【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體工藝，具體涉及一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法。
技術介紹
1、擴散摻雜工藝在半導體芯片制造中占據著舉足輕重的地位，它通過在硅片中引入特定類型的雜質原子，精確控制材料的電學性質，從而滿足不同器件的性能需求。在這一工藝中，根據摻雜源物質狀態的不同，可以靈活地選擇固態源、液態源或氣態源進行擴散。每種方法都有其獨特的優勢和應用場景，而固態源擴散，特別是使用b2o3作為擴散源，因其穩定性和可控性，在p型摻雜中得到了廣泛應用。
2、b2o3（三氧化二硼）作為固態擴散源，其主要優勢在于其含有的硼（b）元素能夠有效地擴散進入硅片晶格中，替代部分硅原子，從而形成p型半導體。這一過程對于調節硅片的電導率、控制載流子濃度以及優化器件性能至關重要。然而，b2o3源片在制備和存儲過程中容易吸附雜質、形成表面顆粒，并且表面往往存在一層結構疏松的非致密層。這些缺陷不僅會影響硼原子的均勻擴散，還可能導致最終半導體產品的電學性能不穩定，甚至引發可靠性問題。
3、因此，在使用b2o3源片之前進行嚴格的表面處理是必不可少的步驟。這一處理過程通常包括物理清洗和化學蝕刻兩個階段，旨在徹底清除源片表面的污染物、顆粒以及非致密層。物理清洗可以通過超聲波清洗、刷洗等方法去除大顆粒和松散物質；而化學蝕刻則利用特定的化學溶液選擇性地溶解掉表面的非致密層和其它雜質，同時保證硼源的主體結構不受損害。
4、經過精心處理的b2o3源片，其表面變得更加平整、致密，減少了在高溫擴散過程中因熱應力導致的開裂風險，顯著提高了摻雜的均勻
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，用以解決b2o3源片在制造過程中會引入表面顆粒，且未使用的b2o3源片表面存在一層非致密層的技術問題。
2、為了達到上述目的，本專利技術采用以下技術方案予以實現：
3、一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，包括：
4、固態b2o3摻雜源片表面進行物理擦除；
5、對進行物理擦除后的固態b2o3摻雜源片進行表面擦洗；
6、對表面擦洗后的固態b2o3摻雜源片進行烘烤，獲得處理完成的固態b2o3摻雜源片；
7、其中，固態b2o3摻雜源片物理擦除使用金剛刀劃裂的硅片側邊刮刻b2o3摻雜源片的表面直至表面無顆粒脫落。
8、優選地，表面擦洗使用浸有無水乙醇的無塵布擦拭。
9、優選地，表面擦洗使用的無水乙醇為mos級。
10、優選地，擦拭完成后依次進行沖水和風干操作。
11、優選地，沖水采用di水沖水10min以上。
12、優選地，風干使用氮氣槍吹干，直至無水滴附著表面。
13、優選地，烘烤工具為臥式爐管。
14、優選地，烘烤方式為通入飽和n2烘烤.
15、優選地，烘烤溫度為150℃～200℃。
16、優選地，烘烤時間為20-28h。
17、與現有技術相比，本專利技術具有以下有益效果：本專利技術提供了一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，使用硅片刮刻硼源表面不會對源片造成沾污，在用于擴散源時不會對摻雜的硅片造成影響，同時烘烤有利于表面水汽干燥，避免直接升至摻雜所需高溫導致的形變與表面局部鼓泡脫落，有利于提高擴散摻雜均勻性，最終可以得到表面無非致密疏松層的硼擴散源表面，該工藝方法理論簡單易于理解，不同的工藝技術人員可以根據不同的設備及工藝條件進行調整，遵循此方法均可以得到滿足工藝要求的結果，適用范圍廣泛。
18、進一步地，使用金剛刀劃裂的硅片側邊刮刻b2o3摻雜源的表面，能夠有效地去除源片表面的雜質和污染物，包括顆粒、塵埃、有機物等，確保源片表面的清潔度。
19、進一步地，使用浸有無水乙醇的無塵布擦拭表面，可以進一步去除源片表面在物理擦除過程中可能殘留的微小顆粒和污染物，確保表面的高度潔凈。
20、進一步地，mos級無水乙醇的純度高、雜質少，能夠確保擦洗過程中不會引入新的污染物，保持源片表面的高潔凈度。
21、進一步地，用di水（去離子水）沖水10min以上，可以徹底去除無水乙醇殘留，同時進一步清洗表面，確保表面的清潔度。
22、進一步地，使用氮氣搶吹干源片表面，直至無水滴附著，可以避免水滴在源片表面留下痕跡或造成二次污染，同時保持源片表面的干燥狀態。
23、進一步地，低溫烘烤可以徹底去除源片表面在擦洗過程中殘留的水分，避免水分對后續工藝的影響。
24、進一步地，選擇150℃～200℃的低溫烘烤范圍，既可以達到去除水分和穩定表面的目的，又不會因溫度過高而對源片造成損傷或引入新的缺陷。
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1.一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，表面擦洗使用浸有無水乙醇的無塵布擦拭。
3.根據權利要求2所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，表面擦洗使用的無水乙醇為MOS級。
4.根據權利要求2所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，擦拭完成后依次進行沖水和風干操作。
5.根據權利要求4所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，沖水采用DI水沖水10min以上。
6.根據權利要求4所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，風干使用氮氣槍吹干，直至無水滴附著表面。
7.根據權利要求1所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，烘烤工具為臥式爐管。
8.根據權利要求7所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，烘烤方式為通入飽和N2烘烤。
9.根據權利要求7所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，烘
10.根據權利要求7所述的一種固態B2O3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，烘烤時間為20-28h。
...【技術特征摘要】
1.一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，表面擦洗使用浸有無水乙醇的無塵布擦拭。
3.根據權利要求2所述的一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，表面擦洗使用的無水乙醇為mos級。
4.根據權利要求2所述的一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，擦拭完成后依次進行沖水和風干操作。
5.根據權利要求4所述的一種固態b2o3摻雜源的表面處理方法，其特征在于，沖水采用di水沖水10min以上。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：盧澤宇，王智偉，楊鵬翮，張文鵬，王怡鑫，張長安，胡長青，程鵬剛，
申請(專利權)人：西安微電子技術研究所，
類型：發明
國別省市：
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