【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其是涉及一種智能功率模塊和電子設備。
技術介紹
1、針對同一系列不同電流規格的智能功率模塊產品設計時，通常在相同的框架布局結構中適配不同電流規格的芯片，從而在降低成本的前提下，形成某一系列下的不同電流規格智能功率模塊產品。
2、現有技術中，相同的框架布局結構內驅動芯片和功率芯片之間的接線方式單一，在功率芯片電流規格不同時，會導致功率芯片的開關損耗和尖峰電壓之間無法達到相對平衡，往往只能使得一方的數值處于較優的范圍內，這樣會使得智能功率模塊的性能較差。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術的一個目的在于提出一種智能功率模塊，該智能功率模塊的性能較好。
2、本專利技術進一步地提出了一種電子設備。
3、根據本專利技術實施例的智能功率模塊，包括：封裝體；驅動電路板，所述驅動電路板上設置有一個驅動芯片；功率側基板，所述功率側基板設置于所述封裝體內且與所述驅動電路板在第二方向上間隔設置，所述功率側基板上設置有第一方向間隔設置的高壓功率焊盤和低壓功率焊盤，所述高壓功率焊盤上設置有三個第一方向間隔設置的高壓功率芯片；功率引腳，所述功率引腳設置于設置封裝體內且位于所述功率側基板第二方向遠離所述驅動電路板的一側，所述功率引腳包括第一方向上間隔設置的高壓功率引腳和低壓功率引腳，所述高壓功率引腳為三個，三個所述高壓功率引腳在第一方向上間隔設置；每個所述高壓功率芯片均包括在第二方向間隔設置的絕緣柵雙
4、由此，可以根據驅動芯片高壓功率芯片之間的電流大小，選擇性地調整驅動芯片和高壓功率芯片之間的電連接的長度，以改變高壓功率芯片的柵射極電感，這樣可以使得高壓功率芯片的開關損耗和尖峰電壓之間達到相對平衡，兩者均處于相對較優的范圍內，可以提升智能功率模塊的性能。
5、在本專利技術的一些示例中，當三個所述第一跳線區與三個所述高壓功率引腳同時一一對應電連接時，三個所述第一跳線區與三個所述快恢復二極管之間均未電連接，三個所述電壓源轉接焊盤與三個所述絕緣柵雙極型晶體管上的所述發射極焊盤之間均未電連接，三個所述第二跳線區與三個所述第一跳線區同時一一對應電連接，且三個所述電壓源轉接焊盤與三個所述第二跳線區同時一一對應電連接。
6、在本專利技術的一些示例中，設定所述封裝體內所述驅動芯片和所述高壓功率芯片之間的電流為i1，i1滿足關系式：i1＜20a。
7、在本專利技術的一些示例中，當三個所述電壓源轉接焊盤與三個所述絕緣柵雙極型晶體管上的所述發射極焊盤一一對應電連接時，三個所述第一跳線區與三個所述快恢復二極管之間均未電連接，三個所述第一跳線區與三個所述高壓功率引腳之間均未電連接，三個所述第二跳線區與三個所述第一跳線區之間均未電連接，三個所述電壓源轉接焊盤與三個所述第二跳線區之間均未電連接。
8、在本專利技術的一些示例中，設定所述封裝體內所述驅動芯片和所述高壓功率芯片之間的電流為i2，i2滿足關系式：30a＜i2≤50a。
9、在本專利技術的一些示例中，當三個所述第一跳線區與三個所述快恢復二極管同時一一對應電連接時，三個所述第一跳線區與三個所述高壓功率引腳之間均未電連接，三個所述第二跳線區與三個所述第一跳線區同時一一對應電連接，三個所述電壓源轉接焊盤與三個所述第二跳線區同時一一對應電連接，三個所述電壓源轉接焊盤與三個所述絕緣柵雙極型晶體管上的所述發射極焊盤均未電連接。
10、在本專利技術的一些示例中，設定所述封裝體內所述驅動芯片和所述高壓功率芯片之間的電流為i3，i3滿足關系式：20a≤i3＜30a。
11、在本專利技術的一些示例中，三個所述第一跳線區分別為第一子跳線區、第二子跳線區和第三子跳線區，三個所述高壓功率芯片分別為第一高壓功率芯片、第二高壓功率芯片和第三高壓功率芯片，相較于第二高壓功率芯片和第三高壓功率芯片，所述第一高壓功率芯片在第一方向上更加鄰近所述低壓功率焊盤，所述第二高壓功率芯片在第一方向上間隔設置于所述第一高壓功率芯片和所述第二高壓功率芯片之間；所述第一子跳線區在第一方向上間隔設置于所述第一高壓功率芯片和所述低壓功率焊盤之間，設定所述第二子跳線區在第二方向上的投影為第二子跳線區投影，設定所述第三子跳線區在第二方向上的投影為第三子跳線區投影，設定所述第一高壓功率芯片第二方向上的投影為第一高壓功率芯片投影，設定所述第二高壓功率芯片第二方向上的投影為第二高壓功率芯片投影，設定所述第三高壓功率芯片第二方向上的投影為第三高壓功率芯片投影；所述第二子跳線區投影的中心在第一方向位于所述第一高壓功率芯片投影和所述第二高壓功率芯片投影之間，所述第三子跳線區投影的中心在第一方向位于所述第二高壓功率芯片投影和所述第三高壓功率芯片投影之間。
