【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及顯示技術，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
技術介紹
1、液晶顯示面板已經得到了廣泛的應用。通常，液晶顯示面板包括彼此相對的對置基板和陣列基板。薄膜晶體管、柵線、數據線、像素電極、公共電極和公共電極信號線設置在陣列基板和對置基板上。在兩個基板之間，注入液晶材料以形成液晶層。與液晶顯示面板相關的一個常見問題是漏光。為了防止漏光，在對置基板上設置黑矩陣。具有較大黑矩陣的液晶顯示面板可以更好地防止漏光。然而，使用具有較大面積的黑矩陣，減小了液晶顯示裝置的開口率。
2、有機發光二極管(oled)顯示器由需要保持恒定以控制照度的驅動電流來驅動。oled顯示面板包括多個像素單元，所述多個像素單元配置有以多行和多列布置的像素驅動電路。每個像素驅動電路包括驅動晶體管，該驅動晶體管具有連接到每行一個柵信號線的柵極端子和連接到每列一個數據線的漏極端子。當其中像素單元被選通的行被導通時，連接到驅動晶體管的開關晶體管被導通，并且數據電壓從數據線經由開關晶體管施加到驅動晶體管，使得驅動晶體管將與數據電壓對應的電流輸出到oled器件。驅動oled器件以發射相應亮度的光。
技術實現思路
1、一方面，本公開提供了一種陣列基板，包括多個信號線和多個第二信號線，所述信號線和所述第二信號線彼此交叉以限定多個子像素；所述陣列基板包括：襯底基板；位于所述襯底基板上的信號線；緩沖層，其位于所述信號線的遠離所述襯底基板的一側；有源層，其位于所述緩沖層的遠離所述襯底基板的一側；第二信號線，其位于所述有源
2、可選地，所述信號線包括第一部分和第二部分；所述第一部分為所述信號線位于所述第一過孔中的部分；所述第二部分與所述第一部分電連接；沿所述第二信號線的延伸方向上，所述第一部分具有第一線寬，所述第二部分具有第二線寬，所述第一線寬大于所述第二線寬。
3、可選地，所述第二信號線包括主體和遠離所述主體凸出的凸出部；所述主體沿著所述第二信號線的延伸方向延伸；所述凸出部沿著不同于所述第二信號線的所述延伸方向的方向遠離所述主體凸出；所述主體在所述襯底基板上的正投影，將所述凸出部在所述襯底基板上的正投影與所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影間隔開；以及所述凸出部在所述襯底基板上的所述正投影，將所述信號線在所述襯底基板上的正投影與所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影間隔開。
4、可選地，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述凸出部在所述襯底基板上的所述正投影至少部分交疊。
5、可選地，所述有源層包括第一電極區域、第二電極區域以及位于所述第一電極區域和所述第二電極區域之間的溝道區域；所述第一電極區域包括第一電極，所述第二電極區域包括第二電極；其中，所述溝道區域、所述第一電極的至少一部分和所述第二電極的至少一部分為一體結構；以及所述第一電極的至少一部分和所述第二電極的至少一部分的材料與所述溝道區域的材料相同，并且經受導體化工藝；所述第一電極延伸至所述第一過孔，以連接到所述信號線；以及所述像素電極延伸至所述第二過孔，以連接到所述第二電極。
6、可選地，所述陣列基板還包括遮光件；其中，所述遮光件與所述信號線位于同一層；以及所述遮光件在所述襯底基板上的正投影與所述第二信號線在所述襯底基板上的所述正投影至少部分交疊。
7、可選地，所述陣列基板還包括遮光件；其中，所述遮光件在所述襯底基板上的正投影與所述第二信號線的一部分在所述襯底基板上的正投影至少部分交疊；以及沿著所述信號線的延伸方向，所述第二信號線的所述部分在所述襯底基板上的所述正投影的兩個邊界中的至少一者完全位于所述遮光件在所述襯底基板上的所述正投影的兩個邊界之間。
8、可選地，所述陣列基板還包括遮光件；其中，所述遮光件與所述信號線之間的最小距離在1.0μm至5.0μm的范圍內。
9、可選地，所述陣列基板還包括至少延伸穿過所述平坦化層的第三過孔；其中，所述第三過孔在所述襯底基板上的正投影與所述遮光件在所述襯底基板上的正投影部分交疊。
10、可選地，所述緩沖層包括第一部分和第二部分；所述第一部分是所述第一過孔的側壁；所述第一部分將所述第二部分與所述第一過孔間隔開；所述第一部分在所述襯底基板上的正投影與所述信號線在所述襯底基板上的所述正投影至少部分交疊；所述第二部分在所述襯底基板上的正投影與所述信號線在所述襯底基板上的所述正投影不重疊；以及所述第一部分相對于所述襯底基板的表面的第一高度大于所述第二部分相對于所述襯底基板的所述表面的第二高度。
11、可選地，所述信號線的平均線寬在0.7μm至3.5μm的范圍內。
12、可選地，所述溝道區域、所述第一電極的至少一部分和所述第二電極的至少一部分的材料包括m1oanb，其中，m1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；以及所述第一電極的至少一部分和所述第二電極的至少一部分經受輕摻雜漏極工藝。
13、可選地，所述第一電極包括相互電連接的第一電極部分和第二電極部分；以及所述第一電極部分和所述第二電極部分的材料不同。
14、可選地，所述第一電極部分的材料包括m1oanb，其中，m1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；所述第二電極部分包括金屬材料；以及所述第一電極部分、所述第二電極的至少一部分和所述溝道區域為一體結構。
15、可選地，所述第一電極部分的至少部分延伸到所述第二電極部分中。
16、可選地，所述陣列基板還包括：絕緣層，其位于所述有源層的遠離所述襯底基板的一側；柵極，其位于所述絕緣層的遠離所述有源層的一側；以及過孔，其延伸穿過所述絕緣層和所述緩沖層，暴露所述信號線的一部分的表面；其中，所述第一電極部分與所述柵極位于同一層；所述第一電極部分延伸至所述過孔，以連接到所述信號線。
17、可選地，所述陣列基板還包括：絕緣層，其位于所述有源層的遠離所述襯底基板的一側；柵極，其位于所述絕緣層的遠離所述有源層的一側；層間介質層，其位于所述柵極的遠離所述絕緣層的一側；以及過孔，其延伸穿過所述層間介質層、所述絕緣層和所述緩沖層，暴露所述信號線的一部分的表面；其中，所述第一電極部分在位于所述層間介質層的遠離所述絕緣層的一側的層中；以及所述第一電極部分延伸至所述過孔，以連接到所述信號線。
18、可選地，所述第二電極包括相互電連本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種陣列基板，包括多個信號線和多個第二信號線，所述信號線和所述第二信號線彼此交叉以限定多個子像素；
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述信號線包括第一部分和第二部分；
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述第二信號線包括主體和遠離所述主體凸出的凸出部；
