【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種防電極翻邊的芯片式ntc熱敏電阻結構及其制備方法，屬于電子元件。
技術介紹
1、芯片式ntc(negative?temperature?coefficient，負溫度系數)熱敏電阻工藝基本是制作好瓷體基板后，在基板的上、下兩面印刷燒制或濺射導電層，然后采用刀片(如金剛砂刀片)進行切割形成單體，該單體包括瓷體以及位于瓷體上、下兩面的上、下電極。
2、現有的設計中，刀片切割時，劃切位置的導電層難以完全磨掉；尤其是基板下表面的導電層與較軟的載板接觸，導電層延展性較好，導致劃切位置處的導電層無法完全磨削掉，以毛刺或翻邊的形式與單體的電極連接在一起，使產品呈現電極翻邊的現象。這些毛刺或翻邊會帶來以下問題：①產品外觀不規則導致尺寸超差；②翻邊碎屑過長會導致短路；③產品電性測試時不能在導軌上順利的滑行，出現頻繁卡料；④在擺盤和裝配取料時由于產品高度差異，導致掉料；⑤焊接時產品不能與焊盤平行，導致回流焊時產品偏位。因此，有必要對現有設計進行改進。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的即在于提出一種防電極翻邊的芯片式ntc熱敏電阻結構，解決上述現有技術存在的問題。
2、為達上述目的，本專利技術提出以下技術方案：
3、一種防電極翻邊的芯片式ntc熱敏電阻結構，包括：基板，形成于基板第一表面的第一導電層，以及形成于基板第二表面的第二導電層；其中，所述第一表面是貼近于載板使得所述第一導電層與所述載板接觸的面，所述第二表面是與所述第一表面相對的面；所述
4、進一步地，所述基板的所述第一表面的邊緣一圈被設置為無導電物覆蓋而裸露出基板，且與所述第一劃切街區連通。
5、進一步地，所述第二導電層被第二劃切街區分隔為大小相同的若干區塊，所述第二劃切街區與所述第一劃切街區構造相同且正對設置；所述第二劃切街區用于實現：沿所述第二劃切街區對準所述第一劃切街區切割基板形成若干單體后，每個單體上的所述區塊的面積小于該區塊所在表面面積并處于該區塊所在表面面積的預設百分比范圍內。
6、進一步地，所述基板的所述第二表面的邊緣一圈被設置為無導電物覆蓋而裸露出基板，且與所述第二劃切街區連通。
7、進一步地，每個單體上的所述區塊的面積小于該區塊所在表面面積的99％且大于該區塊所在表面面積的60％。
8、進一步地，所述第一導電層是在所述基板的第一表面按第一預設圖案電鍍或印刷導電層而形成，所述第一表面上的所述若干區塊共同構成所述第一預設圖案。
9、進一步地，所述第一導電層是在所述基板的第二表面按第二預設圖案電鍍或印刷導電層而形成，所述第二表面上的所述若干區塊共同構成所述第二預設圖案。
10、本專利技術技術方案的有益效果體現在：利用無導電物覆蓋的第一劃切街區將與載板接觸的第一導電層分隔為大小相同的若干區塊，切割時，從基板的第二表面對準第一劃切街區切割，這樣每個區塊就形成了單體的一個表面電極，并且由于第一劃切街區的存在使得刀片切至基板第一表面時，不會切割到第一導電層，因此不會形成以毛刺或翻邊形式存在的多余導電物，從而解決因電極翻邊導致的尺寸超差問題、測試時在導軌卡料的問題、焊接時容易偏位的問題、擺盤和裝配取料時容易掉料的問題，以及在電路中由于翻邊碎屑過長易導致短路的問題。
11、在本專利技術的進一步技術方案中，與第一表面相對的第二表面上的第二導電層也被具有相同構造和功能的第二劃切街區分隔成若干區塊，由于該第二劃切街區與第一劃切街區正對設置，在切割時，沿第二劃切街區正對第一劃切街區切割，得到的單體的上下表面各有一個所述的區塊，每個區塊形成了所在表面的表面電極，由于第二劃切街區的存在，可以進一步避免切割第二導電層時形成毛刺或翻邊。
12、在本專利技術的進一步技術方案中，切割街區的設置使得切割形成的單體上每個區塊的面積小于該區塊所在表面面積的99％，這樣可以更好地解決翻邊的問題；同時，每個區塊的面積大于該區塊所在表面面積的60％，這樣可以避免因表面電極過小而影響焊接能力和電性能。