12、在本專利技術的一些示例中，所述第二子跳線區投影至少部分地與所述第一高壓功率芯片投影相互重合，所述第二子跳線區投影至少部分地與所述第二高壓功率芯片投影相互重合；所述第三子跳線區投影至少部分地與所述第二高壓功率芯片投影相互重合，所述第三子跳線區投影至少部分地與所述第三高壓功率芯片投影相互本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，當三個所述第一跳線區(203)與三個所述高壓功率引腳(301)同時一一對應電連接時，三個所述第一跳線區(203)與三個所述快恢復二極管(2013)之間均未電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)上的所述發射極焊盤(2015)之間均未電連接，三個所述第二跳線區(204)與三個所述第一跳線區(203)同時一一對應電連接，且三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述第二跳線區(204)同時一一對應電連接。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，設定所述封裝體(40)內所述驅動芯片(101)和所述高壓功率芯片(2011)之間的電流為I1，I1滿足關系式：I1＜20A。
4.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，當三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)上的所述發射極焊盤(2015)一一對應電連接時，三個所述第一跳線區(203)與三個所述快恢復二極管(2013)之間均未電連
5.根據權利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，設定所述封裝體(40)內所述驅動芯片(101)和所述高壓功率芯片(2011)之間的電流為I2，I2滿足關系式：30A＜I2≤50A。
6.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，當三個所述第一跳線區(203)與三個所述快恢復二極管(2013)同時一一對應電連接時，三個所述第一跳線區(203)與三個所述高壓功率引腳(301)之間均未電連接，三個所述第二跳線區(204)與三個所述第一跳線區(203)同時一一對應電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述第二跳線區(204)同時一一對應電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)上的所述發射極焊盤(2015)均未電連接。
7.根據權利要求6所述的智能功率模塊，其特征在于，設定所述封裝體(40)內所述驅動芯片(101)和所述高壓功率芯片(2011)之間的電流為I3，I3滿足關系式：20A≤I3＜30A。
8.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，三個所述第一跳線區(203)分別為第一子跳線區(2051)、第二子跳線區(2052)和第三子跳線區(2053)，三個所述高壓功率芯片(2011)分別為第一高壓功率芯片(20111)、第二高壓功率芯片(20112)和第三高壓功率芯片(20113)，相較于第二高壓功率芯片(20112)和第三高壓功率芯片(20113)，所述第一高壓功率芯片(20111)在第一方向上更加鄰近所述低壓功率焊盤(202)，所述第二高壓功率芯片(20112)在第一方向上間隔設置于所述第一高壓功率芯片(20111)和所述第二高壓功率芯片(20112)之間；
9.根據權利要求8所述的智能功率模塊，其特征在于，所述第二子跳線區(2052)投影至少部分地與所述第一高壓功率芯片(20111)投影相互重合，所述第二子跳線區(2052)投影至少部分地與所述第二高壓功率芯片(20112)投影相互重合；
10.根據權利要求9所述的智能功率模塊，其特征在于，所述第二子跳線區(2052)在第二方向與所述第一高壓功率芯片(20111)的所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)和所述快恢復二極管(2013)間隔設置，所述第二子跳線區(2052)在第二方向與所述第二高壓功率芯片(20112)的所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)和所述快恢復二極管(2013)間隔設置；
