【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及量子測量，具體涉及一種用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池及其制作方法。
技術介紹
1、裝有堿金屬原子的原子蒸氣池是目前電場傳感器的主要器件，但是由于堿金屬原子的吸附會導致在原子蒸氣池內部形成一層較薄的導電層，導致低頻電場的測量受阻。
2、目前解決的方式一般為采用把極板放入原子蒸氣池內部制作內置極板的原子蒸氣池，通過內部加載電場的方式避免了玻璃原子氣室對低頻電場的屏蔽，實現了低頻電場的測量。
3、然而隨著智能化電力系統的發展，嘗試把量子電場傳感器引入電力系統時，由于內置極板的限制，會導致低頻的電場的電壓受到限制，無法對低頻電場進行測量。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術提供了一種用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池及其制作方法。
2、本專利技術解決上述技術問題的技術方案如下：一種用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池，包括pmma材料制成的池體以及密封設置在所述池體上的凸口，凸口與池體的內腔相連通，且所述凸口用于向池體內部進行抽真空和充入堿金屬銫原子。
3、進一步地，所述池體的半徑為15mm-18mm，長度為45mm-50mm。
4、進一步地，所述池體的厚度為0.5mm-0.8mm。
5、本專利技術還提供打了一種用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池的制作方法，包括以下步驟：
6、s1：選擇適合尺寸的pmma管材或板材；
7、s2：將p
8、s3：對池體上進行鉆孔，隨后在鉆孔處密封安裝凸口；
9、s4：對池體進行清洗，去除雜質和碎屑；
10、s5：通過凸口對池體內進行抽真空操作，再向池體內充入金屬銫原子，隨后對池體進行封裝；
11、s6：對池體的氣密性進行檢查，并檢測池體內金屬銫原子的濃度。
12、進一步地，步驟s4中對池體進行清洗時，采用異丙醇或去離子水清洗池體。
13、本專利技術具有以下有益效果：本專利技術所提供的一種用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池及其制作方法，其結構可靠，以特定的pmma材料制成的池體結構，銫原子吸附后pmma材料的導電性較小，在保證材料光學特性和電場影響不變的情況下，減小由于銫原子的吸附引起的低頻電場屏蔽效應，有效的降低屏蔽效應，實現對空間低頻電場的測量。
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1.一種用于低頻電場測量的PMMA材料的原子蒸氣池，其特征在于，包括PMMA材料制成的池體(1)以及密封設置在所述池體(1)上的凸口(2)，所述凸口(2)與所述池體(1)的內腔相連通，且所述凸口(2)用于向池體(1)內部進行抽真空和充入堿金屬銫原子。
2.根據權利要求1所述的用于低頻電場測量的PMMA材料的原子蒸氣池，其特征在于，所述池體(1)的半徑為15mm-18mm，長度為45mm-50mm。
3.根據權利要求1所述的用于低頻電場測量的PMMA材料的原子蒸氣池，其特征在于，所述池體(1)的厚度為0.5mm-0.8mm。
4.一種根據權利要求1至3任一項所述的用于低頻電場測量的PMMA材料的原子蒸氣池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
5.根據權利要求4所述的用于低頻電場測量的PMMA材料的原子蒸氣池的制作方法，其特征在于，步驟S4中對池體(1)進行清洗時，采用異丙醇或去離子水清洗池體(1)。
【技術特征摘要】
1.一種用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池，其特征在于，包括pmma材料制成的池體(1)以及密封設置在所述池體(1)上的凸口(2)，所述凸口(2)與所述池體(1)的內腔相連通，且所述凸口(2)用于向池體(1)內部進行抽真空和充入堿金屬銫原子。
2.根據權利要求1所述的用于低頻電場測量的pmma材料的原子蒸氣池，其特征在于，所述池體(1)的半徑為15mm-18mm，長度為45mm-50mm。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：肖冬萍，丁超，宋宏天，鄧松，馬凱，王保帥，張淮清，張英，胡珊珊，談竹奎，王凌旭，蒲曾鑫，胡全，樊磊，田承越，常強，
申請(專利權)人：重慶大學，
類型：發明
國別省市：
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