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其中，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述凸出部在所述襯底基板上的所述正投影至少部分交疊。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層包括第一電極區域、第二電極區域以及位于所述第一電極區域和所述第二電極區域之間的溝道區域；所述第一電極區域包括第一電極，所述第二電極區域包括第二電極；
6.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括遮光件；
7.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括遮光件；
8.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括遮光件；
9.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括至少延伸穿過所述平坦化層的第三過孔；
10.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述緩沖層包括
11.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述信號線的平均線寬在0.7μm至3.5μm的范圍內。
12.根據權利要求5所述的陣列基板，其中，所述溝道區域、所述第一電極的至少一部分和所述第二電極的至少一部分的材料包括M1OaNb，其中，M1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；以及
13.根據權利要求5所述的陣列基板，其中，所述第一電極包括相互電連接的第一電極部分和第二電極部分；以及
14.根據權利要求13所述的陣列基板，其中，所述第一電極部分的材料包括M1OaNb，其中，M1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；
15.根據權利要求13所述的陣列基板，其中，所述第一電極部分的至少部分延伸到所述第二電極部分中。
16.根據權利要求13所述的陣列基板，還包括：
17.根據權利要求13所述的陣列基板，還包括：
18.根據權利要求5所述的陣列基板，其中，所述第二電極包括相互電連接的第三電極部分和第四電極部分；以及
19.根據權利要求18所述的陣列基板，其中，所述第三電極部分的材料包括M1OaNb，其中，M1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；
20.根據權利要求18所述的陣列基板，還包括：
21.根據權利要求5所述的陣列基板，其中，所述溝道區域、所述第一電極的整體和所述第二電極的整體為一體結構。
22.根據權利要求21所述的陣列基板，還包括延伸穿過所述緩沖層以暴露所述信號線的一部分的表面的過孔；
23.根據權利要求21所述的陣列基板，還包括：
24.根據權利要求23所述的陣列基板，其中，在沿著垂直于所述襯底基板且垂直于長度方向并與所述信號線相交的平面的截面中，所述第一電極覆蓋所述信號線的至少一部分的上表面，其中，所述信號線沿所述長度方向延伸；以及
25.根據權利要求23所述的陣列基板，其中，在沿著垂直于所述襯底基板且垂直于長度方向并與所述信號線相交的平面的截面中，所述信號線覆蓋所述第一電極的至少一部分的上表面，其中，所述信號線沿所述長度方向延伸；以及
26.根據權利要求5所述的陣列基板，還包括電連接到所述第二電極的像素電極；
27.根據權利要求26所述的陣列基板，還包括：
28.根據權利要求5所述的陣列基板，還包括被配置為被提供有低電壓信號的公共電極；
29.根據權利要求28所述的陣列基板，還包括：
30.一種顯示裝置，包括根據權利要求1至29中任一項所述的陣列基板以及連接到所述陣列基板的一個或多個集成電路。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種陣列基板，包括多個信號線和多個第二信號線，所述信號線和所述第二信號線彼此交叉以限定多個子像素；
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述信號線包括第一部分和第二部分；
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述第二信號線包括主體和遠離所述主體凸出的凸出部；
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其中，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述凸出部在所述襯底基板上的所述正投影至少部分交疊。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層包括第一電極區域、第二電極區域以及位于所述第一電極區域和所述第二電極區域之間的溝道區域；所述第一電極區域包括第一電極，所述第二電極區域包括第二電極；
6.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括遮光件；
7.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括遮光件；
8.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括遮光件；
9.根據權利要求1所述的陣列基板，還包括至少延伸穿過所述平坦化層的第三過孔；
10.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述緩沖層包括第一部分和第二部分；
11.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述信號線的平均線寬在0.7μm至3.5μm的范圍內。
12.根據權利要求5所述的陣列基板，其中，所述溝道區域、所述第一電極的至少一部分和所述第二電極的至少一部分的材料包括m1oanb，其中，m1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；以及
13.根據權利要求5所述的陣列基板，其中，所述第一電極包括相互電連接的第一電極部分和第二電極部分；以及
14.根據權利要求13所述的陣列基板，其中，所述第一電極部分的材料包括m1oanb，其中，m1為單一金屬或多種金屬組合，a>0，且b≥0；
15.根據權利要求13所述的陣列基板，其中，所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王東方，寧策，袁廣才，董學，王利忠，劉鳳娟，胡合合，劉威，付雨婷，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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