11.根據權利要求10所述的智能功率模塊，其特征在于，三個所述第二跳線區(204)與三個所述高壓功率芯片(2011)一一對應設置，所述第二跳線區(204)間隔設置于所述高壓功率芯片(2011)第二方向朝向所述驅動電路板(10)的一側。
12.根據權利要求11所述的智能功率模塊，其特征在于，三個所述第二跳線區(204)分別為第四子跳線區(2054)、第五子跳線區(2055)和第六子跳線區(2056)，相較于所述第五子跳線區(2055)和所述第六子跳線區(2056)，所述第四子跳線區(2054)在第一方向上更加鄰近所述低壓功率焊盤(202)，所述第五子跳線區(2055)在第一方向上間隔設置于所述第四子跳線區(2054)和所述第六子跳線區(...
【技術特征摘要】
1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，當三個所述第一跳線區(203)與三個所述高壓功率引腳(301)同時一一對應電連接時，三個所述第一跳線區(203)與三個所述快恢復二極管(2013)之間均未電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)上的所述發射極焊盤(2015)之間均未電連接，三個所述第二跳線區(204)與三個所述第一跳線區(203)同時一一對應電連接，且三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述第二跳線區(204)同時一一對應電連接。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，設定所述封裝體(40)內所述驅動芯片(101)和所述高壓功率芯片(2011)之間的電流為i1，i1滿足關系式：i1＜20a。
4.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，當三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)上的所述發射極焊盤(2015)一一對應電連接時，三個所述第一跳線區(203)與三個所述快恢復二極管(2013)之間均未電連接，三個所述第一跳線區(203)與三個所述高壓功率引腳(301)之間均未電連接，三個所述第二跳線區(204)與三個所述第一跳線區(203)之間均未電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述第二跳線區(204)之間均未電連接。
5.根據權利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，設定所述封裝體(40)內所述驅動芯片(101)和所述高壓功率芯片(2011)之間的電流為i2，i2滿足關系式：30a＜i2≤50a。
6.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，當三個所述第一跳線區(203)與三個所述快恢復二極管(2013)同時一一對應電連接時，三個所述第一跳線區(203)與三個所述高壓功率引腳(301)之間均未電連接，三個所述第二跳線區(204)與三個所述第一跳線區(203)同時一一對應電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述第二跳線區(204)同時一一對應電連接，三個所述電壓源轉接焊盤(103)與三個所述絕緣柵雙極型晶體管(2012)上的所述發射極焊盤(2015)均未電連接。
7.根據權利要求6所述的智能功率模塊，其特征在于，設定所述封裝體(40)內所述驅動芯片(101)和所述高壓功率芯片(2011)之間的電流為i3，i3滿足關系式：20a≤i3＜30a。
8.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，三個所述第一跳線區(203)分別為第一子跳線區(2051)、第二子跳線區(2052)和第三子跳線區(2053)，三個所述高壓功率芯片(2011)分別為第一高壓功率芯片(20111)、第二高壓功率芯片(20112)和第三高壓功率芯片(20113)，相較于第二高壓功率芯片(20112)和第三高壓功率芯片(20113)，所述第一高壓功率芯片(201...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周至軍，
申請(專利權)人：海信家電集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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