié)構(gòu)在漂移區(qū)上的投影區(qū)域在遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上包括第一區(qū)、若干第二區(qū)和第三區(qū)，所述第一區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)相鄰，所述第三區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離大于第二區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離，若干所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)和第三區(qū)之間。
5、可選的，若干所述屏蔽層包括：位于第一區(qū)上的第一屏蔽層，以及位于若干第二區(qū)上的若干第二屏蔽層，所述第一屏蔽層位于隔離層上，若干所述第二屏蔽層位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)。
6、可選的，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：位于第一屏蔽層和第二屏蔽層之間的第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層還位于第二區(qū)和第三區(qū)的隔離層上；位于相鄰第二屏蔽層之間、以及第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；位于插塞結(jié)構(gòu)和第二屏蔽層之間、以及第二介質(zhì)層上的第三介質(zhì)層。
7、可選的，所述第一介質(zhì)層的厚度小于1000埃；所述第二介質(zhì)層的厚度小于1000埃；所述第三介質(zhì)層的厚度小于1000埃。
8、可選的，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵極層。
9、可選的，所述第一介質(zhì)層具有第一厚度h1，第i層所述第二介質(zhì)層具有第二厚度h2i，所述第三介質(zhì)層具有第三厚度h3，所述柵介質(zhì)層具有第四厚度tox，所述隔離層具有第五厚度hs，所述第一屏蔽層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端與所述柵介質(zhì)層之間具有第一間距s，第i個(gè)所述第二區(qū)在遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上具有第二間距ci，所述第三區(qū)在遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上具有第三間距a，所述插塞結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端與所述隔離層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端之間具有第四間距b，所述第一間距s、第二間距ci和第三間距a與第一介質(zhì)層的第一厚度h1，第i層所述第二介質(zhì)層的第二厚度h2i，所述第三介質(zhì)層的第三厚度h3、柵介質(zhì)層的第四厚度tox、隔離層的第五厚度hs之間的關(guān)系為：第一間距s＝(hs-tox)*v5/(vdrop*tox)；第1個(gè)第二間距c1＝h1*v4/(vdrop*hs)；第i個(gè)第二間距ci＝h2(i-1)*vr2/(vdrop*(h2(i-2)+h2(i-3)…+h2(i-i)+h1+hs))，其中，i的數(shù)量大于等于2；第三間距a＝h3*vr(i-2)/(vdrop*(h1+h2(i-2)+h2(i-3)…+h2(i-i)+hs))，其中，vr1和vri為第二屏蔽層、第一介質(zhì)層和隔離層與漂移區(qū)構(gòu)成的第二電容的上下極板壓差，v4為第一屏蔽層和隔離層與漂移區(qū)構(gòu)成的第四電容的上下極板壓差，v5為柵極層與漂移區(qū)構(gòu)成的電容邊緣的上下極板壓差，vdrop為電壓壓降。
10、可選的，所述隔離層還位于漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面和部分頂部表面；所述插塞結(jié)構(gòu)還位于漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和部分頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)上。
11、可選的，若干所述屏蔽層還延伸到漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和部分頂部表面的隔離層上。
12、可選的，若干所述屏蔽層加載的電壓相同；若干所述屏蔽層加載的電壓與接地電壓相同。
13、可選的，所述隔離層的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。
14、可選的，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。
15、可選的，所述屏蔽層的材料包括金屬或金屬氮化物；所述金屬包括：銅、鋁、鎢、鈷、鎳和鉭中的一種或多種的組合；所述金屬氮化物包括氮化鉭和氮化鈦中的一種或多種的組合。
16、可選的，所述體區(qū)的導(dǎo)電類型為p型，所述漂移區(qū)的導(dǎo)電類型為n型。
17、可選的，還包括：位于漂移區(qū)內(nèi)的漏區(qū)，所述漏區(qū)與遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的隔離層相鄰，所述漏區(qū)的導(dǎo)電類型與漂移區(qū)的導(dǎo)電類型相同；位于體區(qū)內(nèi)的源區(qū)，所述源區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)相鄰，所述源區(qū)的導(dǎo)電類型與漂移區(qū)的導(dǎo)電類型相同。
18、可選的，還包括：位于體區(qū)內(nèi)的摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與源區(qū)的導(dǎo)電類型相反，所述摻雜區(qū)與源區(qū)相鄰。
19、可選的，所述插塞結(jié)構(gòu)的材料包括金屬或金屬氮化物；所述金屬包括：銅、鋁、鎢、鈷、鎳和鉭中的一種或多種的組合；所述金屬氮化物包括氮化鉭和氮化鈦中的一種或多種的組合。
20、可選的，還包括：位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻；所述隔離層還位于側(cè)墻表面。