13、本專利技術還提出了前述防電極翻邊的芯片式ntc熱敏電阻結構的制備方法，包括：在所述基板的所述第一表面按第一預定圖案制作所述第一導電層，在所述基板的所述第二表面按第二預定圖案制作所述第二導電層；其中，所述第一預定圖案是由若干個大小相同的區塊構成的陣列，所述基板的所述第一表面上未被所述第一預定圖案覆蓋的區域形成所述第一劃切街區。
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1.一種防電極翻邊的芯片式NTC熱敏電阻結構，其特征在于，包括：基板，形成于基板第一表面的第一導電層，以及形成于基板第二表面的第二導電層；其中，所述第一表面是貼近于載板使得所述第一導電層與所述載板接觸的面，所述第二表面是與所述第一表面相對的面；
2.根據權利要求1所述的芯片式NTC熱敏電阻結構，其特征在于，所述基板的所述第一表面的邊緣一圈被設置為無導電物覆蓋而裸露出基板，且與所述第一劃切街區連通。
3.根據權利要求1所述的芯片式NTC熱敏電阻結構，其特征在于，所述第二導電層被第二劃切街區分隔為大小相同的若干區塊，所述第二劃切街區與所述第一劃切街區構造相同且正對設置；所述第二劃切街區用于實現：沿所述第二劃切街區對準所述第一劃切街區切割基板形成若干單體后，每個單體上的所述區塊的面積小于該區塊所在表面面積并處于該區塊所在表面面積的預設百分比范圍內。
4.根據權利要求3所述的芯片式NTC熱敏電阻結構，其特征在于，所述基板的所述第二表面的邊緣一圈被設置為無導電物覆蓋而裸露出基板，且與所述第二劃切街區連通。
5.根據權利要求1或3所述的芯片式N
6.根據權利要求1所述的芯片式NTC熱敏電阻結構，其特征在于，所述第一導電層是在所述基板的第一表面按第一預設圖案電鍍或印刷導電層而形成，所述第一表面上的所述若干區塊共同構成所述第一預設圖案。
7.根據權利要求3所述的芯片式NTC熱敏電阻結構，其特征在于，所述第一導電層是在所述基板的第二表面按第二預設圖案電鍍或印刷導電層而形成，所述第二表面上的所述若干區塊共同構成所述第二預設圖案。
8.根據權利要求1-7任一項所述的防電極翻邊的芯片式NTC熱敏電阻結構的制備方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的防電極翻邊的芯片式NTC熱敏電阻結構的制備方法，其特征在于，所述第二預定圖案是由若干個大小相同的區塊構成的陣列，所述基板的所述第二表面上未被所述第二預定圖案覆蓋的區域形成第二劃切街區。
10.根據權利要求8所述的防電極翻邊的芯片式NTC熱敏電阻結構的制備方法，其特征在于，制作所述基板的工藝為疊層工藝或制坯工藝。
...【技術特征摘要】
1.一種防電極翻邊的芯片式ntc熱敏電阻結構，其特征在于，包括：基板，形成于基板第一表面的第一導電層，以及形成于基板第二表面的第二導電層；其中，所述第一表面是貼近于載板使得所述第一導電層與所述載板接觸的面，所述第二表面是與所述第一表面相對的面；
2.根據權利要求1所述的芯片式ntc熱敏電阻結構，其特征在于，所述基板的所述第一表面的邊緣一圈被設置為無導電物覆蓋而裸露出基板，且與所述第一劃切街區連通。
3.根據權利要求1所述的芯片式ntc熱敏電阻結構，其特征在于，所述第二導電層被第二劃切街區分隔為大小相同的若干區塊，所述第二劃切街區與所述第一劃切街區構造相同且正對設置；所述第二劃切街區用于實現：沿所述第二劃切街區對準所述第一劃切街區切割基板形成若干單體后，每個單體上的所述區塊的面積小于該區塊所在表面面積并處于該區塊所在表面面積的預設百分比范圍內。
4.根據權利要求3所述的芯片式ntc熱敏電阻結構，其特征在于，所述基板的所述第二表面的邊緣一圈被設置為無導電物覆蓋而裸露出基板，且與所述第二劃切街區連通。
5.根據權利要求1或3所述的芯片式ntc熱...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王洪濤，何寶家，易新龍，
申請(專利權)人：深圳順絡電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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