21、相應(yīng)地，本專利技術(shù)技術(shù)方案還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有相鄰的體區(qū)和漂移區(qū)，所述體區(qū)和漂移區(qū)的導(dǎo)電類型相反，所述襯底表面暴露出所述體區(qū)和漂移區(qū)表面；在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于部分體區(qū)和部分漂移區(qū)上；在漂移區(qū)表面和漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面形成隔離層；在隔離層上形成介質(zhì)結(jié)構(gòu)和位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的若干屏蔽層，若干所述屏蔽層沿遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向分布，若干屏蔽層與漂移區(qū)之間的介質(zhì)結(jié)構(gòu)的厚度不同；在所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)上形成插塞結(jié)構(gòu)。
22、可選的，在遠(yuǎn)離本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上，若干屏蔽層與漂移區(qū)之間的介質(zhì)結(jié)構(gòu)的厚度逐漸增大。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述插塞結(jié)構(gòu)在漂移區(qū)上的投影區(qū)域在遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上包括第一區(qū)、若干第二區(qū)和第三區(qū)，所述第一區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)相鄰，所述第三區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離大于第二區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離，若干所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)和第三區(qū)之間。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述屏蔽層包括：位于第一區(qū)上的第一屏蔽層，以及位于若干第二區(qū)上的若干第二屏蔽層，所述第一屏蔽層位于隔離層上，若干所述第二屏蔽層位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：位于第一屏蔽層和第二屏蔽層之間的第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層還位于第二區(qū)和第三區(qū)的隔離層上；位于相鄰第二屏蔽層之間、以及第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；位于插塞結(jié)構(gòu)和第二屏蔽層之間、以及第二介質(zhì)層上的第三介質(zhì)層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵極層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層具有第一厚度H1，第i層所述第二介質(zhì)層具有第二厚度H2i，所述第三介質(zhì)層具有第三厚度H3，所述柵介質(zhì)層具有第四厚度TOX，所述隔離層具有第五厚度HS，所述第一屏蔽層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端與所述柵介質(zhì)層之間具有第一間距S，第i個(gè)所述第二區(qū)在遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上具有第二間距Ci，所述第三區(qū)在遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上具有第三間距A，所述插塞結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端與所述隔離層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端之間具有第四間距B，所述第一間距S、第二間距Ci和第三間距A與第一介質(zhì)層的第一厚度H1，第i層所述第二介質(zhì)層的第二厚度H2i，所述第三介質(zhì)層的第三厚度H3、柵介質(zhì)層的第四厚度TOX、隔離層的第五厚度HS之間的關(guān)系為：第一間距S＝(HS-TOX)*V5/(Vdrop*TOX)；第1個(gè)第二間距C1＝H1*V4/(Vdrop*HS)；第i個(gè)第二間距Ci＝H2(i-1)*VR2/(Vdrop*(H2(i-2)+H2(i-3)…+H2(i-i)+H1+HS))，其中，i的數(shù)量大于等于2；第三間距A＝H3*VR(i-2)/(Vdrop*(H1+H2(i-2)+H2(i-3)…+H2(i-i)+HS))，其中，VR1和VRi為第二屏蔽層、第一介質(zhì)層和隔離層與漂移區(qū)構(gòu)成的第二電容的上下極板壓差，V4為第一屏蔽層和隔離層與漂移區(qū)構(gòu)成的第四電容的上下極板壓差，V5為柵極層與漂移區(qū)構(gòu)成的電容邊緣的上下極板壓差，Vdrop為電壓壓降。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離層還位于漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面和部分頂部表面；所述插塞結(jié)構(gòu)還位于漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和部分頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)上。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述屏蔽層還延伸到漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和部分頂部表面的隔離層上。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述屏蔽層加載的電壓相同；若干所述屏蔽層加載的電壓與接地電壓相同。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離層的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽層的材料包括金屬或金屬氮化物；所述金屬包括：銅、鋁、鎢、鈷、鎳和鉭中的一種或多種的組合；所述金屬氮化物包括氮化鉭和氮化鈦中的一種或多種的組合。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述體區(qū)的導(dǎo)電類型為P型，所述漂移區(qū)的導(dǎo)電類型為N型。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于漂移區(qū)內(nèi)的漏區(qū)，所述漏區(qū)與遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的隔離層相鄰，所述漏區(qū)的導(dǎo)電類型與漂移區(qū)的導(dǎo)電類型相同；位于體區(qū)內(nèi)的源區(qū)，所述源區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)相鄰，所述源區(qū)的導(dǎo)電類型與漂移區(qū)的導(dǎo)電類型相同。
17.如權(quán)利要求16所...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上，若干屏蔽層與漂移區(qū)之間的介質(zhì)結(jié)構(gòu)的厚度逐漸增大。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述插塞結(jié)構(gòu)在漂移區(qū)上的投影區(qū)域在遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上包括第一區(qū)、若干第二區(qū)和第三區(qū)，所述第一區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)相鄰，所述第三區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離大于第二區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離，若干所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)和第三區(qū)之間。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述屏蔽層包括：位于第一區(qū)上的第一屏蔽層，以及位于若干第二區(qū)上的若干第二屏蔽層，所述第一屏蔽層位于隔離層上，若干所述第二屏蔽層位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：位于第一屏蔽層和第二屏蔽層之間的第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層還位于第二區(qū)和第三區(qū)的隔離層上；位于相鄰第二屏蔽層之間、以及第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層；位于插塞結(jié)構(gòu)和第二屏蔽層之間、以及第二介質(zhì)層上的第三介質(zhì)層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度小于1000埃；所述第二介質(zhì)層的厚度小于1000埃；所述第三介質(zhì)層的厚度小于1000埃。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵極層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層具有第一厚度h1，第i層所述第二介質(zhì)層具有第二厚度h2i，所述第三介質(zhì)層具有第三厚度h3，所述柵介質(zhì)層具有第四厚度tox，所述隔離層具有第五厚度hs，所述第一屏蔽層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端與所述柵介質(zhì)層之間具有第一間距s，第i個(gè)所述第二區(qū)在遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上具有第二間距ci，所述第三區(qū)在遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上具有第三間距a，所述插塞結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端與所述隔離層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一端之間具有第四間距b，所述第一間距s、第二間距ci和第三間距a與第一介質(zhì)層的第一厚度h1，第i層所述第二介質(zhì)層的第二厚度h2i，所述第三介質(zhì)層的第三厚度h3、柵介質(zhì)層的第四厚度tox、隔離層的第五厚度hs之間的關(guān)系為：第一間距s＝(hs-tox)*v5/(vdrop*tox)；第1個(gè)第二間距c1＝h1*v4/(vdrop*hs)；第i個(gè)第二間距ci＝h2(i-1)*vr2/(vdrop*(h2(i-2)+h2(i-3)…+h2(i-i)+h1+hs))，其中，i的數(shù)量大于等于2；第三間距a＝h3*vr(i-2)/(vdrop*(h1+h2(i-2)+h2(i-3)…+h2(i-i)+hs))，其中，vr1和vri為第二屏蔽層、第一介質(zhì)層和隔離層與漂移區(qū)構(gòu)成的第二電容的上下極板壓差，v4為第一屏蔽層和隔離層與漂移區(qū)構(gòu)成的第四電容的上下極板壓差，v5為柵極層與漂移區(qū)構(gòu)成的電容邊緣的上下極板壓差，vdrop為電壓壓降。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離層還位于漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面和部分頂部表面；所述插塞結(jié)構(gòu)還位于漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和部分頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)上。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述屏蔽層還延伸到漂移區(qū)上柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和部分頂部表面的隔離層上。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述屏蔽層加載的電壓相同；若干所述屏蔽層加載的電壓與接地電壓相同。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離層的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽層的材料包括金屬或金屬氮化物；所述金屬包括：銅、鋁、鎢、鈷、鎳和鉭中的一種或多種的組合；所述金屬氮化物包括氮化鉭和氮化鈦中的一種或多種的組合。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述體區(qū)的導(dǎo)電類型為p型，所述漂移區(qū)的導(dǎo)電類型為n型。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于漂移區(qū)內(nèi)的漏區(qū)，所述漏區(qū)與遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的隔離層相...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李智，楊林宏，田志娟，侯艷紅，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中芯國際集成電路制造天津有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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